【課題】歩留まりを向上することができる炭化珪素半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素半導体装置１００の製造方法は以下の工程を有する。第１の主表面１との第２の主表面２とを有する炭化珪素基板８０が準備される。第１の主表面１に電極が形成される。炭化珪素基板８０は六方晶の結晶構造を有し、第１の主表面１の｛０００１｝面に対するオフ角が±８°以内であり、第１の主表面１は、炭化珪素のバンドギャップ以上のエネルギーを有する励起光が照射された場合に、第１の主表面１に生ずる７５０ｎｍ以上の波長域における発光領域３の密度が１×１０⁴cm^-2以下であるような特性を有する。 （もっと読む）

【課題】アモノサーマル法で成長させたアズグロウン状態の窒化物単結晶の結晶品質をそのままの状態で評価できるようにすること。
【解決手段】反応容器内で成長温度を５００℃以上にして窒化物単結晶を成長させた後に、成長温度から降温しながら窒化物単結晶に対して表面処理を施し、表面処理が施された窒化物単結晶の表面を評価する。 （もっと読む）

【課題】特性の均一性に優れた炭化珪素基板、炭化珪素インゴットおよびそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素インゴットの製造方法は、（０００１）面に対してオフ角が１０°以下であり、単結晶炭化珪素からなるベース基板１を準備する工程と、ベース基板１の表面上に炭化珪素層を成長させる工程とを備える。炭化珪素層を成長させる工程では、炭化珪素層の成長方向側から見たときの幅方向における温度勾配を２０℃／ｃｍ以上とする。このようにすれば、得られた炭化珪素インゴットはその成長最表面９について中央部を含むほぼ全面がファセット面５になっているため、外周端部のみを研削することで全面がファセット面５となった炭化珪素インゴットを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】ＯＳＦ領域の位置や広さを指標とすることなく引き上げ速度の制御方向を判断することによって、後続の引き上げの速度プロファイルをフィードバック調整する。
【解決手段】ＣＺ法によってＣＯＰ及び転位クラスタを含まないシリコン単結晶インゴットを育成し、シリコン単結晶インゴットからシリコンウェーハ４０を切り出し、as-grown状態のシリコンウェーハ４０に対して反応性イオンエッチングを施すことにより、酸化シリコンを含むgrown-in欠陥をエッチング面上の突起として顕在化させる。顕在化した突起発生領域４６に基づいて、後続の育成工程における育成条件を、エッチング工程にて突起が発生する領域の面積がシリコンウェーハの面積の１％以上５％以下となるように調整する。 （もっと読む）

【課題】優れた特性のデバイスを安定して製造することが可能な炭化珪素基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素基板８０は、炭化珪素の単結晶からなり、幅が１００ｍｍ以上、マイクロパイプ密度が７ｃｍ^-2以下、貫通螺旋転位密度が１×１０⁴ｃｍ^-2以下、貫通刃状転位密度が１×１０⁴ｃｍ^-2以下、基底面転位密度が１×１０⁴ｃｍ^-2以下、積層欠陥密度が０．１ｃｍ^-1以下、導電性不純物濃度が１×１０¹⁸ｃｍ^-2以上、残留不純物濃度が１×１０¹⁶ｃｍ^-2以下、Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ Ｐｈａｓｅ Ｉｎｃｌｕｓｉｏｎｓが１個・ｃｍ^-3以下である。 （もっと読む）

【課題】転位密度が少なく高品質な１３族窒化物結晶基板に供することが可能であるバルク結晶を製造するための種結晶を提供することを目的とする。
【解決手段】本実施形態の窒化ガリウム結晶は、六方晶の窒化ガリウム結晶のｃ軸を横切る断面において、断面内側の第１領域と、前記第１領域の外周の少なくとも一部を覆う第２領域とを有し、前記第１領域の電子線または紫外光による発光スペクトルにおいて、窒化ガリウムのバンド端発光を含む第１ピークの強度が、前記第１ピークより長波長側の第２ピークの強度より小さく、前記第２領域の前記発光スペクトルにおいて、前記第１ピークの強度が前記第２ピークの強度より大きいことを特長とする。 （もっと読む）

