【課題】加工時間が短く、工具としての寿命が長く、像形成品質が高いパターン形成型及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明に係るパターン成形型は、被加工材の表面に、凹凸を有するパターンを転写するパターン成形型であって、基材１と、基材１に中間層２、３を介して接合されたＤＬＣパターン層４ｂとで構成され、基材１が、剛性を有する金属、セラミックス、又はガラスであり、中間層２、３が、基材１及びＤＬＣパターン層４ｂとの接合性を提供し、かつ、ＤＬＣパターン層４ｂに比べ、エッチングレートが小さい層であり、ＤＬＣパターン層４ｂに、被加工材の表面に転写するパターンが形成されている。 （もっと読む）

【課題】単結晶ダイヤモンドと多結晶ダイヤモンドの双方の利点を活かしながら、更に板状の構造を可能にするために、多結晶ダイヤモンドの研磨の困難性も回避し、研磨が容易なダイヤモンド複合体を提供すること。
【解決手段】少なくとも２種類の結晶性の異なる結晶からなる構造の複合体であり、その内の第一の結晶は高圧合成法により合成した単結晶ダイヤモンドか、あるいは気相合成法により合成した単結晶ダイヤモンドであり、第二の結晶は欠陥を面内に周期的なパターン形状で含む気相合成法により合成したダイヤモンドであり、該第一の結晶及び第二の結晶はいずれも、主面が平行になるように層状に形成されていることを特徴とするダイヤモンド複合体。 （もっと読む）

【課題】炭素同位体^１２Ｃを用いて硬度を高くすることが可能となる単結晶ダイヤモンドおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶ダイヤモンドは、炭素同位体^１２Ｃの濃度が９９．９質量％以上である炭素と、炭素以外の複数の不可避不純物とで構成される。不可避不純物は、窒素と、硼素と、水素と、ニッケルとを含み、複数の不可避不純物のうち窒素、硼素、水素の合計含有量を０．０１質量％以下とする。単結晶ダイヤモンドを製造するには、まず炭素同位体^１２Ｃの濃度が９９．９質量％以上であり脱窒素処理が施された炭化水素ガスを、真空チャンバ内において、例えば１２００℃以上２３００℃以下の温度で、基材上で熱分解することで得られた炭素原料を準備し、該炭素原料を用いてダイヤモンドを合成し、該ダイヤモンドから種結晶を切り出す。この種結晶を、溶媒および炭素源とともにセル内に収容した状態で、高温高圧合成法にて種結晶から単結晶ダイヤモンドを成長させる。 （もっと読む）

【課題】主面の結晶欠陥が少ない単結晶ダイヤモンド、及び該単結晶ダイヤモンドを含むダイヤモンド複合体とその製造方法の提供。
【解決手段】少なくとも、板状の２つ以上の単結晶ダイヤモンドより構成されており、それぞれの単結晶ダイヤモンドが、それぞれの主面間に介在する接合層によって接合されてなることを特徴とするダイヤモンド複合体。前記ダイヤモンド複合体から接合層を境にして分離されたことを特徴とする単結晶ダイヤモンド。 （もっと読む）

【課題】高い透明度を保持し、屈折率が高く、複屈折性が小さいという光学的な特性を有し、電気的絶縁性に優れ、各種基材に密着性良くコーティングでき、かつ低温での形成が可能な炭素膜を提供するプラズマＣＶＤ装置を提供すること。
【解決手段】本発明のプラズマＣＶＤ装置は、結晶欠陥が、六方晶ダイヤモンド及び積層欠陥を備える積層体を製造するための表面波プラズマＣＶＤ装置であり、前記表面波プラズマＣＶＤ装置は、試料台と、試料台上の冷却ステージと、表面波プラズマ源とを備え、該表面波プラズマ源を制御して反応器内のガス圧力を５×１０^１から５×１０^２Ｐａに設定し、かつ試料台と冷却ステージと密着させ、前記基板と該表面波プラズマ源との距離を調節して基板温度を４５０℃以下に設定する。 （もっと読む）

【課題】寿命検出機構、接触検出機構を備えた工具の刃先として利用可能な、導電層を有する単結晶ダイヤモンド及び該単結晶ダイヤモンドを利用した工具の提供。
【解決手段】少なくとも一つ以上の層状の導電層が主面にほぼ平行に形成されており、該導電層は絶縁性の単結晶ダイヤモンドの内部に形成されており、該単結晶ダイヤモンドの側面まで前記導電層が貫通していることを特徴とする導電層付き単結晶ダイヤモンド。前記単結晶ダイヤモンドとそれを支える支持体とを具備し、単結晶ダイヤモンドと支持体とは導電性の接合材で接合されており、単結晶ダイヤモンドの内部に形成された導電層と支持体とは接触している接合材を介して電気的に接続されていることを特徴とする導電層付き単結晶ダイヤモンドを用いた工具。 （もっと読む）

