【課題】本発明は、結晶成長に再利用可能な反応容器を提供すべく、結晶成長に用いられた反応容器の再生方法、再生反応容器および、これを用いた結晶の製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】本発明は、原料、溶媒および鉱化剤の存在下で超臨界および／または亜臨界状態において結晶成長を行う結晶の製造方法に用いられた反応容器に、前記結晶の製造方法において生じた前記反応容器の変形および／または変質を修復する修復工程を施し再生反応容器とすることを特徴とする、反応容器の再生方法に関する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、種結晶の反りや歪が、該種結晶上に成長された結晶に及ぼす影響を低減し、大型で低転位、低歪みの窒化物結晶を製造し得る方法を提供することを課題とする。
【解決手段】本発明は、種結晶上に成長結晶をａ軸方向に成長させて窒化物結晶を得る窒化物結晶の製造方法であって、成長面として実質的にＡ面を出現させずに前記成長結晶を前記種結晶のａ軸方向に成長させることを特徴とする、窒化物結晶の製造方法に関する。 （もっと読む）

【課題】アモノサーマル法で結晶成長した場合であっても、低抵抗で移動度が高い窒化物単結晶を簡便な方法で製造できるようにすること。
【解決手段】超臨界状態及び／又は亜臨界状態の窒素を含有する溶媒の存在下で結晶成長した窒化物単結晶を７５０℃以上で５．５時間以上アニール処理する。 （もっと読む）

【課題】原料の無駄を抑えながら、歩留まり良く品質が良い窒化物結晶を製造する方法を提供すること。
【解決手段】反応容器内に、原料、種結晶、鉱化剤、および、窒素を含有する溶媒を配置し、反応容器内の温度および圧力を溶媒が超臨界状態および／または亜臨界状態となるように制御して種結晶の表面に窒化物結晶を成長させる際に、原料を溶解するための原料溶解領域（９）と窒化物結晶を成長させるための結晶成長領域（６）とを含む反応容器（２０）を採用し、種結晶（７）を結晶成長領域に配置し、結晶成長領域内側の表面積（Ａ）と種結晶の表面積の総和（Ｂ）とが（Ｂ）／（Ａ）＝０．１〜７の関係を満たすようにする。 （もっと読む）

【課題】ホモエピタキシャルＬＥＤ、ＬＤ、光検出器又は電子デバイスを形成するために役立つＧａＮ基板の形成方法の提供。
【解決手段】約１０^４／ｃｍ^２未満の転位密度を有し、傾角粒界が実質的に存在せず、酸素不純物レベルが１０^１９ｃｍ^−３未満の窒化ガリウムからなる単結晶基板上に配設された１以上のエピタキシャル半導体層を含むデバイス。かかる電子デバイスは、発光ダイオード（ＬＥＤ）及びレーザーダイオード（ＬＤ）用途のような照明用途、並びにＧａＮを基材とするトランジスター、整流器、サイリスター及びカスコードスイッチなどのデバイスの形態を有し得る。また、約１０^４／ｃｍ^２未満の転位密度を有し、傾角粒界が実質的に存在せず、酸素不純物レベルが１０^１９ｃｍ^−３未満の窒化ガリウムからなる単結晶基板を形成し、該基板上に１以上の半導体層をホモエピタキシャルに形成する方法及び電子デバイス。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族−窒化物ウェハーの生成方法を提供すること。
【解決手段】ＩＩＩ族−窒化物の結晶を成長させるための方法であって、以下の工程：
（ａ）熱アンモニア法により、元の種結晶上でＩＩＩ族−窒化物のインゴットを成長させる工程；
（ｂ）該インゴットからウェハーをスライスする工程；
（ｃ）該元の種結晶の窒素極側から取り出したウェハーを、引き続く熱アンモニア法によるインゴットの成長のための新しい種結晶として用いる工程；
を包含する、方法。 （もっと読む）

【課題】大型で品質が良好なIII族窒化物結晶を簡便で効率良く短期間で製造すること。
【解決手段】窒化物結晶からなる複数の下地基板を配置する下地基板準備工程、該複数の下地基板上に気相法により窒化物結晶層を成長させて一体となったシードを得るシード作成工程、および、 該シード上にアモノサーマル法によりIII族窒化物結晶を成長させる結晶成長工程を実施する。 （もっと読む）

