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Fターム[4G077GA01]の内容

結晶、結晶のための後処理 (61,211) | 結晶の物理的、化学的性質等の評価、決定 (430) | 不純物濃度、濃度分布の (78)

Fターム[4G077GA01]に分類される特許

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【課題】凝固偏析により金属融液から得られた精製塊中の不純物濃度を簡易にスクリーニングし得る金属精製塊の検査方法、それを含む高純度金属の製造方法およびその用途を提供することを課題とする。
【解決手段】不純物を含む金属融液に精製塊支持体を接触させ、次いで凝固偏析により前記精製塊支持体の表面に析出させた前記金属融液の金属精製塊に含まれる不純物濃度により規定される前記金属精製塊の良または不良を、前記金属精製塊外周面の表面状態に基づいて検査することを特徴とする金属精製塊の検査方法により、上記の課題を解決する。 (もっと読む)


【課題】非極性面及び/又は半極性面を主面とする下地基板上でのエピタキシャル成長によって得られる周期表第13族金属窒化物半導体結晶において、吸光係数が小さく、デバイスに好適に用いることができ、さらに結晶内のドーパント濃度が制御された高品質な半導体結晶を提供すること、並びにかかる半導体結晶を製造することができる製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】
不純物に起因した酸素ドーピングを抑制し、O濃度よりもSi濃度を高めることによって、ドーパント濃度の精密な制御がなされていて、さらに吸光係数が小さくデバイスに好適な高品質な周期表第13族金属窒化物半導体結晶を提供することができる。 (もっと読む)


【課題】ホモエピタキシャルLED、LD、光検出器又は電子デバイスを形成するために役立つGaN基板の形成方法の提供。
【解決手段】約10/cm未満の転位密度を有し、傾角粒界が実質的に存在せず、酸素不純物レベルが1019cm−3未満の窒化ガリウムからなる単結晶基板上に配設された1以上のエピタキシャル半導体層を含むデバイス。かかる電子デバイスは、発光ダイオード(LED)及びレーザーダイオード(LD)用途のような照明用途、並びにGaNを基材とするトランジスター、整流器、サイリスター及びカスコードスイッチなどのデバイスの形態を有し得る。また、約10/cm未満の転位密度を有し、傾角粒界が実質的に存在せず、酸素不純物レベルが1019cm−3未満の窒化ガリウムからなる単結晶基板を形成し、該基板上に1以上の半導体層をホモエピタキシャルに形成する方法及び電子デバイス。 (もっと読む)


【課題】 結晶軸方向で結晶品質の変化を抑制する。
【解決手段】窒素がドープされたシリコン融液12から引上げられ、横断面の少なくとも中央に空孔型点欠陥が発生する領域を有し、ボトム側インゴットの外径がトップ側インゴットの外径より大きいシリコン単結晶インゴット。 (もっと読む)


【課題】単結晶炭化珪素基板における窒素原子濃度のばらつきを抑制することができる単結晶炭化珪素基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の単結晶炭化珪素基板50は、4Hのポリタイプの結晶構造を有し、1×1016個/cm3を超える原子濃度で導電型不純物として添加された窒素原子を有し、直径5cmの円を包含する主面を有する。また単結晶炭化珪素基板50はファセット領域およびノンファセット領域のいずれかのみからなる。 (もっと読む)


【課題】 高耐圧が要求されるパワーデバイス等に適した、酸素をほとんど含まない大口径のシリコン単結晶を製造するのに好適なシリコン単結晶の製造方法と、シリコン単結晶ウェーハを提供する。
【解決手段】 チョクラルスキー法により育成されたシリコン単結晶ウェーハであって、該シリコン単結晶ウェーハは、酸素濃度が1×1017atoms/cm(ASTM79)以下で、かつ抵抗率面内分布が10%以内であることを特徴とするシリコン単結晶ウェーハ及びシリコン単結晶の製造方法であって、チョクラルスキー法によって原料融液からシリコン単結晶を引き上げる際に、少なくとも、前記原料融液を保持するルツボに、シリコンより融点が高く組成に酸素原子を含まない材質で構成されたルツボを用い、かつ前記原料融液の対流を抑制するための磁場を印加することを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。 (もっと読む)


【課題】特性の均一性に優れた炭化珪素基板、炭化珪素インゴットおよびそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素インゴットの製造方法は、(0001)面に対して<11−20>方向または<1−100>方向のいずれかであるオフ角方向におけるオフ角が0.1°以上10°以下であり、単結晶炭化珪素からなるベース基板を準備する準備工程(S10)と、ベース基板の表面上に炭化珪素層を成長させる成膜工程(S20)とを備える。成膜工程(S20)では、オフ角方向においてベース基板の<0001>方向軸がベース基板の表面に対して交差する交差角度を考えたときに当該交差角度が鋭角となる側である上流側の端部において、成長した炭化珪素層の表面に(0001)ファセット面5を有する領域を形成する。 (もっと読む)


