【課題】還元雰囲気や不活性ガス雰囲気下におけるドナー濃度の変化が抑えられたβ−Ｇａ_２Ｏ_３系基板の製造方法、及び還元雰囲気や不活性ガス雰囲気下において品質のばらつきの小さい高品質な結晶膜をエピタキシャル成長させることのできる結晶積層構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＶ族元素を含むβ−Ｇａ_２Ｏ_３系結晶からβ−Ｇａ_２Ｏ_３系基板を切り出す工程を含み、還元雰囲気及び不活性ガス雰囲気の少なくともいずれか一方を含む雰囲気下でのアニール処理が、前記β−Ｇａ_２Ｏ_３系基板を切り出す前の前記β−Ｇａ_２Ｏ_３系結晶、又は切り出された前記β−Ｇａ_２Ｏ_３系基板に施される、β−Ｇａ_２Ｏ_３系基板の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、Ｂｉ−２２１２結晶粉末等を短時間、且つ容易に作製可能な方法を創案すると共に、Ｂｉ−２２１２結晶等の配向性が良好な超伝導線材を短時間、且つ容易に作製可能な方法を創案することを技術的課題とする。
【解決手段】本発明の超伝導結晶粉末の製造方法は、超伝導結晶物を用意する工程と、前記超伝導結晶物を破断する工程と、前記超伝導結晶物の破断面に粘着シートを貼り付ける工程と、前記粘着シートを前記超伝導結晶物から剥がす工程と、前記粘着シートから超伝導結晶粉末を採取する工程とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】簡単な製造方法を有し、コストが低く、高品質のエピタキシャル構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】エピタキシャル構造体の製造方法は、少なくとも一つの結晶面を有する基板１００を提供する第一ステップと、前記基板１００の結晶面１０１に複数の空隙を含むカーボンナノチューブ層１０２を配置し、前記基板１００の結晶面１０１の一部を前記カーボンナノチューブ層１０２の複数の空隙によって露出させる第二ステップと、前記基板１００の結晶面１０１にエピタキシャル層１０４を成長させ、前記カーボンナノチューブ層１０２を覆う第三ステップと、前記カーボンナノチューブ層１０２を除去する第四ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物半導体で構成される基板を生産する際の歩留まりを改善することを課題とする。
【解決手段】基板の表面から裏面まで貫通する貫通孔２０を有するＩＩＩ族窒化物半導体（Ａｌ_ｘＧａ_{１−ｘ−ｙ}Ｉｎ_ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１））で構成される基板３０と、貫通孔２０の内部に充填され、貫通孔２０を塞ぐ、組成一様のＩＩＩ族窒化物半導体で構成される充填材４０と、を有するＩＩＩ族窒化物半導体基板１０を提供する。 （もっと読む）

【課題】貫通ピットの無い窒化ガリウム系半導体基板を安価に得ることができる窒化ガリウム系半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】窒化ガリウム系半導体基板の製造方法であって、気相成長装置内に、表面にピット２５を生じた窒化ガリウム系半導体層２０を有する基板を準備する第１の工程と、前記気相成長装置内で、前記窒化ガリウム系半導体層２０上に、非晶質又は多結晶のIII族窒化物のピット埋込層３０を形成して前記ピット２５を埋める第２の工程と、前記ピット埋込層３０を研磨により除去して前記窒化ガリウム系半導体層２０の表面を露出させる第３の工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】液相成長にて形成したＧａＮ単結晶などのＩＩＩ族元素窒化物結晶を原料液の中から短時間で取り出すことができる結晶製造方法を提供する。
【解決手段】処理容器６内に坩堝１を収納させ、前記坩堝１を前記処理容器６内に入れる前、あるいは、入れた後に、前記処理容器６内に固体原料処理液７を流入させ、前記坩堝１内には種基板２と、前記種基板２上に生成された結晶基板１０と、前記種基板１および前記結晶基板１０を覆った固体原料３とが収納された状態とし、前記処理容器６内に、超音波発生手段８から発射された超音波１１を与える。 （もっと読む）

