【課題】本発明の技術的課題は、異種結晶（超伝導特性を示さない結晶）の析出量が少なく、短時間の処理でＢｉ系超伝導結晶を析出させ得る超伝導材料の製造方法を創案することである。
【解決手段】本発明の超伝導材料の製造方法は、組成として、モル％表記で、Ｂｉ_２Ｏ_３ １０〜４０％、ＣａＯ １０〜４０％、ＣｕＯ ２５〜６５％を含有する非晶質材料を、Ｓｒ含有化合物を含む融液に接触させる工程を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 金属酸化物からなる板状単結晶体、それを用いた金属酸化物薄膜、それらの製造方法、および、それらを用いた抵抗変化型素子を提供すること。
【解決手段】 本発明による板状単結晶体は、ＭＯまたはＭ_３Ｏ_４（ここで、Ｍは、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉ、ＺｎおよびＣｕからなる群から少なくとも１つ選択される金属元素である）で表される金属酸化物からなり、その形状は、六角形状であり、そのアスペクト比は、１０〜５００であり、平面方向の面は、（１１１）結晶面である。 （もっと読む）

【課題】マグネシウム以外の金属についても、固相反応させることにより、色中心含有金属酸化物を得て、色中心発光特性を有する発光媒体を提供する。
【解決手段】カチオンが電子を受け取って金属原子となる際の標準電極電位が−２．８７〜−２．２（Ｖ）で、かつ、アルカリ金属，マグネシウムを含むアルカリ土類金属、もしくは、スカンジウムを除く希土類元素のいずれかに属する金属と、酸化物を構成する金属の標準電極電位が−１．７〜＋０．４（Ｖ）である酸化物とを、所定の雰囲気下で、所定の温度で加熱する固相反応工程と、固相反応工程で得られる金属の昇華物を回収する工程とから成る。得られる昇華物は、酸素空孔を多量に導入させた金属酸化物であり、色中心由来の発光特性を有する。金属と固相反応させる酸化物のバリエーションを増やして、工業的生産の利便性を図る。 （もっと読む）

異なる構造の薄膜（１）に対するアモルファス又は結晶性構造の結晶（３）の転移は、結晶に薄膜を適用し、それを結晶化するためにそれを焼き鈍しするための加圧（６）及び加熱（７）の組合せによって達成され得る。特徴的に、ブロック（５）は、薄膜を屈曲させ、組立体のクラックを開始し、圧力が取り除かれた際に薄膜を開放するように端部に配置され、それによって結晶（３）を取り除き又はそれを破壊するための複雑な方法を取り除く。この方法は、いくつかの膜に使用される結晶（３）が結晶化されることを可能にし、達成される良好な製造率を可能にし、費用を削減する。
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【課題】 数μｍから数十μｍ程度の大きさの軟磁性フェライト粒子は、レーザーコピーで使用されるキャリア粉、電波吸収体や圧粉磁芯といった用途に需要がある。しかしこの大きさの軟磁性フェライトは、粉砕法で作製するには小さすぎ、成長法で作製するには大きすぎる。また、粉体の形状も一定にできなかった。
【解決手段】 材料となるフェライトと塩化鉄を混合し、９００℃以上１３００℃以下で焼成することで、フェライトが液相の塩化鉄中で結晶成長し、数十μｍの大きさの八面体の粒子を得る。 （もっと読む）

【課題】ＲＥ_２ＢａＯ_４とＢａ_ｘ−Ｃｕ_ｙ−Ｏ_ｚ系混合原料との固液反応を用いることにより、ＲＥ１２３系酸化物超電導体を形成する方法は、低温で保持部材が金属シースの単芯線材または多芯線材を形成する方法であったが、臨界電流Ｉｃおよび臨界電流密度Ｊｃの値が低く、しかもそれらの再現性に乏しいという課題があった。
【解決手段】少なくともＲＥ_２ＢａＯ_４とＢａ_ｘ−Ｃｕ_ｙ−Ｏ_ｚ系原料とを含む混合原料を保持部材の内部に保持した状態で、混合原料を加熱することにより、ＲＥ_２Ｏ_３を含む複合相前駆体を形成する工程と、複合相前駆体を形成する工程を行なった後に保持部材の内部に保持された複合相前駆体を加圧することにより、複合相前駆体を緻密化する工程と、緻密化された複合相前駆体に、酸素を含む雰囲気中で熱処理を行なう工程とを備える、ＲＥ１２３系酸化物超電導体の製造方法を用いる。 （もっと読む）