【課題】 ウェハー面内の特性の均一性や安定性、寿命に優れた化合物半導体デバイスを得るための、ドーパント濃度のウェハー面内および厚さ方向の均一性に優れた、低転位密度の燐化インジウム基板とその製造方法を提供する。
【解決手段】 結晶の成長方向が〈100〉方位になるように、結晶胴部に対する所定の断面積比を有する種結晶を成長容器下端に設置し、さらに燐化インジウム原料とドーパント及び酸化ホウ素を収容した成長容器を結晶成長炉に設置して、燐化インジウムの融点以上の温度に昇温して、酸化ホウ素と燐化インジウム原料及びドーパントを加熱溶融したのち、成長容器の温度を降下させることにより、ドーパント濃度のウェハー面内および厚み方向の均一性が良好な、低転位密度の燐化インジウム単結晶を得る。 (もっと読む)


【課題】本発明の目的は、レーザによりシリコンウェーハの表層を溶融して、結晶欠陥を消滅させた領域を確保しつつ、且つ不純物を除去したシリコンウェーハの製造方法を提供することにある。
【解決手段】本発明のシリコンウェーハの製造方法は、シリコン単結晶インゴットをウェーハ加工し、これにより得られたシリコンウェーハの表層を、パルス発振レーザを照射することにより溶融し、固化して、シリコンウェーハ表層内の結晶欠陥を消滅させる、シリコンウェーハの製造方法において、結晶欠陥の消滅深さがシリコンウェーハ表層に混入する不純物の拡散深さより深くなるようにパルス発振レーザを照射し、その後シリコンウェーハの表面から、不純物の拡散深さと結晶欠陥の消滅深さの間の深さまで、シリコンウェーハ表層を除去して不純物を取り除く。 (もっと読む)


【目的】
原子レベルで平坦な表面を有し、シリカやシリケート等の表面付着のない基板処理方法を提供する。
【解決手段】
EDTAキレート化合物とEDAとの混合溶液を用いて化合物単結晶基板の加工変質層をエッチングして除去する第1のエッチング工程と、第1のエッチング工程後、バッファードフッ酸(BHF)によりエッチングを行う第2のエッチング工程と、を有する。 (もっと読む)


【課題】波長240〜300nmの領域における紫外光の透過性に優れた窒化アルミニウム単結晶、該単結晶からなる層を有する積層体、該積層体を製造する方法、および該積層体から紫外光の透過性に優れる窒化アルミニウム単結晶を製造する方法を提供することを目的とする。
【解決手段】
酸素原子、及び炭素原子を含む窒化アルミニウム単結晶であって、酸素原子の濃度を[O]cm−3、炭素原子の濃度を[C]cm−3としたときに、下記式(1)の条件を満足することを特徴とする窒化アルミニウム単結晶。
[O]−[C] > 0 (1) (もっと読む)


【課題】微結晶シリコン膜における結晶化の程度を示す結晶化指数を容易かつ精度良く取得する。
【解決手段】結晶化指数取得装置1では、微結晶シリコン膜の理論誘電関数を複数の部分誘電関数モデルの合成として表現し、微結晶シリコン膜における結晶化の程度を示す結晶化指数κが、複数の部分誘電関数モデルのうち、結晶シリコン膜の誘電関数における虚部の高エネルギー側のピークに寄与する高エネルギーピークモデルの振幅に基づいて設定される。そして、複数の部分誘電関数モデルに含まれるパラメータ群の各パラメータを結晶化指数κにより表現し、結晶化指数κを変更することにより各パラメータの値を変更し、分光エリプソメータ3により取得された測定誘電関数に対する理論誘電関数のフィッティングが行われる。これにより、微結晶シリコン膜の結晶化指数κを容易かつ精度良く求めることができる。 (もっと読む)


【課題】IGBTに好適に用いられるCZ法により形成されたシリコンウェーハ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法により格子間酸素濃度[Oi]が7.0×1017atoms/cm以下であるシリコンインゴットを形成し、該シリコンインゴットに中性子線を照射してリンをドープしてからウェーハを切り出し、該ウェーハに対して少なくとも酸素を含む雰囲気において所定の式を満たす温度T(℃)で酸化雰囲気アニールをし、前記ウェーハの一面側にポリシリコン層または歪み層を有することを特徴とするIGBT用のシリコンウェーハの製造方法を採用する。 (もっと読む)


