【課題】デバイス製造のために改善された特性が与えられているＳｉＣバルク単結晶を製造する方法及び単結晶ＳｉＣ基板を提供する。
【解決手段】ＳｉＣバルク単結晶を製造する方法において、成長坩堝３の結晶成長領域にＳｉＣ成長気相が生成され、中心縦軸を有するＳｉＣバルク単結晶をＳｉＣ成長気相からの堆積によって成長させ、このとき堆積は成長しているＳｉＣバルク単結晶の成長境界面のところで行われ、ＳｉＣ成長気相が、少なくとも部分的に、成長坩堝の備蓄領域にあるＳｉＣソース材料から供給され、窒素、アルミニウム、バナジウム及びホウ素からなる群に属する少なくとも１つのドーピング物質を含んでおり、結晶成長領域はＳｉＣ表面区画と炭素表面区画とによって区切られ、ＳｉＣ表面区画割合を炭素表面区画割合によって除算することで得られるＳｉＣ／Ｃの面積比率が常に１よりも小さい値を有するように選択され、最初に注入される前記ＳｉＣソース材料で２０％から４０％の間の過剰炭素が供給される。 （もっと読む）

【課題】ホモエピタキシャルＬＥＤ、ＬＤ、光検出器又は電子デバイスを形成するために役立つＧａＮ基板の形成方法の提供。
【解決手段】約１０^４／ｃｍ^２未満の転位密度を有し、傾角粒界が実質的に存在せず、酸素不純物レベルが１０^１９ｃｍ^−３未満の窒化ガリウムからなる単結晶基板上に配設された１以上のエピタキシャル半導体層を含むデバイス。かかる電子デバイスは、発光ダイオード（ＬＥＤ）及びレーザーダイオード（ＬＤ）用途のような照明用途、並びにＧａＮを基材とするトランジスター、整流器、サイリスター及びカスコードスイッチなどのデバイスの形態を有し得る。また、約１０^４／ｃｍ^２未満の転位密度を有し、傾角粒界が実質的に存在せず、酸素不純物レベルが１０^１９ｃｍ^−３未満の窒化ガリウムからなる単結晶基板を形成し、該基板上に１以上の半導体層をホモエピタキシャルに形成する方法及び電子デバイス。 （もっと読む）

【課題】故意にミスカットした基板を用いることにより、半極性（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ、Ｂ）ＮまたはＩＩＩ族窒化物および該結晶の成長方向に垂直な表面からなる結晶である。
【解決手段】具体的には、結晶は、（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｂ）ＮまたはＩＩＩ族窒化物および該結晶の成長方向に垂直な表面からなる結晶であって、該表面は少なくとも幅１０μｍであり、半極性方位を有し、 該結晶はｘ線回折により測定される半値全幅（ＦＷＨＭ）が０．５５°未満であるロッキング・カーブにより特徴づけられる結晶品質を有することを特徴とする結晶を提供する。 （もっと読む）

【課題】被処理体のエッチング量をより正確に把握することが可能なエッチング装置及びエッチング方法を提供する。
【解決手段】処理槽１１では、ＡＴカットの水晶からなる被処理体９をエッチング溶液でエッチングする処理が行われ、ＡＴカットの水晶片３１の両面に互いに対向するように励振電極３２、３３を設けると共に、これらの面の少なくとも一部に露出領域を設けたエッチングセンサ３は、この露出領域の水晶がエッチングされるように前記処理槽１１に配置される。発振回路２２は、このエッチングセンサ３の励振電極３２、３３に接続され、前記露出領域の水晶片の厚さに対応する周波数信号を取得し、演算部４は発振回路２２から取得した周波数信号の周波数の変化に基づき、前記処理槽１１内の被処理体９のエッチング量を算出する。 （もっと読む）