【課題】超高密度記録を達成可能な六方晶フェライト磁性粉末および上記六方晶フェライト磁性粉末を用いた高密度記録に適した磁気記録媒体を提供すること。
【解決手段】Ｂ₂Ｏ₃成分を含むガラス形成成分および六方晶フェライト形成成分を含み、かつ上記Ｂ₂Ｏ₃成分をＢ₂Ｏ₃換算で１５〜２７モル％含む原料混合物を溶融し溶融物を得ること、上記溶融物を急冷し、飽和磁化量が０．６Ａ・ｍ²／ｋｇ以下である固化物を得ること、ならびに、上記固化物を６００〜６９０℃の温度域まで加熱し該温度域に保持することにより平均板径が１５〜２５ｎｍの六方晶フェライト磁性粉末を析出させること、を含む六方晶フェライト磁性粉末の製造方法。非磁性支持体上に、上記方法により製造された六方晶フェライト磁性粉末と結合剤とを含む磁性層を有する磁気記録媒体。上記方法を含む磁気記録媒体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】立方体の炭素からダイヤモンド１カラットを製造する方法を提供する。
【解決手段】黒鉛の立方体０．３ｇを空気圧中で一気に２０００度１０分で加熱すると、ダイヤモンド１カラットになる。 （もっと読む）

【課題】強誘電体メモリ用途ＰＺＴにおいて、ＺｒとＴｉの比率が５２／４８を境にＺｒを多く含む稜面体晶ＰＺＴの場合、スリムなヒステリシス形状を示し、低電圧駆動が可能であるが、角型性が不良なヒステリシスを示し、Ｔｉをリッチに含む正方晶ＰＺＴの場合、角型性良好なヒステリシスの形状を有しているが、抗電界が大きく、低電圧駆動が困難であり、信頼性が確保出来ないという課題があった。
【解決手段】正方晶ＰＺＴ形成用ゾルゲル溶液において、有機酸のエステルを４≦ｐＨ＜７の範囲で添加し、３次元巨大ネットワークゲルを形成し、添加剤の添加前よりも、Ｐｔ（１１１）膜被服基板の格子情報を生かした（１１１）配向ＰＺＴ膜を提供する。或いは、稜面体晶ＰＺＴ強誘電体膜形成用ゾルゲル溶液において、塩基性のアルコールを７≦ｐＨ＜１０添加することで、２次元微小ネットワークゲルを形成し、添加剤の添加前よりも、目的の稜面体晶ＰＺＴ強誘電体結晶自身が安定に存在できる方向の（００１）配向膜を提供する。 （もっと読む）

【課題】 結晶性のアルミン酸ストロンチウムナノチューブおよび結晶性アルミン酸ストロンチウムナノロッドならびにそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】 硝酸アルミニウム九水和物、硝酸ストロンチウム、尿素、ｎ−ブタノールおよび臭化セチルトリメチルアンモニウムの混合物の水溶液を圧力容器中で１１５〜１５０℃に１０時間以上加熱して非晶質アルミン酸ストロンチウムナノチューブを生成させた後、さらに、該ナノチューブを１２５０〜１３５０℃に３〜１０時間加熱して外径１５０〜２００ｎｍの結晶性アルミン酸ストロンチウムナノチューブを製造する。あるいは上記水溶液を圧力容器中で１６０〜２００℃に１０時間以上加熱して直径５０ｎｍ以下の非晶質アルミン酸ストロンチウムナノロッドを生成させた後、上記と同様に加熱処理して、結晶性アルミン酸ストロンチウムナノロッドを製造する。 （もっと読む）

【課題】十分に結晶配向度の高い金属酸化物膜を、簡易、低コスト、かつ、基材及び金属酸化物膜に損傷を殆ど与えずに得ることが可能な金属酸化物膜の製造方法、積層体、及び電子デバイスを提供することを目的とする。
【解決手段】基材１０上に（１１１）結晶面を有する金属膜１４を形成する工程と、金属膜１４の（１１１）結晶面に金属酸化物膜２０を形成する工程と、金属膜１４の（１１１）結晶面に形成された金属酸化物膜２０の温度を２５〜６００℃に維持し、金属酸化物膜２０に対して紫外線を照射する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】任意形状を持つダイヤモンドおよび立方晶窒化ホウ素（ｃ−ＢＮ）の合成方法を提供する。
【解決手段】パルスレーザーを多方向からグラファイトおよび六方晶窒化ホウ素（ｈ−ＢＮ）に照射し、瞬間かつ局所的に高温高圧環境を作り出し、グラファイトおよびｈ−ＢＮ上の集光点の位置を移動させることにより、合成点５が移動し、ミリオーダーの任意形状ダイヤモンドおよびｃ−BＮが合成される。またレーザー照射によりダイヤモンドおよびｃ−ＢＮを合成し、ダイヤモンドおよびｃ−ＢＮのコーティングが可能となる。 （もっと読む）

