【課題】アモノサーマル法で窒化物単結晶を製造する際に、昇温工程で種結晶表面や反応容器の内壁に品質の低い結晶が析出するのを抑制し、その後の成長工程において、高い原料使用効率で高品質な窒化物単結晶を成長させるようにすること。
【解決手段】アモノサーマル法の昇温工程において、種結晶に対して表面から１μｍ以上の厚みを溶解させるメルトバック処理を施す。 （もっと読む）

【課題】原料の無駄を抑えながら、歩留まり良く品質が良い窒化物結晶を製造する方法を提供すること。
【解決手段】反応容器内に、原料、種結晶、鉱化剤、および、窒素を含有する溶媒を配置し、反応容器内の温度および圧力を溶媒が超臨界状態および／または亜臨界状態となるように制御して種結晶の表面に窒化物結晶を成長させる際に、原料を溶解するための原料溶解領域（９）と窒化物結晶を成長させるための結晶成長領域（６）とを含む反応容器（２０）を採用し、種結晶（７）を結晶成長領域に配置し、結晶成長領域内側の表面積（Ａ）と種結晶の表面積の総和（Ｂ）とが（Ｂ）／（Ａ）＝０．１〜７の関係を満たすようにする。 （もっと読む）

【課題】ホモエピタキシャルＬＥＤ、ＬＤ、光検出器又は電子デバイスを形成するために役立つＧａＮ基板の形成方法の提供。
【解決手段】約１０^４／ｃｍ^２未満の転位密度を有し、傾角粒界が実質的に存在せず、酸素不純物レベルが１０^１９ｃｍ^−３未満の窒化ガリウムからなる単結晶基板上に配設された１以上のエピタキシャル半導体層を含むデバイス。かかる電子デバイスは、発光ダイオード（ＬＥＤ）及びレーザーダイオード（ＬＤ）用途のような照明用途、並びにＧａＮを基材とするトランジスター、整流器、サイリスター及びカスコードスイッチなどのデバイスの形態を有し得る。また、約１０^４／ｃｍ^２未満の転位密度を有し、傾角粒界が実質的に存在せず、酸素不純物レベルが１０^１９ｃｍ^−３未満の窒化ガリウムからなる単結晶基板を形成し、該基板上に１以上の半導体層をホモエピタキシャルに形成する方法及び電子デバイス。 （もっと読む）

【課題】大型で品質が良好なIII族窒化物結晶を簡便で効率良く短期間で製造すること。
【解決手段】窒化物結晶からなる複数の下地基板を配置する下地基板準備工程、該複数の下地基板上に気相法により窒化物結晶層を成長させて一体となったシードを得るシード作成工程、および、 該シード上にアモノサーマル法によりIII族窒化物結晶を成長させる結晶成長工程を実施する。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族−窒化物ウェハーの生成方法を提供すること。
【解決手段】ＩＩＩ族−窒化物の結晶を成長させるための方法であって、以下の工程：
（ａ）熱アンモニア法により、元の種結晶上でＩＩＩ族−窒化物のインゴットを成長させる工程；
（ｂ）該インゴットからウェハーをスライスする工程；
（ｃ）該元の種結晶の窒素極側から取り出したウェハーを、引き続く熱アンモニア法によるインゴットの成長のための新しい種結晶として用いる工程；
を包含する、方法。 （もっと読む）

【課題】測定できる試験センサーの作成方法を提供する。試験場所を選ばず、様々な環境下で鉱物（ミネラル）や金属の結晶成長試験や結晶溶解速度測定が迅速・簡易に行なえるようにする。また、μｍオーダーでの簡易な測定に適用可能とする。
【解決手段】耐熱・耐薬品性にすぐれた樹脂シート例えばPFAテフロン（登録商標）シート１の表面に試験対象となる鉱物又は金属の粒子２，３を加熱下に埋め込み、必要に応じて研磨することで結晶成長・溶解速度試験用試験センサー５を作成する。PFAテフロン（登録商標）シートの表面に試験対象となる鉱物又は金属の粒子を埋め込んで成る結晶成長・溶解速度試験用試験センサーの表面形状を試験前後で測定し、試験前後の表面形状の差から鉱物又は金属の結晶成長速度もしくは溶解速度を求めるものである。 （もっと読む）

【課題】異物密度の小さい高品質な人工水晶を効率よく製造することが可能な人工水晶の製造方法等を提供する。
【解決手段】オートクレーブ内に板状（または棒状）の種子水晶１ａを配置し、その基本成長面の重力方向に対する傾きθを３．５°以上１６°以下とした状態で水熱合成法により人工水晶を育成する。これにより傾斜させた水晶種子１ａの下方側の基本成長面に成長させた人工水晶の異物密度の値をＪＩＳ Ｃ６７０４（２００５年版）に定める等級Ｉの要件を満たすようにする。 （もっと読む）

【課題】大口径のＣ面を有する窒化物半導体や、ｍ軸方向に厚い窒化物半導体を効率よく簡便に製造することができる実用的な製造方法を提供すること。
【解決手段】六方晶系の結晶構造を有するシード、窒素元素を含有する溶媒、周期表１３族金属元素を含む原料物質、及び鉱化剤を入れたオートクレーブ内の温度および圧力を、前記溶媒が超臨界状態及び／又は亜臨界状態となるように制御して前記シードの表面にアモノサーマル的に窒化物半導体を結晶成長させる工程を含む窒化物半導体の製造方法において、前記シード上のｍ軸方向の結晶成長速度を前記シード上のｃ軸方向の結晶成長速度の１．５倍以上にする。 （もっと読む）