【課題】酸液による酸洗工程の後の水洗工程において、酸液の除去の完了を簡単に、かつ、精度良く判断することが可能な多結晶シリコンの洗浄装置を提供する。
【解決手段】酸液に対して耐食性を有する合成樹脂で構成され、塊状の多結晶シリコンを収容するバスケットと、酸液による酸洗工程後の多結晶シリコンを前記バスケットに収容したままの状態で純水中に浸漬させるための水洗槽と、純水を前記水洗槽から排出する純水排出手段と、前記水洗槽に新たな純水を供給する純水供給手段と、前記水洗槽内に貯留された純水の電気伝導度を測定する電気伝導度測定手段と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】所望の抵抗率の半導体ウェーハを効率よく提供するために、インゴットの状態で抵抗率を測定し、それに基づいて、無駄のない効率的な半導体ウェーハを製造する製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶インゴットから半導体ウェーハを製造する方法において、前記単結晶インゴットの側面における成長軸方向の抵抗率分布を測定し、所望の抵抗率を示す所望抵抗率位置を特定して、所定の長さのブロックを切り出し、これから半導体ウェーハをスライスする。この成長軸方向の抵抗率は、いわゆる４探針法による抵抗率測定方法を適用することができる。 （もっと読む）

【課題】デバイス製造のために改善された特性が与えられているＳｉＣバルク単結晶を製造する方法及び単結晶ＳｉＣ基板を提供する。
【解決手段】ＳｉＣバルク単結晶２を製造する方法において、成長坩堝３の結晶成長領域５にＳｉＣ成長気相９が生成され、中心縦軸１４を有するＳｉＣバルク単結晶２をＳｉＣ成長気相９からの堆積によって成長させ、このとき堆積は成長しているＳｉＣバルク単結晶２の成長境界面１６のところで行われ、ＳｉＣ成長気相９が、少なくとも部分的に、成長坩堝３の備蓄領域４にあるＳｉＣソース材料６から供給され、窒素、アルミニウム、バナジウム及びホウ素からなる群に属する少なくとも１つのドーピング物質を含んでいる。結晶成長領域５はＳｉＣ表面区画と炭素表面区画とによって区切られ、ＳｉＣ表面区画割合を炭素表面区画割合によって除算することで得られるＳｉＣ／Ｃの面積比率が常に１よりも小さい値を有するように選択される。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャルウェーハにミスフィット転位が発生するか否かを適切に判断できるエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】ウェーハの抵抗率及び成長させるエピタキシャル層の厚さと、ミスフィット転位の発生有無との関係を特定し、所望する抵抗率及びエピタキシャル層の厚さの指定を受け付け（ステップＳ１）、ミスフィット転位が発生するか否かを判定し（ステップＳ２）、発生すると判定した場合に、ゲルマニウムと赤燐をドープすることにより所望の抵抗率となるウェーハのためのシリコンインゴットを生成し（ステップＳ４）、ウェーハを切り出し（ステップＳ７）、受け付けたエピタキシャル層の厚さ以下のエピタキシャル層を形成する（ステップＳ９）。 （もっと読む）

【課題】シリコンから成る半導体ウェハを、高い歩留りで、かつ経済的な引き上げ速度で製造する。
【解決手段】増大する直径を有する円錐状セクションと、少なくとも４５０ｍｍの直径とるつぼに含まれた融液から少なくとも８００ｍｍの長さとを有する隣接する円筒状セクションとを備える単結晶を、円錐状セクションから円筒状セクションへの移行部を引き上げる過程において、円筒状セクションの引上げ中の平均引上げ速度よりも少なくとも１．８倍高い引上げ速度で引き上げ、成長する単結晶を少なくとも２０ｋＷの冷却電力で冷却し、るつぼの側壁から成長する単結晶に熱を供給し、成長する単結晶を包囲する熱シールドと融液の表面との間に、少なくとも７０ｍｍの高さを有する間隙が存在しており、円筒状セクションから半導体ウェハをスライスし、複数の半導体ウェハが、半導体ウェハの中心から半導体ウェハのエッジまで延びた、ｖ−欠陥を備えた領域を有している。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェーハ上の高濃度にドープされたエピタキシャル層の抵抗率であっても、従来に比べて正確且つ容易に測定することができるエピタキシャル層の抵抗率の測定方法を提供する。
【解決手段】シリコン単結晶ウェーハ上に形成されたエピタキシャル層の抵抗率を測定する方法であって、少なくとも、エピタキシャル成長装置に、モニターウェーハとしてＳＯＩウェーハを投入し、該ＳＯＩウェーハのＳＯＩ層上に、前記シリコン単結晶ウェーハの主表面に成長させるエピタキシャル層の成長条件と同一条件でモニターエピタキシャル層を成長させ、その後、前記モニターエピタキシャル層の膜厚及び抵抗値を測定して前記モニターエピタキシャル層の抵抗率を算出し、該算出された抵抗率を、前記シリコン単結晶ウェーハの主表面に成長させる前記エピタキシャル層の抵抗率とすることを特徴とするエピタキシャル層の抵抗率測定方法。 （もっと読む）