【課題】電子工学、光学、又は光電子工学に応用するための、弾性的に歪みのない結晶材料製層を形成する方法の提供。
【解決手段】張力下で（又は圧縮して）弾性的に歪みのある第１の結晶層１と、圧縮して（又は張力下で）弾性的に歪みのある第２の結晶層２とを備え、前記第２の層が前記第１の層に隣接している構造体３０を用いて、それらの２つの層間での拡散ステップを備え、それにより２つの層のそれぞれの組成物間の差がほぼ同じになるまで次第に低減され、その後、それらの２つの層が、全体として均質な組成物を有する、結晶材料製のただ単一の最終層を形成する。それらの２つの層のそれぞれの組成物と、厚さと、歪みの程度とを最初に選択することにより、拡散後に、全体として弾性的な歪みを示さない最終層を構成する材料が得られることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 所定形状の球状半導体を低コストで製造することが可能な、球状半導体の製造装置を提供する。
【解決手段】 球状半導体の形成材料を含む液滴２を吐出する液滴吐出装置１０と、吐出された液滴２を加熱することにより空中で硬化させる硬化装置３０と、硬化装置３０により形成された非晶質の球状半導体４にレーザ光を照射するレーザ照射装置５２を備え、結晶質の球状半導体６を形成する結晶化装置５０と、を有する構成とした。 （もっと読む）

【課題】８００℃未満の低温焼成によってもＢｉ系誘電体の結晶化薄膜を得ることができるＢｉ系誘電体薄膜形成用組成物とＢｉ系誘電体薄膜を提供する。
【解決手段】少なくともＳｒ、Ｂｉ、Ｔａおよびランタノイド系元素Ａの各金属または複合金属のアルコキシド、有機塩あるいは錯体を反応させることによって得られる化合物を含有させてＢｉ系誘電体薄膜形成用組成物を構成する。この組成物の塗膜を８００℃未満の低温で焼成することにより、下記一般式（１）
Ｓｒ_1-XＡβＢｉ_2+Y（Ｔａ_2-ZＮｂ_Z）Ｏ₉₊α・・・・・（１）
（式中、Ａは、ランタノイド系元素を表す。Ｘ、Ｙ、αは、それぞれ独立に０以上１未満の数を表し、Ｚは、０以上２未満の数を表し、βは、０．０９以上０．９以下の数を表す。）で表されるＢｉ系誘電体の結晶化薄膜を得る。 （もっと読む）

【課題】圧力が結晶多形に及ぼす影響をスクリーニングする方法を提供すること。
【解決手段】アモルファス状の対象化合物の懸濁液を加圧処理もしくは減圧処理する工程を含むことを特徴とする対象化合物の結晶多形のスクリーニング方法。 （もっと読む）

【課題】 簡単な手段によって、高温実験用微小反応管や種々の一次元ナノ構造物を製造するための鋳型等として有用な単結晶α−アルミナナノチューブとその製造方法を提供する。
【解決手段】 Ａｌ₄Ｏ₄Ｃナノワイヤーを減圧雰囲気下で加熱してＣ−Ａｌ₂Ｏ₃−Ｃナノチューブを形成する第１工程と、この形成したＣ−Ａｌ₂Ｏ₃−Ｃナノチューブを空気雰囲気中で加熱する第２工程とを有することとする。 （もっと読む）

本発明は、次の各段階；シード（６）が、第１の物質の基体（２）上に炭素を分解させるように適合させた触媒を生成させる段階；カーボンナノチューブ（８）を該シード（６）から成長させる段階；そしてシード（６）から方位付けされる少なくとも１つの単結晶領域（１２）を含む第２の物質の層を生成させる段階：を含む結晶性物質の合成方法を提供する。本発明は、該方法によって得られる物質をも提供する。本発明はまた、ガラス基体上にポリ結晶シリコンを適用する。
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