Fターム[4G077HA02]の内容
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Fターム[4G077HA02]に分類される特許
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GaAs系膜の製造方法およびそれに用いられる複合基板
周期表第13族金属窒化物結晶の製造方法
III族窒化物半導体デバイスの製造方法
III族窒化物結晶の製造方法及びIII族窒化物半導体基板の製造方法
周期表第13族金属窒化物半導体結晶の製造方法、周期表第13族金属窒化物半導体基板および周期表第13族金属窒化物半導体結晶
ドープIII−Nバルク結晶及び自立型ドープIII−N基板
窒化物結晶の製造方法
【課題】本発明は、種結晶の反りや歪が、該種結晶上に成長された結晶に及ぼす影響を低減し、大型で低転位、低歪みの窒化物結晶を製造し得る方法を提供することを課題とする。
【解決手段】本発明は、種結晶上に成長結晶をa軸方向に成長させて窒化物結晶を得る窒化物結晶の製造方法であって、成長面として実質的にA面を出現させずに前記成長結晶を前記種結晶のa軸方向に成長させることを特徴とする、窒化物結晶の製造方法に関する。
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結晶成長装置および結晶成長方法
【課題】フラックス法を用いた結晶成長装置において、実用的な大きさの結晶の均一性その他の品質を確保しつつ、結晶成長装置を小型化・簡略化する。
【解決手段】結晶の原料原子を含む液体を収容する容器と、前記液体と接する液体接触面に、弾性波を進行波として伝搬させる弾性波伝搬手段と、を有する結晶成長装置を提供する。前記液体接触面として、前記容器の内面が例示できる。前記弾性波伝搬手段が、前記容器に接して配置された圧電体を有してもよく、前記圧電体に交番電界を印加することにより、前記液体接触面に前記弾性波を伝搬させることができる。前記圧電体を複数有してもよく、前記複数の圧電体のそれぞれに印加する交番電界の位相を調整することで、前記弾性波を進行波として伝搬させることができる。
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結晶の製造方法および収納容器
【課題】結晶成長前における反応容器の耐圧性容器への収納や、結晶成長後における反応容器の耐圧性容器からの取り出しを容易化することにより、結晶製造の作業効率を向上させる。
【解決手段】反応容器2に原料5と第一溶媒を充填して密閉した後、該反応容器を収納容器7に収納して、反応容器が収納された収納容器を耐圧性容器1内に設置し、さらに該耐圧性容器と該反応容器の間の空隙に第二溶媒を充填して前記耐圧性容器を密閉した後、該反応容器中で超臨界および/または亜臨界状態において結晶成長を行うことを特徴とする、結晶の製造方法。
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周期表第13族金属窒化物半導体結晶の製造に使用する部材の選定方法、及び周期表第13族金属窒化物半導体結晶の製造方法
【課題】周期表第13族金属窒化物半導体結晶の製造に使用することができる、反応容器、撹拌翼、種結晶保持棒、種結晶保持台、バッフル、ガス導入管及びバルブ等の部材を正確かつ簡便に選定する方法、並びに部材の変質及び/又は劣化に悪影響を受けない周期表第13族金属窒化物半導体結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】部材の体積及び/又は寸法を測定し、未使用の状態からの体積変化及び/又は寸法変化を指標として、周期表第13族金属窒化物半導体結晶の製造に使用する部材を選択することにより、結晶成長に悪影響を与えない部材を正確かつ簡易的に選択することができる。前記部材の選択方法は、部材の膨張に関して、水素を取り込む影響が大きいため、反応系中に水素元素を含む成分が存在する製造方法に対して特に好適である。
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周期表第13族金属窒化物半導体結晶の製造方法
【課題】ドーピングガスの種類の制約を受けずに、キャリア濃度の均一化を図ることができる周期表第13族金属窒化物半導体結晶の製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】成長面の周縁部にドーピングガスを吹きつけながら結晶成長させることによって、結晶内のキャリア濃度が均一な周期表第13族金属窒化物半導体結晶を製造することができる。
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周期表第13族金属窒化物半導体結晶の製造方法、及び該製造方法により製造される周期表第13族金属窒化物半導体結晶
【課題】非極性面及び/又は半極性面を主面とする下地基板上でのエピタキシャル成長によって得られる周期表第13族金属窒化物半導体結晶において、吸光係数が小さく、デバイスに好適に用いることができ、さらに結晶内のドーパント濃度が制御された高品質な半導体結晶を提供すること、並びにかかる半導体結晶を製造することができる製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】
不純物に起因した酸素ドーピングを抑制し、O濃度よりもSi濃度を高めることによって、ドーパント濃度の精密な制御がなされていて、さらに吸光係数が小さくデバイスに好適な高品質な周期表第13族金属窒化物半導体結晶を提供することができる。
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周期表第13族金属窒化物半導体結晶の製造に使用する部材の再生方法、及び周期表第13族金属窒化物半導体結晶の製造方法
【課題】周期表第13族金属窒化物半導体結晶の製造に用いられる反応容器等の部材は、繰り返し及び/又は長時間の使用によって、変質及び/又は劣化が進行することがあり、交換することが必要となるが、頻繁に新しい部材に交換することとなると製造コストの増大を招くことになる。
