【課題】 ウエハの均一な加熱が可能で、III族窒化物半導体デバイスの製造に有用なIII族窒化物単結晶ウエハを提供する。
【解決手段】 ウエハ状に加工したIII族窒化物単結晶１１のIII族窒化物結晶層形成面とは反対側の面に、例えば、カーボン（Ｃ）膜、半導体膜および金属膜からなる群から選択される赤外線吸収層１２を形成する。このように赤外線吸収層１２が形成されているため、この赤外線吸収層１２が赤外線光を均一に吸収することができる。その結果、ウエハ１１を均一に加熱可能となり、高品質な半導体デバイスを、安定して高い歩留まりで容易に製造できる。 （もっと読む）