【課題】充分な電子デバイス特性が得ることのできる高品質な基板用ＧａＮ系半導体自立基板を提供する。
【解決手段】ＧａＮ系半導体からなる自立基板であって、前記自立基板の表面に直接Ｎｉを金属電極としてショットキーダイオードを形成した場合、電流−電圧特性における理想因子ｎ値が１以上１．３以下となることを特徴とする自立基板。好ましくは、前記ショットキーダイオードを形成した場合、逆方向電圧−５Ｖ印加時の電流値が、熱電界放出モデルおよび熱電子放出モデルの計算値の和として計算した理論電流値の５０倍以下となることを特徴とする自立基板。 （もっと読む）

砒化ガリウム出発原料を溶融し、次いで砒化ガリウム溶融物を凝固させることによって、ドープされた砒化ガリウム単結を製造する方法であって、前記砒化ガリウム溶融物は、化学量論的組成に対して過剰なガリウムを含み、前記溶融物又は得られる結晶のホウ素濃度は、少なくとも５ｘ１０^１７ｃｍ^−３である方法が開示される。このように得られた結晶は、特に近赤外線の範囲において、低転位密度や高導電性、更に優れた低光吸収性を独自に組み合わせた特徴を有する。
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【課題】シリコン単結晶の金属汚染の要因となる引き上げ装置の金属不純物の発生状況を確実に把握できるシリコン単結晶の金属汚染評価方法を提供する。
【解決手段】引き上げ軸７とルツボ２との間に電圧の印加が可能な引き上げ装置を用いてＣＺ法によりシリコン単結晶９を育成する際、シリコン単結晶９の非製品部である直胴部９ｂの下端部またはテイル部９ｃを育成する過程で、引き上げ軸７を負極としルツボ２を正極として電圧印加を行う。この電圧印加を伴って育成された直胴部９ｂの下端部またはテイル部９ｃからサンプルウェーハ１５を採取し、このサンプルウェーハ１５の金属汚染を評価する。サンプルウェーハ１５は、金属不純物の濃度が高く、金属汚染の評価を十分に行うことができる。このような金属汚染評価を、順次育成するシリコン単結晶９ごとに行う。 （もっと読む）

【課題】酸素ドナーのような不純物を含み、不純物濃度の高いシリコン原料（リサイクル原料）であっても、所望の（制御された）電気抵抗率を有するシリコンインゴットを容易に、かつ優れた量産安定性をもって得ることができる製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】不純物を含むシリコン原料の電気抵抗率を測定し、得られた電気抵抗率の測定値に応じて、該シリコン原料を分類する工程および前記電気抵抗率の測定値に応じて、ボロン（Ｂ）の添加量を算出してボロン（Ｂ）を含む材料をシリコン原料に添加する工程を含む、制御された電気抵抗率を有するシリコン単結晶インゴットを融液成長法により製造することを特徴とするシリコン単結晶インゴットの製造方法により、上記の課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】単結晶シリコンウエハの母集団のゲート酸化物完全性を評価する方法の提供。
【解決手段】単結晶シリコンウエハの母集団の第１のサブセットの絶縁破壊特性を、第１のサブセットに適用されるストレスの程度の関数として測定し、その場合のストレスの程度は初期値から最終値へ第１の割合で増大させる工程、前記母集団の第２のサブセットの絶縁破壊特性を、第２のサブセットに適用されるストレスの程度の関数として測定し、その場合のストレスの程度は初期値から最終値へ第２の割合で増大させ、及び第２の割合は第１の割合とは異なっている工程、並びに前期２つの工程において測定した絶縁破壊特性を用いて、その母集団について規定される条件下でのゲート酸化物故障率を予測する工程を含んでなる方法。 （もっと読む）