【課題】調査されるべきシリコン中の不純物の測定を光ルミネッセンスもしくはFTIR又はその両方を用いて行うことを可能とするための、フロートゾーン法によるシリコン中の不純物濃度の希薄化を利用した測定方を提供する。
【解決手段】調査されるべきシリコンからゾーン引き上げによって単結晶ロッドを作成し、この単結晶ロッドを、少なくとも1回の希薄化工程で、規定の炭素濃度及びドーパント濃度を有する単結晶もしくは多結晶のシリコン製のスリーブ中に導入し、そして該ロッド及びスリーブからゾーン引き上げによって希薄化されたシリコン製の単結晶ロッドを作成し、その希薄化された単結晶ロッドをもとに、調査されるべきシリコン中の不純物の測定を光ルミネッセンスもしくはFTIR又はその両方を用いて行う、シリコン中の不純物の測定方法によって解決される。 (もっと読む)


【課題】結晶シリコンインゴットの製造方法が提供される。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る製造方法は、方向性凝固法を用いてシリコン原料を溶融及び冷却するために形成された鋳型を供給し、鋳型内部にバリア層を配置し、バリア層の上に1つ以上のシリコン種結晶を配置し、シリコン種結晶の上にシリコン原料を入れ、鋳型を加熱してシリコン融液を得て、鋳型を方向性凝固法で冷却することでシリコン融液を凝固させてシリコンインゴットを得ることを含む。鋳型は、シリコン原料が完全に溶融し且つシリコン種結晶が少なくとも部分的に溶融するまで加熱される。 (もっと読む)


【課題】デバイス特性の劣化や、歩留まりの低下を抑制するため、貫通転位の転位線の方向を規定する。
【解決手段】貫通転位3の転位線の方向が揃えられ、貫通転位3の転位線の方向と[0001]c軸とが平行となるようにする。[0001]c軸方向に転位線を持つ貫通転位3は、基底面転位の転位線の方向と垂直であるため、C面内の拡張転位とはならず、積層欠陥を発生させることがない。このため、貫通転位3の転位線の方向が[0001]c軸であるSiC単結晶基板に対して電子デバイスを形成すれば、デバイス特性は良好となり、劣化が無く、歩留まりも向上したSiC半導体装置とすることができる。 (もっと読む)


【課題】 半導体リソグラフィー装置の光学系に用いるレンズ、プリズム、窓材等の真空紫外光を透過させて使用するフッ化カルシウム単結晶中の亜鉛不純物濃度を簡便に高精度で評価する。
【解決手段】 フッ化カルシウム単結晶の透過スペクトルを測定し、前記透過スペクトルにおける、亜鉛不純物濃度を評価するための基準透過率となる吸収波長を、該透過スペクトルにおける吸収波長が120〜200nmの範囲から決定し、該吸収波長の変化により、前記フッ化カルシウム単結晶中の亜鉛不純物濃度を決決定する。この方法により高度な分析技術の必要なICP質量分析等の精密化学分析に比べて、非破壊で、短時間かつ簡便に亜鉛不純物濃度を評価することができる。 (もっと読む)


【課題】シリコンから成る半導体ウェハを、高い歩留りで、かつ経済的な引き上げ速度で製造する。
【解決手段】増大する直径を有する円錐状セクションと、少なくとも450mmの直径とるつぼに含まれた融液から少なくとも800mmの長さとを有する隣接する円筒状セクションとを備える単結晶を、円錐状セクションから円筒状セクションへの移行部を引き上げる過程において、円筒状セクションの引上げ中の平均引上げ速度よりも少なくとも1.8倍高い引上げ速度で引き上げ、成長する単結晶を少なくとも20kWの冷却電力で冷却し、るつぼの側壁から成長する単結晶に熱を供給し、成長する単結晶を包囲する熱シールドと融液の表面との間に、少なくとも70mmの高さを有する間隙が存在しており、円筒状セクションから半導体ウェハをスライスし、複数の半導体ウェハが、半導体ウェハの中心から半導体ウェハのエッジまで延びた、v−欠陥を備えた領域を有している。 (もっと読む)


化学気相堆積(CVD)を用いて製造される単結晶ダイヤモンド材料、特に、レーザーのような光学的用途における使用に適する特性を有するダイヤモンド材料が、開示される。特に、室温で測定した場合に、最長長さ内部寸法、複屈折及び吸収係数の好ましい特性を有するCVD単結晶ダイヤモンド材料が、開示される。ラマンレーザーを含めて、前記ダイヤモンド材料の使用、及び前記ダイヤモンドの製造方法もまた開示される。 (もっと読む)


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