【課題】温度の計測が可能となる特性を有する半導体多結晶ダイヤモンドおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体多結晶ダイヤモンドは、平均粒径が１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下のダイヤモンド結晶粒と、５×１０^１４／ｃｍ^３以上５×１０^１９／ｃｍ^３以下の硼素および不可避不純物とで構成され、温度が上昇した際に電気抵抗が減少する特性を有するように硼素をダイヤモンド結晶粒中に分散させる。該半導体多結晶ダイヤモンドは、気相合成で作製され硼素を５×１０^１４／ｃｍ^３以上５×１０^１９／ｃｍ^３以下含むグラファイトを、１２００℃以上２５００℃以下の温度、７ＧＰａ以上２５ＧＰａ以下の圧力で直接ダイヤモンドに変換することで得られる。 （もっと読む）

【課題】熱伝導率の優れた多結晶ダイヤモンドおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】ナノ多結晶ダイヤモンド１は、^１２Ｃあるいは^１３Ｃのいずれかの炭素同位体で実質的に構成された炭素と、炭素以外の複数の不純物とで構成され、複数の不純物の濃度がそれぞれ０．０１質量％以下であり、結晶粒径が５００ｎｍ以下である。上記ナノ多結晶ダイヤモンド１は、^１２Ｃあるいは^１３Ｃの炭素同位体の純度が９９．９質量％以上である炭化水素ガスを熱分解して得られる黒鉛に、高圧プレス装置内で熱処理を施してダイヤモンドに変換することで作製可能である。 （もっと読む）

【課題】耐欠損性を向上させることで破壊強度と耐摩耗性に優れ、かつ放電加工等の電気加工を主体とした研磨加工が可能な多結晶・単結晶の高強度ダイヤモンド膜工具やコーティング工具を提供することにある。
【解決手段】多結晶ダイヤモンド膜をコーティングした工具、もしくはおよび単結晶ダイヤモンド工具において、気相法による膜状ダイヤモンドにボロンをドーピングすることで破壊強度を向上させたことにある。 （もっと読む）

【課題】大型で且つ１５００℃以上の高温においても高い強度を有する酸化物共晶体を効率よく製造できる酸化物共晶体の製造方法を提供する。
【解決手段】２種以上の酸化物の融液１３を収容するルツボ３内に設置したダイ１を用いて酸化物共晶体を製造する酸化物共晶体の製造方法であって、ダイ１が融液１３を吸い上げる２以上の経路２を有し、２以上の経路２によって吸い上げられた融液１３を合体させ、合体させた融液１３に種結晶を接触させて引き上げることにより酸化物共晶体を得る酸化物共晶体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】合成ダイヤモンド並びに合成単結晶ダイヤモンドを調製及び使用する方法を提供する。
【解決手段】化学気相成長によって形成される１つ又は複数の単結晶ダイヤモンド層を有する、合成単結晶ダイヤモンド組成物であって、該層が、不純物のない他の層又は同様の層と比べて、（ホウ素及び／又は炭素同位体などの）１つ又は複数の不純物の濃度が増加した１つ又は複数の層を含む。このような組成物は、色、強度、音速、電気伝導率、及び欠陥の抑制を含めて、特性の改善された組み合せを提供する。さらに、このような組成物を調製する関連した方法、並びにこのような方法を実施するのに使用するシステム、及びこのような組成物を取り入れた製品が記載される。 （もっと読む）

【課題】切削工具、耐磨工具等の機械的用途、及び半導体材料、電子部品、光学部品等の機能品用途に適したダイヤモンド単結晶及びその製造方法の提供。
【解決手段】結晶全体にわたり、波数１３３２ｃｍ^−１（波長７．５μｍ）のピーク吸収係数が０．０５ｃｍ^−１以上１０ｃｍ^−１以下である化学気相合成法により得られたダイヤモンド単結晶であり、この単結晶は化学気相合成時の気相における元素の組成比率を、水素原子に対する炭素原子濃度が２％以上１０％以下かつ、炭素原子に対する窒素原子濃度が０．１％以上６％以下かつ、炭素原子に対する酸素原子濃度が０．１％以上５％以下とすることによって得られる。 （もっと読む）

【課題】炭素繊維等の高密度繊維材料の線径に関わらず切削加工が容易に行えて、かつこれらを加工するのに十分な耐摩耗性を有するボロン含有ダイヤモンド膜被覆工具の成膜方法を提供することを課題とする。
【解決手段】反応室２外にてボロンを含む液体９を加熱することでボロンを含む気体を生成した後、ボロンを含む気体を反応室２内に導入して、直流放電プラズマ方式によりボロン含有ダイヤモンド膜を工具２０表面に被覆する。また、反応室２外におけるボロンを含む液体９の加熱およびボロンを含む気体の反応室２内への導入は、ボロンを含む液体９を液体用マスフローコントローラにより配管内に導入して、ヒータによる配管の外部加熱および配管内の真空雰囲気によって気化して、その状態でボロンを含む気体を反応室２内へ導入する。 （もっと読む）

