Fターム[4G077HA00]の内容
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Fターム[4G077HA00]に分類される特許
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フッ化金属単結晶のアニール方法
【課題】 次世代光リソグラフィー技術用の光学材料として有用である、歪み(複屈折)が小さく、かつ透過率やコントラストの低下原因となる微小ボイド(濁りや曇りとして観察される)もほとんどないフッ化金属単結晶を効率よく製造する。
【解決手段】 融点がXmelt℃であるフッ化金属単結晶をCF4等のフッ素系ガス雰囲気下にアニールし、かつ、該フッ素系ガスのアニール炉内への導入を(Xmelt−300)℃以上、好ましくは(Xmelt−250)℃以上、さらには(Xmelt−200)℃以上、特に(Xmelt−150)℃以上の温度で行う。例えば、融点が1420℃であるフッ化カルシウム単結晶をアニールする場合、1120℃以上(好ましくは1170℃以上、さらには1220℃以上、特に1270℃以上)の温度でCF4等をアニール炉内に導入する。フッ素系ガスを導入するまでは、炉内を真空排気しておくと好ましい
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