【課題】水熱合成法による酸化亜鉛単結晶の育成に際し、酸化亜鉛単結晶の成長速度を速めることができる酸化亜鉛単結晶の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】育成用溶液と、育成用原料５と、種結晶６とを収容した密閉容器２４内で、水熱合成法により酸化亜鉛単結晶を育成する酸化亜鉛単結晶の製造方法において、育成用溶液として、アルカリ金属の水酸化物及びアルカリ金属の炭酸塩からなる群から選択される１種以上の鉱化剤と、酸とを含むアルカリ性の水溶液を用いる。 （もっと読む）

【課題】一般に入手可能な鉱化剤を用いながら、酸素濃度が低くて高純度の窒化物結晶を低コストで効率良く安全に製造することができる方法を提供する。
【解決手段】結晶成長用の反応容器１内または反応容器１に繋がる閉回路内で、鉱化剤を昇華させた後に析出させる鉱化剤昇華精製工程と、反応容器１内にて、溶媒と精製した鉱化剤の存在下で、ソルボサーマル法によって反応容器１内に入れられた窒化物の結晶成長原料８から窒化物結晶を成長させる結晶成長工程を行う。 （もっと読む）

【課題】水熱合成法により酸化亜鉛単結晶を育成する際の酸素量の制御を容易に行うことができる酸化亜鉛単結晶の製造方法と、この製造方法により製造され得る酸化亜鉛単結晶を提供する。
【解決手段】酸化亜鉛単結晶の製造方法において、過塩素酸及びその塩からなる群より選択される１種以上の酸素供給剤と、１種以上の鉱化剤とを含む水溶液を充填した密閉容器２４内で、水熱合成法により酸化亜鉛単結晶を育成する。 （もっと読む）

【課題】酸素などの不純物濃度が低い窒化物半導体結晶を速い成長速度で製造する方法を提供する。
【解決手段】反応容器内で超臨界および／または亜臨界状態の溶媒３存在下にて窒化物半導体結晶２の成長を行う際に、鉱化剤としてハロゲン化亜鉛を使用する。なお、ハロゲン化亜鉛以外の化合物であるハロゲン原子、アルカリ金属、アルカリ土類金属、または希土類金属を含む化合物を併用してもよい。また、反応容器は、白金族又は白金族を含む合金からなるカプセルである。 （もっと読む）

【課題】測定できる試験センサーの作成方法を提供する。試験場所を選ばず、様々な環境下で鉱物（ミネラル）や金属の結晶成長試験や結晶溶解速度測定が迅速・簡易に行なえるようにする。また、μｍオーダーでの簡易な測定に適用可能とする。
【解決手段】耐熱・耐薬品性にすぐれた樹脂シート例えばPFAテフロン（登録商標）シート１の表面に試験対象となる鉱物又は金属の粒子２，３を加熱下に埋め込み、必要に応じて研磨することで結晶成長・溶解速度試験用試験センサー５を作成する。PFAテフロン（登録商標）シートの表面に試験対象となる鉱物又は金属の粒子を埋め込んで成る結晶成長・溶解速度試験用試験センサーの表面形状を試験前後で測定し、試験前後の表面形状の差から鉱物又は金属の結晶成長速度もしくは溶解速度を求めるものである。 （もっと読む）

【課題】結晶性が良好な窒化物単結晶を速い速度で成長させる方法を提供する。
【解決手段】シード、窒素元素を含有する溶媒、周期表１３族金属元素を含む原料物質、および前記溶媒の１．５〜１５ｍｏｌ％の量の鉱化剤を入れたオートクレーブ内の温度および圧力を、前記溶媒が超臨界状態および／または亜臨界状態となるように制御して前記シードの表面にアモノサーマル法により窒化物単結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】様々な物質を含む、ガリウムナイトライドの成長のための高圧システムのオペレーション方法を提供する。
【解決手段】成長領域と原料領域を有する高圧の化学反応炉１１０は、高圧下で封じ込める筐体１０４を、格納容器内に配置して構成される。格納容器には、排気システム１４２、１４６が連結されている。この排気システム１４２、１４６は、少なくとも０．３リットルのアンモニア液から発生したアンモニアガスを取り除くように構成される。 （もっと読む）

【課題】反応容器の大幅な破損を効果的に防止しながら、品質の高い窒化物結晶を損傷することなく得ることができるようにすること。
【解決手段】反応容器に少なくとも原料とアンモニア溶媒を充填して密閉した後、耐圧性容器内に該反応容器を装填し、該反応容器中を超臨界および／または亜臨界アンモニア雰囲気にして、該反応容器内で窒化物結晶を成長させる際に、反応容器としてその一部に圧力調整領域（２３）を備えたものを用いる。 （もっと読む）