指向性の高い熱伝導性を有するグラファイト製品を提供する。中間相ピッチ（１２）の中間相部分（１４）が互いに並んで、安定化される延伸中間相ピッチを生成する。必要によっては、前記グラファイト製品をさらに炭化および黒鉛化できる。
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【課題】本成長途中のＳｉＣ単結晶中に欠陥を生成させるおそれの少ない転位制御種結晶及びその製造方法、並びに、ＳｉＣ単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】以下の構成を備えた転位制御種結晶１０及びその製造方法、並びにこれを用いたＳｉＣ単結晶の製造方法。（１）転位制御種結晶１０は、α型のＳｉＣからなる。（２）転位制御種結晶１０は、オフセット角θが１°以上１５°以下である成長面を備えている。（３）成長面は、螺旋転位密度が低い高品質領域１２と、成長面の５０％以下の面積を持つ螺旋転位領域１４とを備えている。（４）螺旋転位領域１４は、高品質領域１２となる一次種結晶の一次成長面の一部に、螺旋転位領域１４を形成するための後退部を形成し、少なくとも後退部上にＳｉＣ単結晶を予備成長させ、成長面のオフセット方向ｃ端部に螺旋転位領域１４が含まれるように、一次種結晶の表面を鏡面研磨し、成長面を露出させる。 （もっと読む）

【課題】圧電体の単結晶基材が再利用可能になり、圧電体の単結晶基材の配置方向に応じた結晶軸の配向方向の均質な厚みの単結晶薄膜を得られ、効率的にマイクロキャビティを形成できる圧電性複合基板の製造方法の提供を図る。
【解決手段】圧電体の単結晶薄膜を備える圧電性複合基板の製造方法であって、イオン注入工程（Ｓ１）と剥離工程（Ｓ２）とを含む。イオン注入工程（Ｓ１）では、圧電体の単結晶基材１へHe⁺イオンを注入する。これにより、単結晶基材１の表面から内部に離れた剥離層３に、マイクロキャビティを集積して形成する。そして、剥離工程（Ｓ２）では、イオン注入工程（Ｓ１）で形成したマイクロキャビティに熱応力を作用させる。これにより、単結晶基材１を剥離層３で分断して単結晶薄膜４を剥離する。 （もっと読む）

【課題】 数μｍから数十μｍ程度の大きさの軟磁性フェライト粒子は、レーザーコピーで使用されるキャリア粉、電波吸収体や圧粉磁芯といった用途に需要がある。しかしこの大きさの軟磁性フェライトは、粉砕法で作製するには小さすぎ、成長法で作製するには大きすぎる。また、粉体の形状も一定にできなかった。
【解決手段】 材料となるフェライトと塩化鉄を混合し、９００℃以上１３００℃以下で焼成することで、フェライトが液相の塩化鉄中で結晶成長し、数十μｍの大きさの八面体の粒子を得る。 （もっと読む）

【課題】単結晶ダイヤモンド基板の表面損傷を除去するために有効な新規な方法および表面損傷が除去された単結晶タイヤモンドを基板としたCVD法による単結晶ダイヤモンドの製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶ダイヤモンドにイオン注入を行って表面近傍に非ダイヤモンド層を形成し、該非ダイヤモンド層をグラファイト化させた後、エッチングして表面層を除去する。この様にして得られた単結晶ダイヤモンドは、表面粗さを増加させることなく、切断、研磨などによって生じた表面損傷部がほぼ完全に除去され、また、表面と交差する転位もほとんど存在しないものとなるので、処理された単結晶ダイヤモンドを基板として、CVD法によってダイヤモンドを成長させることによって、転位の伝播や新たな転位の発生を著しく抑制することができ、形成される単結晶ダイヤモンドの結晶性を著しく改善することができる。 （もっと読む）

【課題】 シリコン粒子を安定的かつ高効率に単結晶化するとともに、単結晶シリコン粒子を低コストに製造することができる結晶シリコン粒子の製造方法を提供すること。
【解決手段】 結晶シリコン粒子の製造方法は、窒素ガスから成る雰囲気ガスまたは窒素ガスを主成分として含む雰囲気ガス中で、シリコン粒子１０１をシリコンの融点以下の温度に加熱してシリコン粒子１０１の表面に窒化珪素膜を形成し、次に酸素ガスから成る雰囲気ガスまたは酸素ガス及び不活性ガスから成る雰囲気ガス中で、シリコン粒子１０１を加熱して窒化珪素膜の内側のシリコンを溶融させて降温して凝固させて単結晶化とする。 （もっと読む）

【課題】III 族窒化物の育成後にフラックスを安全に除去できるフラックス処理装置を提供する。
【解決手段】フラックス法にてIII族窒化物結晶を育成した後に、その反応容器107を処理溶液218に浸漬してフラックスを除去する処理を行うフラックス処理装置を、処理溶液218を入れる処理容器301と、同処理溶液218についての温度センサー219および温度調整器221とを有し、温度センサー219による測定結果をもとに温度調整器221を介して処理溶液218の温度を所定の温度領域に制御するように構成する。 （もっと読む）