【課題】接合強度の高い単結晶ダイヤモンド工具を提供する。
【解決手段】単結晶ダイヤモンド工具は、台金１０と、台金１０上に設けられる第一ロウ材層４１と、第一ロウ材層４１上に設けられる金属層３０と、金属層３０上に設けられる第二ロウ材層４２と、第二ロウ材層４２上に設けられる単結晶ダイヤモンド層２０とを備える。金属層３０は、銅を５０質量％以上含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、低コストで実用化することが可能な人工コランダム結晶およびその製造方法を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、種結晶を含有し、｛１１３｝面、｛０１２｝面、｛１０４｝面、｛１１０｝面、｛１０１｝面、｛１１６｝面、｛２１１｝面、｛１２２｝面、｛２１４｝面、｛１００｝面、｛１２５｝面、｛２２３｝面、｛１３１｝面、および｛３１２｝面からなる群から選択される少なくとも１つの結晶面を有することを特徴とする人工コランダム結晶を提供することにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

本発明は超精密加工の過程における単結晶タイヤモンドツールの磨損が抑制でき、具体的に言えば、超精密切削加工中に多物理場作用によって単結晶タイヤモンドツールの磨損を抑制する方法に関連するものである。つまり多物理場作用の装置を提供し、加工物の切削性能を変えることにより、フェラスメタルを切削する過程中に発生するタイヤモンドツールの磨損を抑制し、フェラスメタルの超精密切削の研究に新たな道を開拓することを狙っている。前述の目的を達成するために、本発明の技術ソリューションはタイヤモンドツールの周辺に異なる多物理場を施し、多物理場は電場、磁場あるいはレーザー放射などを含み、低エネルギー状態の転位形式を形成したことにより、結晶体の界面構造と界面エネルギーを変化させ、ナノスケール精度の切削過程で材料を固相変換を発生させる。従って、材料の切削性能が改善され、超精密加工中の単結晶タイヤモンドツールの磨損を抑制することができる。本発明は主に超精密加工に応用するものである。
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本発明は、平均粒子径が１０ｎｍ以下のダイヤモンド粒子を含有する凝集構造体からダイヤモンド粒子を得るための方法であって、前記凝集構造体をガス雰囲気下で加熱することにより当該凝集構造体から前記ダイヤモンド粒子を得る方法に関する。枢要な点は、前記凝集構造体は少なくとも８０％の割合の水素ガスを含む反応性ガスのガス雰囲気下で加熱されることである。
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【課題】
超硬合金を始めとする工具材料、或いは鉄族金属から成る構造材料などの基礎部材上に、部材成分等の影響を受けない状態でダイヤモンド膜を形成する技術を提供すること。
【解決手段】
本発明に係る析出用基体は、硬質材料からなる基礎材に、種子ダイヤモンド結晶をマトリックス中に保持含有する被覆層が表面に接合されたＣＶＤダイヤモンド析出用基体であって、(1) 前記種子ダイヤモンド結晶としてのダイヤモンド粒子の平均粒径が1μm以下であり、(2) マトリックスがＳi、Ｔi、Ｚr、Ｈf、Ｖ、Ｎb、Ｔa、Ｃr、Ｍo、Ｗからなる第一金属群から選ばれる１種以上の第一金属種及び／又は、該第一金属種とホウ素、炭素又はチッ素から選ばれる非金属物質との化合物である第一金属化合物を含有し、上記ダイヤモンド粒子は該マトリックス中に分散され、(3) 上記硬質材料と被覆層との接合部に、上記第一金属種の金属原子及び硬質材料を構成する金属原子、或いはその一方の拡散によるに拡散層が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】酸素または水素雰囲気中でのレーザーアブレーションにより金属などの異種基板に対して良好なダイヤモンド膜を形成できる方法を提供する。
【解決手段】酸素または水素雰囲気中で、グラファイト、アモルファスカーボン、グラッシーカーボン、またはダイヤモンドからなる炭素ターゲットに、５０ｎｓ以下のパルス幅でレーザー光を照射し、レーザーアブレーションによって前記ターゲットから炭素粒子を飛散させて基板上に堆積させ、パルス毎に堆積粒子の過飽和状態を形成して前記基板上にダイヤモンド膜を形成する方法において、前記基板に負バイアスを印加した状態で前記レーザー光を照射する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、低コストで実用化することが可能な人工コランダム結晶の製造方法を提供することを主目的とするものである。
【解決手段】本発明は、原料およびモリブデン化合物を含有するフラックスを含有する試料を加熱し、フラックスの蒸発を駆動力として結晶を析出および成長させるフラックス蒸発法により、六角両錐形を基本形状とする人工コランダム結晶を製造することを特徴とする人工コランダム結晶の製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）