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Fターム[4G077JA06]の内容

Fターム[4G077JA06]に分類される特許

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【課題】無機結晶膜上に他種の膜を積層して素子化しても性能や信頼性の低下を招くことなく利用することができる膜構造を有する無機結晶膜およびその製造方法を提供する。
【解決手段】無機結晶膜は、基材上に形成されており、少なくとも二層構造であり、基材に接する下層は緻密層であり、膜の最上層は充填した粒子が互いに結合してなる結合層である。無機結晶膜の製造方法は、無機結晶膜となる金属種を含有する化学溶液を基材に塗布する塗布工程、塗布工程で得られた塗布膜を乾燥する乾燥工程、および、乾燥した膜を焼成する焼成工程、を備え、上記塗布工程、乾燥工程および焼成工程を1セットとして複数回繰り返す方法である。 (もっと読む)


【課題】熱伝導率の優れた多結晶ダイヤモンドおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】ナノ多結晶ダイヤモンド1は、12Cあるいは13Cのいずれかの炭素同位体で実質的に構成された炭素と、炭素以外の複数の不純物とで構成され、複数の不純物の濃度がそれぞれ0.01質量%以下であり、結晶粒径が500nm以下である。上記ナノ多結晶ダイヤモンド1は、12Cあるいは13Cの炭素同位体の純度が99.9質量%以上である炭化水素ガスを熱分解して得られる黒鉛に、高圧プレス装置内で熱処理を施してダイヤモンドに変換することで作製可能である。 (もっと読む)


【課題】本発明は、Bi−2212結晶粉末等を短時間、且つ容易に作製可能な方法を創案すると共に、Bi−2212結晶等の配向性が良好な超伝導線材を短時間、且つ容易に作製可能な方法を創案することを技術的課題とする。
【解決手段】本発明の超伝導結晶粉末の製造方法は、超伝導結晶物を用意する工程と、前記超伝導結晶物を破断する工程と、前記超伝導結晶物の破断面に粘着シートを貼り付ける工程と、前記粘着シートを前記超伝導結晶物から剥がす工程と、前記粘着シートから超伝導結晶粉末を採取する工程とを含むことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】
マイクロクラックの発生を抑制して300nm以上の膜厚を持つサファイア基板上に超電導材料の成膜を可能にする及びその製造方法を提供する。
【解決手段】
酸化物が超電導物質を形成する金属の有機化合物溶液を基板上に塗布し乾燥させる工程(1)、紫外光であるエキシマレーザによって金属の有機化合物の有機成分を光分解するレーザ照射工程(2)、金属の有機化合物中の有機成分を熱分解させる仮焼成工程(3)、超電導物質への変換を行う本焼成工程(4)を経て基板上にエピタキシャル成長させた超電導薄膜材料を製造するに際し、本焼成工程を行う前に所定の箇所のみにレーザ照射を行うことにより、超電導物質内にa軸成長する前駆体箇所とc軸成長する前駆体箇所を混在させたのちに本焼成工程を行い、所定の箇所のみc軸成長させることを特徴とする超電導材料の内部応力を緩和することを特徴とする酸化物超電導材料の製造方法。 (もっと読む)


【課題】合成対象とする結晶材料或いは当該材料原料の融点以下の温度で、従来では得られない大きさの単結晶を得る。
【解決手段】所定の温度勾配を形成でき、所定期間、所望の温度にて保持できる加熱装置1と、この加熱装置1の加熱源によって加熱される筒状容器2とを用い、多結晶材料或いは当該材料原料の出発原料3(TlFe2Se2)を円筒状のペレットに成形して筒状容器2の載置部21に載置し、重力場などの原子がマクロに移動可能な駆動力場下で、その出発原料3の融点以下の温度である700℃にて塑性変形を生じさせるとともに、この塑性変形が終了する十分な時間である700℃で保持することで大型の単結晶を製造する。 (もっと読む)


【課題】酸化ガリウムの融点(1900℃)よりも低温で酸化ガリウムの単結晶を成長させる方法を提供することを課題とする。
【解決手段】Ga原子とO原子と昇華しやすい原子または分子を含む化合物膜(以下酸化ガリウム化合物膜と呼ぶ)を加熱し、酸化ガリウム化合物膜中から昇華しやすい原子または分子を昇華させることで、酸化ガリウムの結合エネルギーよりも低い熱エネルギーにより酸化ガリウムの単結晶を成長させる。昇華による酸化ガリウム化合物膜の消失を防ぐために、間隔を設けて別の酸化ガリウム化合物膜を配置する。 (もっと読む)