【課題】面積が広く反りが少なく自立できるＧａＮ単結晶基板、ＧａＮ単結晶基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】２０ｍｍ以上の直径と０．０７ｍｍ以上の厚さを有し、自立しており、研磨された基板表面の法線と、研磨された基板表面と平行度が最も高い低面指数の結晶面の法線とのなす角度が基板内で３度以下であり、少なくとも１面が研磨されており、結晶に含まれる炭素の含有量が分析のバックグラウンドレベルであるＧａＮ単結晶基板。 （もっと読む）

【課題】有毒ガス、特殊反応容器および特殊技術を使用することなく、また煩雑な操作を施すことなく、安全、かつ簡便にダイヤモンド材料表面上に硫黄官能基を導入したダイヤモンド材料及びその製造方法を提供する。
【解決手段】硫黄を含む官能基がダイヤモンド材料表面に結合したダイヤモンド材料。該硫黄官能基を介して金属微粒子が結合した金属微粒子修飾ダイヤモンド材料。硫黄官能基を介して金属膜に結合した金属膜修飾ダイヤモンド材料。紫外線照射下、ダイヤモンド材料と単体硫黄を反応させ硫黄官能基をダイヤモンド材料の表面に結合させることにより硫黄を含む官能基が表面に結合したダイヤモンド材料を得る。 （もっと読む）

【課題】貫通ピットや貫通クラックが存在するために事実上使用不可能であった自立基板を半導体素子の工程に流せるようにし、基板の生産歩留まりを著しく向上させ、貴重で高価な窒化物半導体基板の提供。
【解決手段】表面から裏面まで貫通する貫通ピット８又は貫通クラックをその製造過程で有する窒化物半導体の自立基板７に対し、前記貫通ピット８又は貫通クラックに窒化物を形成可能な金属を付着させた後、前記金属を窒化させて窒化物を形成し、前記窒化物により前記貫通ピット又は貫通クラックを埋める。 （もっと読む）

本発明は、アスペクト比が大きい薄片状アルファーアルミナ結晶体及びその製造方法に関し、更に詳しくは、水溶性溶剤を含有するアルミニウム前駆体水溶液、亜鉛前駆体水溶液及びスズ前駆体水溶液を加水分解して混合ゲルを製造した後、熟成、乾燥及び結晶工程を行うことで製造される酸化アルミニウム、酸化亜鉛及び酸化スズを含有する薄片状アルファ−アルミナ結晶体に関する。前記結晶体は、平均粒子厚さが０．５μｍ以下、平均粒子直径が３０μｍ以上、アスペクト比が１００以上であり、従って、高品質の真珠光沢顔料基質、研磨剤、セラミック材料及び充填剤として有用である。 （もっと読む）

【課題】単結晶内部に誘起構造を作製する方法および該誘起構造を備えた光学素子を提供する。
【解決手段】面心立方格子構造または六方最密充填構造を有し、かつパルスレーザを透過し得る単結晶内部に単一のフィラメントが形成されるようにパルスレーザを集光させる。また、パルスレーザは、上記フィラメントが誘起構造の形成される結晶面に対して略垂直に形成されるように照射する。これによって、フィラメントが到達した結晶面が局所転位を起こし、単結晶内部に光学異方性を有する誘起構造を周期的に作製することができる。 （もっと読む）

【課題】 熱処理が短時間化かつ低温化したとしてもゲッタリング効果の低減を抑制する。
【解決手段】 シリコン基板１０１と、シリコン基板１０１上に配された、シリコン基板の厚みよりも薄いエピタキシャル層１０３とを備え、シリコン基板１０１におけるエピタキシャル層１０３に隣接する隣接部位１０２は、機械的損傷が与えられることにより生じた積層欠陥を有する。この積層欠陥はゲッタリングサイトとして機能する。したがって、エピタキシャル層１０３の表面に素子活性領域を形成することとすれば、素子活性領域とゲッタリングサイトとの距離を短縮することができ、熱処理が短時間化かつ低温化したとしてもゲッタリング効果の低減を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】端面処理の粗さに起因して発生する不良を低減することができるウェーハの端面
処理方法を提供する。
【解決手段】複数の平板状のウェーハ１を積層し、仮接着剤２により各ウェーハ１間を接
着して積層ブロック１０を形成する積層ブロック化工程と、積層ブロック化工程により積
層した積層ブロック１０の四方側面をラッピングするラッピング工程と、ラッピング工程
によりラッピングした積層ブロック１０の四方側面を所定のエッチング液３１によりエッ
チングするエッチング工程と、エッチング工程によりエッチングした積層ブロック１０か
ら仮接着剤２を除去して各ウェーハ１を剥離する剥離工程とからなる。 （もっと読む）