【課題】研磨されない半導体ディスクの表面品質を改善し、その上に製造される素子の、より小さな線幅を可能にする。
【解決手段】研磨されない半導体ディスクを製造する方法が以下のステップ、すなわち：（ａ）半導体材料から単結晶を成長させ、（ｂ）該単結晶を円筒研削し、（ｃ）該単結晶から半導体ディスクを切断し、（ｄ）該半導体ディスクのエッジを丸み付けし、（ｅ）該半導体ディスクの少なくとも片面を表面研削し、（ｆ）該半導体ディスクをエッチング媒体により処理し、（ｇ）該半導体ディスクを最終的にクリーニングするというステップを有しているようにした。 （もっと読む）

【課題】簡便に微小な結晶欠陥の存在する領域を検出することが可能なシリコンウェーハの表面欠陥評価方法を提供する。
【解決手段】本発明のシリコンウェーハの表面欠陥評価方法は、シリコン単結晶インゴットから切出されたシリコンウェーハに対して窒化雰囲気下、１０〜１５０℃／秒の昇温速度で室温から１１７０℃以上シリコン融点未満の温度まで加熱処理し、処理温度で１〜１２０秒間保持した後に、１０〜１００℃／秒の降温速度で室温まで冷却する急速熱処理工程と、ウェーハ表面を表面光起電力法を用いて少数キャリア拡散長を算出することにより、ウェーハ表面の少なくともパーティクルカウンタでは検出することができない小さなＣＯＰが存在する領域を検出する工程とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 抵抗率が０．０２５〜０．００８Ωｃｍでエピタキシャル層を成長させた場合に発生するエピタキシャル欠陥の少ないシリコンウェーハが得られるシリコン単結晶の育成方法を提供する。
【解決手段】 ＣＺ法によりシリコン単結晶を育成する方法であって、水素を含む不活性雰囲気中で結晶中の抵抗率が０．０２５〜０．００８Ωｃｍとなるようにドーパンドを添加するとともに、炭素を添加してシリコン単結晶を引き上げるシリコン単結晶育成方法とする。 （もっと読む）

本発明は、平均抵抗率１０００Ω・ｃｍ以上のシリコン単結晶基板を製造する方法であって、ＦＺ法により窒素を添加しながらシリコン単結晶インゴットを育成し、該育成したインゴットを切断してシリコン単結晶基板を作製し、該作製した基板に、９００〜１２５０℃の温度で１０〜１２０分の熱処理を行うことを特徴とするシリコン単結晶基板の製造方法及び該熱処理を行った後、前記作製した基板の抵抗率及び／又は面内抵抗率分布を測定することを特徴とするシリコン単結晶基板の抵抗特性測定方法及び保証方法である。これにより、窒素を添加した１０００Ω・ｃｍを超える高抵抗率シリコン単結晶基板において、半導体素子製造工程中に熱処理を行っても抵抗率が大きく変化しないシリコン単結晶基板の製造方法及びシリコン単結晶基板製品の正確な抵抗特性保証を行うことを可能にするシリコン単結晶基板の抵抗特性測定方法及び抵抗特性保証方法が提供される。
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【課題】 面積が広く反りが少なく自立できるＧａＮ単結晶基板を提供すること。
【解決手段】 ＧａＡｓ（１１１）基板の上に千鳥型窓やストライプ窓を有するマスクを形成し、ＨＶＰＥ法またはＭＯＣ法により低温でＧａＮバッファ層を形成し、ＨＶＰＥ法により高温でＧａＮエピタキシャル層を厚く形成し、ＧａＡｓ基板を除去する。ＧａＮの自立膜を種結晶としてＨＶＰＥ法でＧａＮを厚付けしＧａＮインゴットを作る。これをスライサーによって切断して透明無色の反りの少ないＧａＮウエハを作る。 （もっと読む）