【解決手段】変質及び/又は劣化した部材を、色彩値(L*値)及び/又は膨張率が特定
の範囲の数値になるように処理することによって、第13族窒化物半導体結晶の製造に再利用できるように部材に再生することができる。
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サファイア単結晶の製造方法及び製造装置
【課題】モリブデンルツボ内のサファイア融液への難溶解物の混入を防止する。
【解決手段】
CZ法によるサファイア単結晶の製造方法であって、サファイア原料を減圧の不活性雰囲気で熱処理することによって脱ガス処理する脱ガス工程と、サファイア原料をモリブデンルツボ14内で融解することによってサファイア融液21を得る融解工程と、サファイア融液21に浸漬した種結晶を引き上げることによってサファイア単結晶20を得る引き上げ工程とを備える。脱ガス工程では、サファイア原料の表面が500℃以上1000℃以下となるように加熱し、且つ、チャンバー11より排出される排気ガス中の酸素濃度が0.1ppm以下になるまで脱ガス処理を続ける。
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GaAsウェハ及びGaAsウェハの製造方法
【課題】大口径化しても、スリップの発生を抑制できるGaAsウェハ及びその製造方法
を提供する。
【解決手段】LEC法によりGaAs単結晶を成長する成長工程と、成長工程で得られた
GaAs単結晶をスライスしてGaAsウェハを作製するウェハ作製工程とを有するGa
Asウェハの製造方法において、成長工程では、成長工程で得られるGaAs単結晶中の
硫黄原子濃度が一様に2×1014cm−3以上となるように、原料中に硫黄を添加する
。
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サファイア単結晶の製造方法
【課題】モリブデンルツボ内のサファイア融液への難溶解物の混入を防止する。
【解決手段】
CZ法によるサファイア単結晶の製造方法であって、モリブデンルツボ14をチャンバー11内の還元性雰囲気中で熱処理し、表面の酸化膜を除去する空焼き工程と、モリブデンルツボ14にサファイア原料を投入し、これを融解することによってサファイア融液21を得る融解工程と、サファイア融液21に浸漬した種結晶を引き上げることによってサファイア単結晶20を得る引き上げ工程とを備える。還元性雰囲気は、水素濃度が10ppm以上5vol%以下の水素雰囲気とする。
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窒化ガリウム膜製造方法
【課題】本発明は、窒化ガリウム膜製造方法に関し、より詳細には、成長する窒化ガリウム膜内の欠陥を減らすことができる窒化ガリウム膜製造方法に関する。
【解決手段】このために、本発明は、基板上に、外周面に周方向溝を有する窒化ガリウムナノロッド(GaN nano rod)を成長させる窒化ガリウムナノロッド成長ステップ;及び、前記窒化ガリウムナノロッド上に窒化ガリウム膜を成長させる窒化ガリウム膜成長ステップ;を含むことを特徴とする窒化ガリウム膜製造方法を提供する。
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窒化物半導体成長用基板及びその製造方法、窒化物半導体エピタキシャル基板、並びに窒化物半導体素子
【課題】低転位密度の窒化物半導体を成長することが可能な窒化物半導体成長用基板及びその製造方法、並びに窒化物半導体成長用基板を用いて作製される窒化物半導体エピタキシャル基板及び窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】サファイア基板のC面である主面に、前記主面に対して90°未満で傾斜した側面を有する錐状または錐台状の凸部が格子状に配置して形成されており、前記主面からの前記凸部の高さが0.5μm以上3μm以下で、隣接する前記凸部間の距離が1μm
以上6μm以下であって、前記凸部の前記側面の表面粗さRMSが10nm以下である窒化物半導体成長用基板である。
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結晶積層構造体及びその製造方法
【課題】Ga2O3基板上の窒化物半導体層の上面の転位密度が低い結晶積層構造体、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】一実施の形態において、Ga2O3基板2と、Ga2O3基板2上のAlxGayInzN(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1、x+y+z=1)結晶からなるバッファ層3と、バッファ層3上の、酸素を不純物として含むAlxGayInzN(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1、x+y+z=1)結晶からなる窒化物半導体層4と、を含む結晶積層構造体1を提供する。窒化物半導体層4のGa2O3基板2側の200nm以上の厚さの領域4aの酸素濃度は、1.0×1018/cm3以上である。
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リン化ガリウム単結晶およびその製造方法
【課題】ウエハ径70mm以上の大口径で、厚さ240μm以下まで薄板化した場合でも、反り量が40μm以下となるGaP単結晶ウエハを収率よく提供する。
【解決手段】加工して得られるGaP単結晶ウエハのウエハ径LWに対する、結晶育成に用いるルツボの内径Lcの比Lc/Lwを、1.7以上1.9以下とし、引き上げ方向の結晶長1mmあたりにおける、育成中のGaP単結晶と融液の間の固液界面形状の凸度の変化量を±1.3mm以内に規制することにより、反り量が40μm以下であるGaP単結晶ウエハを90%以上の収率で得ることを可能とする。
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