【課題】単結晶ダイヤモンドと多結晶ダイヤモンドの双方の利点を活かしながら、更に板状の構造を可能にするために、多結晶ダイヤモンドの研磨の困難性も回避し、研磨が容易なダイヤモンド複合体を提供すること。
【解決手段】少なくとも２種類の結晶性の異なる結晶からなる構造の複合体であり、その内の第一の結晶は高圧合成法により合成した単結晶ダイヤモンドか、あるいは気相合成法により合成した単結晶ダイヤモンドであり、第二の結晶は欠陥を面内に周期的なパターン形状で含む気相合成法により合成したダイヤモンドであり、該第一の結晶及び第二の結晶はいずれも、主面が平行になるように層状に形成されていることを特徴とするダイヤモンド複合体。 （もっと読む）

【課題】窒化物系化合物をエピタキシャル成長する際に、不規則な反りが発生しない大口径サファイア単結晶基板を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法により、サブグレインや気泡のない直胴部の直径が１５０ｍｍ以上のｃ軸方位サファイア単結晶体を育成し、これを水平方向に切断・基板加工することにより、平面方向の応力分布が同心円状を呈した６インチ以上の大口径サファイア単結晶基板を得る。この基板は窒化物系化合物をエピタキシャル成長する際に発生する基板の反りが規則的な碗型であり、窒化物系化合物の膜厚や膜組成を容易に均一に制御できるため、ＬＥＤの歩留まり向上に優れた効果が得られる。 （もっと読む）

【課題】微細な構造を有する窒化物半導体結晶を広い範囲にわたって的確かつ簡便に測定できる方法を提供する。
【解決手段】分光結晶による発散角が１０arcsec以下であり、単色性が４．０×１０^-4以下であるビームを窒化物半導体結晶表面に照射してその反射光強度を検出器の各ピクセルごとに検出するステップを、ビームの窒化物半導体結晶表面に対する入射角を変えながら、Ｘ線トポグラフ像の強度が０超になる開始角度から０以下になる終了角度までの間を少なくとも１０点以上について実施し、それによって得られた入射角と検出光強度の関係から各ピクセルごとのロッキングカーブを得て；窒化物半導体結晶を測定面内において１８０°回転させた後に同じ測定を繰り返し；得られた各ピクセルごとのロッキングカーブから、窒化物半導体結晶表面における結晶面の傾きのずれ（Δθ）と結晶面間隔の伸縮（Δｄ／ｄ）を分解して算出する。 （もっと読む）

【課題】高い透明度を保持し、屈折率が高く、複屈折性が小さいという光学的な特性を有し、電気的絶縁性に優れ、各種基材に密着性良くコーティングでき、かつ低温での形成が可能な炭素膜を提供するプラズマＣＶＤ装置を提供すること。
【解決手段】本発明のプラズマＣＶＤ装置は、結晶欠陥が、六方晶ダイヤモンド及び積層欠陥を備える積層体を製造するための表面波プラズマＣＶＤ装置であり、前記表面波プラズマＣＶＤ装置は、試料台と、試料台上の冷却ステージと、表面波プラズマ源とを備え、該表面波プラズマ源を制御して反応器内のガス圧力を５×１０^１から５×１０^２Ｐａに設定し、かつ試料台と冷却ステージと密着させ、前記基板と該表面波プラズマ源との距離を調節して基板温度を４５０℃以下に設定する。 （もっと読む）

【課題】チャンバ内の部材の材料片を起点とする三角欠陥の面密度が低いＳｉＣエピタキシャルウェハ及びその製造方法、並びにＳｉＣエピタキシャルウェハの製造装置を提供する。
【解決手段】本発明のＳｉＣエピタキシャルウェハは、オフ角を有するＳｉＣ単結晶基板上にＳｉＣエピタキシャル層を有するＳｉＣエピタキシャルウェハであって、前記ＳｉＣエピタキシャル層に存在する、チャンバ内の部材の材料片を起点とする三角欠陥の面密度が０．５個／ｃｍ^２以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 レーザー照射により結晶の内部に損傷が生じた有機光学結晶の損傷を修復する方法を提供する。
【解決手段】 スチルバゾリウム誘導体からなる有機光学単結晶を、不活性ガス中で有機光学単結晶の融点以下かつ結晶分子の自由度が高まる温度以上の範囲でアニーリング処理することにより、レーザー照射により結晶の内部に損傷が生じた有機光学結晶の損傷を修復する修復方法により、テラヘルツ波の発生時間が向上した有機光学単結晶を安定して容易にかつ簡便に提供することができる。 （もっと読む）