【課題】アモノサーマル法により窒化物結晶を成長させる際に、反応容器の破損を防いで再利用を可能にするとともに、品質が高い結晶が得られる窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】反応容器に原料とアンモニア溶媒を充填して密閉した後、バルブを有する耐圧性容器内に該反応容器を設置し、さらに該耐圧性容器と該反応容器の間の空隙に第二溶媒を充填して前記耐圧性容器を密閉した後、該反応容器中で超臨界および／または亜臨界アンモニア雰囲気において窒化物結晶を成長させる。その際に、バルブを介して、前記反応容器の外側と内側の圧力差が小さくなるように調整する。 （もっと読む）

【課題】合金形態の半導体結晶、その製造方法及び有機電界発光素子を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体結晶の製造方法は、（ａ）１種以上の１２族金属前駆体を分散剤及び溶媒と混合し、これを加熱して１２族金属前駆体溶液を得る段階と、（ｂ）１種以上の１６族元素前駆体をこれと配位可能な溶媒に溶解して１６族元素前駆体溶液を得る段階と、（ｃ）前記１種以上の１２族金属前駆体溶液と１種以上の１６族元素前駆体溶液とを混合して反応させた後、結晶を成長させる段階と、を含み、前記結晶のサイズ分布を表す光励起発光スペクトルの半値幅が５０ｎｍ以下、かつ、発光効率が３０％以上であり、前記１２族金属前駆体溶液、及び前記１６族元素前駆体溶液の濃度は０．００１Ｍないし２Ｍであり、前記（ａ）段階において、加熱が１００ないし４００℃であり、前記（ｃ）段階において、反応温度は５０℃ないし４００℃であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】大口径のＣ面を有する窒化物半導体や、ｍ軸方向に厚い窒化物半導体を効率よく簡便に製造することができる実用的な製造方法を提供すること。
【解決手段】六方晶系の結晶構造を有するシード、窒素元素を含有する溶媒、周期表１３族金属元素を含む原料物質、及び鉱化剤を入れたオートクレーブ内の温度および圧力を、前記溶媒が超臨界状態及び／又は亜臨界状態となるように制御して前記シードの表面にアモノサーマル的に窒化物半導体を結晶成長させる工程を含む窒化物半導体の製造方法において、前記シード上のｍ軸方向の結晶成長速度を前記シード上のｃ軸方向の結晶成長速度の１．５倍以上にする。 （もっと読む）

【課題】ソルボサーマル法を用いた結晶成長において、より高温、高圧で結晶成長ができるようにする。
【解決手段】高圧容器の中に適切な溶媒を入れ、これに適当な塩基性、中性、酸性の鉱化剤と化合物を入れて、加圧、加熱して結晶を成長させるいわゆるソルボサーマル法において、高圧容器として、加熱する内部容器１と、この内部容器１を入れてその外側を加圧するための外部容器９とを有する二重構造の高圧容器を用い、内部容器１を加熱し、この加熱による内部容器１の内部の圧力の上昇に伴い、外部容器９を加圧して、内部容器１と外部容器９の圧力差が生じないようにし、内部容器１の温度が所定の温度に達したら、その状態を保持して結晶成長を行う。 （もっと読む）

【課題】より速い結晶育成速度で、高品質かつ高純度の結晶を作成することができる窒化物単結晶の製造方法、窒化物単結晶、基板およびデバイスを提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族元素を含む原料と、ＭｅＸ^１_ｎ（ここで、ＭｅはＢ，Ａｌ，ＧａまたはＩｎであり、Ｘ^１はＦ，Ｃｌ，ＢｒまたはＩであり、ｎは１〜３の整数である）を含む組成の鉱化剤と、アンモニアと、ＩＩＩ族窒化物から成る種結晶３２とを、反応容器１１に入れる。反応容器１１の内部で、４６０℃〜６００℃の温度および８０ＭＰａ〜１５０ＭＰａの圧力で、アモノサーマル法により、種結晶３２の表面に窒化物単結晶を成長させる。反応容器１１は、Ｐｔ、Ｉｒ、Ａｕ、Ｔｉ、Ｖ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、または、これらのうちの複数種類の元素から成る合金で、内壁面１１ｂがライニングまたはコーティングされている。 （もっと読む）