【課題】c軸配向した窒化アルミニウム単結晶の集体からり、結晶性、緻密性にすぐれた高配向窒化アルミニウム多結晶膜を提供する。
【解決手段】単結晶α−Al2O3基板3上に、酸窒化アルミニウム層4を介して窒化アルミニウム結晶膜5が形成されてなる母材6上に、スパッタリング法により、150〜500℃にて窒化アルミニウム1を析出させ、次いで、前記反応スパッタ温度よりも高く、かつ250〜800℃にてアニールを行うことにより高配向窒化アルミニウム多結晶膜1が形成さた窒化アルミニウム複合膜10が製造する。前記方法により製造される高配向窒化アルミニウム多結晶膜1は、c軸配向した窒化アルミニウム単結晶2の集合体からなり、該高配向窒化アルミニウム多結晶膜のチルト角が30〜1,300arcsec、ツイスト角が80〜4,000arcsecとなる。 (もっと読む)


【課題】電気特性や機械特性に優れ、かつ電子線照射によってチューブ構造が崩壊することがない、単結晶炭化ケイ素ナノチューブの製造方法を提供すること。
【解決手段】多結晶炭化ケイ素ナノチューブを作製し、その多結晶炭化ケイ素ナノチューブに対して、それを貫通するのに必要なエネルギー以上で加速されたイオンを照射することにより、単結晶炭化ケイ素ナノチューブを製造する。このとき、例えば、イオンは、照射温度900℃以上で照射され、その照射量がはじき出し量として5dpa以上である。 (もっと読む)


【課題】低温で結晶半導体を形成可能な結晶半導体の製造方法を提供する。
【解決手段】80〜240nmの膜厚を有するa−Ge膜2が基板1上に形成される(工程(b)参照)。そして、約10nmの膜厚を有するSiO膜3がa−Ge膜2上に形成される(工程(c)参照)。その後、約90nmの膜厚を有するPt薄膜4がスパッタリングまたは蒸着によってSiO膜3上に形成される(工程(d)参照)。そして、Pt薄膜4は、水素リモートプラズマによって処理される(工程(e)参照)。 (もっと読む)


【課題】低コストで単結晶薄膜を形成することができる薄膜形成方法及びデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】基板11上に薄膜前駆体13を堆積させる堆積ステップと、テンプレート20の単結晶部分22を前記薄膜前駆体13に対して接触状態とする接触ステップと、前記薄膜前駆体13のうち前記接触状態にある部分を結晶成長させる成長ステップと、前記テンプレート20を前記薄膜前駆体13から剥離させる剥離ステップとを備える。成長ステップでは、接触状態を保持しつつ薄膜前駆体13を加熱することにより、薄膜前駆体13のうちテンプレート20側から基板11側へと結晶成長を進行させる。剥離ステップにおいては、薄膜前駆体13に負担を掛けないよう、例えばケミカルリフトオフ法又はレーザリフトオフ法を用いる。以上の方法により、結晶成長用の単結晶基板や複雑な装置を用いることなく、低コストで単結晶薄膜を形成することができる。 (もっと読む)


【課題】高配向度及び高密度を兼ね備え、優れた圧電特性を発揮することができる結晶配向セラミックスの製造方法、及び該結晶配向セラミックスを製造するための異方形状粉末を提供すること。
【解決手段】前駆体1を酸処理し加熱して得られ、結晶面{100}面が配向する配向粒子からなる異方形状粉末、及びこの異方形状粉末を用いて得られる結晶配向セラミックスである。異方形状粉末は、次のようにして得られる。まず、所定の組成のビスマス層状ペロブスカイト型化合物を前駆体1の目的組成とし、この目的組成とは異なる配合割合で原料を混合して原料混合物を作製する。次いで、原料混合物を加熱することにより、前駆体1を合成する。前駆体1を3時間以上酸処理して酸処理体を得る酸処理体に、K源及び/又はNa源を添加し、フラックス中で加熱することにより、異方形状粉末を得る。 (もっと読む)


【課題】単結晶ナノ構造を基板の上に成長させる方法を提供する。
【解決手段】基板1の主表面上にパターン2を最初に形成する工程であって、パターン2は基板1の表面まで延びた開口部を有する工程と、パターン2の開口部中の、露出した主表面の上に、金属3を供給する工程と、開口部をアモルファス材料4で、少なくとも部分的に埋める工程と、アモルファス材料4と金属化合物3とを、300℃と1000℃の間の温度でアニールし、金属媒介結晶化により、アモルファス材料4を単結晶材料5に変える工程と、を含む。 (もっと読む)


【課題】REBaOとBa−Cu−O系混合原料との固液反応を用いることにより、RE123系酸化物超電導体を形成する方法は、低温で保持部材が金属シースの単芯線材または多芯線材を形成する方法であったが、臨界電流Icおよび臨界電流密度Jcの値が低く、しかもそれらの再現性に乏しいという課題があった。
【解決手段】少なくともREBaOとBa−Cu−O系原料とを含む混合原料を保持部材の内部に保持した状態で、混合原料を加熱することにより、REを含む複合相前駆体を形成する工程と、複合相前駆体を形成する工程を行なった後に保持部材の内部に保持された複合相前駆体を加圧することにより、複合相前駆体を緻密化する工程と、緻密化された複合相前駆体に、酸素を含む雰囲気中で熱処理を行なう工程とを備える、RE123系酸化物超電導体の製造方法を用いる。 (もっと読む)


