説明

Fターム[4G077HA00]の内容

結晶、結晶のための後処理 (61,211) | 用途 (7,550)

Fターム[4G077HA00]の下位に属するFターム

Fターム[4G077HA00]に分類される特許

1 - 1 / 1


【課題】 次世代光リソグラフィー技術用の光学材料として有用である、歪み(複屈折)が小さく、かつ透過率やコントラストの低下原因となる微小ボイド(濁りや曇りとして観察される)もほとんどないフッ化金属単結晶を効率よく製造する。
【解決手段】 融点がXmelt℃であるフッ化金属単結晶をCF等のフッ素系ガス雰囲気下にアニールし、かつ、該フッ素系ガスのアニール炉内への導入を(Xmelt−300)℃以上、好ましくは(Xmelt−250)℃以上、さらには(Xmelt−200)℃以上、特に(Xmelt−150)℃以上の温度で行う。例えば、融点が1420℃であるフッ化カルシウム単結晶をアニールする場合、1120℃以上(好ましくは1170℃以上、さらには1220℃以上、特に1270℃以上)の温度でCF等をアニール炉内に導入する。フッ素系ガスを導入するまでは、炉内を真空排気しておくと好ましい (もっと読む)


1 - 1 / 1