【課題】故意にミスカットした基板を用いることにより、半極性（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ、Ｂ）ＮまたはＩＩＩ族窒化物および該結晶の成長方向に垂直な表面からなる結晶である。
【解決手段】具体的には、結晶は、（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｂ）ＮまたはＩＩＩ族窒化物および該結晶の成長方向に垂直な表面からなる結晶であって、該表面は少なくとも幅１０μｍであり、半極性方位を有し、 該結晶はｘ線回折により測定される半値全幅（ＦＷＨＭ）が０．５５°未満であるロッキング・カーブにより特徴づけられる結晶品質を有することを特徴とする結晶を提供する。 （もっと読む）

【課題】特定の一部の領域にのみ加工歪みが存在する場合であっても、短時間で容易に歪みを評価することのできる方法による評価の結果合格した窒化ガリウム基板、その窒化ガリウム基板を含む発光素子もしくは電界効果トランジスタ、及びそのガリウム基板上に結晶を成長させるエピタキシャル膜の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様によれば、窒化ガリウム基板１のバンドギャップに対応する波長のフォトルミネッセンスピーク強度を、窒化ガリウム基板１の表面の測定範囲３内において１ｍｍ×１ｍｍの正方形の測定領域２ごとに測定したときの、全測定領域２におけるフォトルミネッセンスピーク強度の最小値が平均値の４５％以上であり、測定領域２は測定範囲３内に隙間無く連続する、窒化ガリウム基板１が提供される。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、ＬＰＤが極限まで低減され、検査工程及び出荷段階で不良品発生率が低いシリコンウェーハを、歩留まり良く製造できる方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明では、ＣＺ法により育成された無欠陥シリコン単結晶からシリコンウェーハを製造する方法であって、
前記無欠陥シリコン単結晶からスライスされ、鏡面研磨されたシリコンウェーハを準備した後に、
前記鏡面研磨されたシリコンウェーハを、５００℃以上６００℃以下の温度で、４時間以上６時間以下の時間で熱処理する熱処理工程と、
前記熱処理工程後のシリコンウェーハを、研磨量が１．５μｍ以上となるように再研磨する再研磨工程とを行うことを特徴とするシリコンウェーハの製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】特性の均一性に優れた炭化珪素基板、炭化珪素インゴットおよびそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素インゴットの製造方法は、（０００１）面に対して＜１１−２０＞方向または＜１−１００＞方向のいずれかであるオフ角方向におけるオフ角が０．１°以上１０°以下であり、単結晶炭化珪素からなるベース基板を準備する準備工程（Ｓ１０）と、ベース基板の表面上に炭化珪素層を成長させる成膜工程（Ｓ２０）とを備える。成膜工程（Ｓ２０）では、オフ角方向においてベース基板の＜０００１＞方向軸がベース基板の表面に対して交差する交差角度を考えたときに当該交差角度が鋭角となる側である上流側の端部において、成長した炭化珪素層の表面に（０００１）ファセット面５を有する領域を形成する。 （もっと読む）

【課題】基底面転位が高度に配向しているＳｉＣ単結晶、並びに、このようなＳｉＣ単結晶から製造されるＳｉＣウェハ及び半導体デバイスを提供すること。
【解決手段】基底面転位の直線性が高く、基底面転位が結晶学的に等価な３つの＜１１−２０＞方向に配向している１又は２以上の配向領域を有するＳｉＣ単結晶、並びに、このようなＳｉＣ単結晶から製造されるＳｉＣウェハ及び半導体デバイス。このようなＳｉＣ単結晶は、｛０００１｝面最上位部側のオフセット角が小さく、かつオフセット方向下流側のオフセット角が大きい種結晶を用い、この種結晶の上に新たな結晶を成長させることにより製造することができる。 （もっと読む）

【目的】
原子レベルで平坦な表面を有し、シリカやシリケート等の表面付着のない基板処理方法を提供する。
【解決手段】
ＥＤＴＡキレート化合物とＥＤＡとの混合溶液を用いて化合物単結晶基板の加工変質層をエッチングして除去する第１のエッチング工程と、第１のエッチング工程後、バッファードフッ酸（ＢＨＦ）によりエッチングを行う第２のエッチング工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＯ系化合物半導体結晶の加工変質層による欠陥と、結晶固有の欠陥の双方を正確に検出する方法を提供する。
【解決手段】フッ化水素酸（ＨＦ）を用いてＺｎＯ系化合物結晶の表面をエッチングする工程と、ＺｎＯ系化合物結晶の表面に形成されるエッチピットを検出する検出工程を有する。検出工程は、エッチピットの各々が錐形状ピット及び錐台形状ピットのいずれであるかを判別する判別工程を含み、さらに、錐台形状ピットのエッチピット密度を算出する工程を含む。 （もっと読む）