【課題】本発明の目的は、低い融点を有することから低温での焼結が可能であり、相対密度が高く透明性に優れるとともに種々の熱的特性にも優れる安価な透光性セラミックスを提供することにある。
【解決手段】本発明の透光性セラミックスは、ZnとAlとを含む酸化物またはMgとZnとAlとを含む酸化物である複合酸化物からなるものであって、該複合酸化物は、単結晶または多結晶体であり、かつスピネル型結晶構造を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】結晶の配向度を高めると共に、粒径やアスペクト比を容易に調整する。
【解決手段】板状多結晶粒子10は、一般式がABO3であり、a×Pb(M1/3,Nb2/3)O3+b×PbTiO3+c×PbZrO3+z×MO(a+b+c=1、MはMg,Ni,Znより選ばれる1以上)により表される酸化物を主成分とし0.002≦z≦0.42となる無機粒子を配合し、この無機粒子を自立したシート状の成形体に成形したのち焼成し、焼成後の成形体を解砕及び分級する工程によって作製されている。この板状多結晶粒子10では、MO(MはMg,Ni,Znより選ばれる1以上)が板状多結晶粒子を作製した後に過剰となる所定の過剰量含まれ、粒界14が凹凸のうねりを有する曲線により構成されたうねり構造を有する結晶粒子12を複数含んでいる。この板状多結晶粒子10では、粒界14で解砕しやすいし、配向性が高い。 (もっと読む)


【課題】ペロブスカイト型酸化物の前駆体と種子単結晶との複合体を熱処理により前駆体に固相エピタキシーを生じさせて単結晶化することにより、所望の組成のペロブスカイト型酸化物単結晶を製造する方法を提供する。
【解決手段】種子単結晶基板上に、少なくとも一部がアモルファス状態であるペロブスカイト型酸化物の前駆体を堆積させて種子単結晶と前駆体の複合体を形成する工程S2と、複合体を熱処理することにより前駆体に固相エピタキシーを生じさせて酸化物単結晶とする工程S3とを具備する。 (もっと読む)


【課題】幅が微細なパターンで、かつ、アスペクト比の高い柱状の形状を有する微細酸化物構造体を精密に形成することができる微細酸化物構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】微細な柱状の孔が形成された鋳型を用意する工程S1と、酸化物粒子を界面活性剤で被覆する工程S2と、界面活性剤で被覆した酸化物粒子を液中に分散させる工程S3と、液中に鋳型を配置する工程S4と、液中の界面活性剤で被覆した酸化物粒子を鋳型中に沈降固化させる工程S5と、鋳型を取り除く工程S6と、鋳型を除去した酸化物粒子を焼成する工程S7とを具備する。 (もっと読む)


【課題】固相エピタキシーを生じさせて前駆体部を単結晶化し単結晶構造体を得ることにより、微細構造体の形状を保持し均一に単結晶化してペロブスカイト型酸化物単結晶構造体を製造する方法を提供する。
【解決手段】種子単結晶基板の表面に所定のペロブスカイト型酸化物と同じ金属成分を含む被覆層を形成する工程S1と、微細構造化したペロブスカイト型酸化物の前駆体を被覆層の表面に密着させた接合体を形成する工程S2と、接合体を熱処理することにより固相エピタキシーを生じさせて前駆体を単結晶化する工程S3とを具備する。 (もっと読む)


【課題】任意の形状を有しかつアスペクト比の高い圧電単結晶または圧電セラミックの微細な柱状体を高い寸法精度で任意に配置させた微細圧電列柱構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】微細な柱状圧電列柱を形成するための複数の貫通孔を有する薄板形状のマシナブルセラミックス製のセラミックス型1を用意し、そのセラミックス型の片面に種子単結晶基板2を接合し、セラミックス型に圧電セラミックス前駆体3を充填し、セラミックス型に充填された圧電セラミックス前駆体を焼成して複数の微細な柱を配列した列柱構造を有する微細圧電セラミックス構造体4を形成する。その後、微細圧電セラミックス構造体について熱処理を行って単結晶化することにより微細圧電単結晶列柱構造体5を得る。 (もっと読む)


【課題】原炭化珪素基板に内在する微細な転移欠陥等を十分に終端すると共に、新たな微細欠陥の発生を抑制することのできる半導体基板の製造方法およびそれによって製造される半導体基板を提供する。
【解決手段】単結晶の原炭化珪素基板10上に、90atm%以上のSi原子からなるシリコン供給部30を形成するシリコン供給部形成工程と、Si原子を10atm%以下とし、熱分解してC原子を供給可能な炭素供給部40を形成する炭素供給部形成工程と、シリコン供給部30および炭素供給部40が形成された原炭化珪素基板10を1800℃以上で熱処理する熱処理工程と、熱処理後において、原炭化珪素基板10に当接して形成される低転移欠陥炭化珪素層50を残して、低転移欠陥炭化珪素層50上の熱処理生成物60を除去する熱処理生成物除去工程とを有してなる半導体基板100の製造方法とする。 (もっと読む)


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