【課題】不純物粒子を確実に捕捉することにより、良質な結晶を効率よく製造し得る結晶の製造装置および結晶の製造方法、およびかかる結晶の製造装置に用いられるフィルター部材を提供すること。
【解決手段】結晶の製造装置１は、水熱合成法により人工的に結晶を製造するための装置である。結晶の製造装置１は、溶解液５、結晶原料１１および種子結晶１２を収納するチャンバー２を有している。また、チャンバー２内には、対流制御板３とこの対流制御板３より上方にフィルター部材４とが、それぞれチャンバー２内の空間を仕切るように設けられている。そして、フィルター部材４は、骨格部４１と、骨格部４１の表面に付着した不純物粒子とを有するものである。 （もっと読む）

【課題】酸性鉱化剤を使用しながら、アモノサーマル法によって均質な窒化物結晶を実用的な速度で成長させること。
【解決手段】臭化アンモニウムかヨウ化アンモニウムの少なくとも一方が溶解したアンモニア中に原料を溶解する領域の温度と、原料が溶解したアンモニアから窒化物結晶を成長させる領域の温度差を５〜７０℃にする。 （もっと読む）

【課題】転位密度が少なく、熱応力歪みが生じにくい六方晶ウルツ鉱型化合物単結晶を提供する。
【解決手段】結晶粒原料を主体とし、水熱成長開始時に１℃／ｍｉｎ以上、６℃／ｍｉｎ以下で昇温し、成長時における育成容器内の上部と下部で下部の温度差が３〜７℃の範囲で水熱成長することによって得られる結晶マイクロドメイン構造Ｄを有する六方晶ウルツ鉱型化合物単結晶であって、前記六方晶ウルツ鉱型化合物単結晶は、連続かつ一様な結晶格子を有するマトリックス領域Ｍ内に、該マトリックス領域Ｍとは結晶格子の配列が異なる島状の結晶マイクロドメインＤを含み、該結晶マイクロドメインＤ内のｃ軸が、前記マトリックス領域Ｍのｃ軸と平行である。 （もっと読む）

【課題】結晶方位に沿って形成された主面及び側面が夫々Ｚ面及びＸ面をなす板状または棒状の種子水晶から水熱合成法により育成したアズグロン人工水晶の製造後の後工程であるランバード加工を容易に行うことができるアズグロン人工水晶を提供する。
【解決手段】種子水晶２のＹ軸方向の端部にて２つのＺ面及び２つのＸ面のうちの少なくとも１つの面に密着して当該面をオートクレーブ内の育成溶液の対流から遮蔽するための遮蔽面３１Ａを形成する本体３（３Ａ），３（３Ｂ）と、この遮蔽面３１Ａに向かってその復元力が作用する弾性体３３と、を備え、遮蔽面３１Ａと弾性体３３との間に弾性体３３の復元力に抗して種子水晶２の端部を位置させることにより、遮蔽面３１Ａを端部に密着させる治具３Ａ，３Ｂを用いて育成する。弾性体３３を利用することで確実に遮蔽面３１Ａ，３２Ａと種子水晶２を密着させることができ、種子水晶２の破損も抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】人工水晶育成時に留め金を結晶中に取り込み、かつ、留め金の掛止部が水晶の結晶から露出するようにした外形寸法が５ｃｍ未満の小型装飾用アズグロウン人工水晶及びその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｙ軸方向に形成した孔３ｃに留め具３ｄを取り付けた所定の形状の種水晶３ａを準備する工程と、前記留め具３ｄを取り付けた複数の種水晶３ａをオートクレーブの上部空間内に支持具に係合して吊下・支持する工程と、前記オートクレーブを所定の温度で加熱して前記オートクレーブの下部空間内に格納したラスカを育成溶液で溶解して前記種水晶３ａの表面にＳｉＯ₂分子を析出させて水晶を成長させる工程と、からなり、前記留め具３ｄの一部が水晶の結晶中に予め取り込まれ、かつ、前記留め具の掛止部が水晶の結晶から露出するようにアズグロウン人工水晶３ｂを製造する。 （もっと読む）

第１の結晶組成物がガリウムと窒素を含む、結晶組成物を成長させる方法。この結晶組成物は約３１７５ｃｍ^−１に赤外吸収ピークを有し、単位厚み当りの吸光度が約０．０１ｃｍ^−１より大きい。一態様で、この材料は１立方センチメートル当り約３×１０^１８未満の濃度の酸素量を有し、第１の結晶組成物の所定の体積中には二次元の平面境界欠陥がない。
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【課題】粒径が30−250nmの範囲にあって、球形を有し、粒径がよく揃ったフェライトナノ粒子を製造するための、新しい製造方法を提供する。
【解決手段】２価鉄イオンと二糖類を含有する水溶液にフェライト微粒子の種結晶を分散させ、この水溶液にNaOHなどのアルカリを添加し、さらにこの水溶液にNaNO_３などの酸化剤を添加し、反応させることによって、フェライトナノ粒子を合成する。こうして合成されるフェライトナノ粒子は、粒径が30−250nmの球形を有し、粒径が非常によく揃っており、水中において凝集せず、分散性が良好であり、例えばバイオテクノロシーや医療の分野などの各種の用途の磁性ナノ粒子として適した性質を示す。 （もっと読む）

【課題】大口径のＣ面を有する窒化物半導体や、ｍ軸方向に厚い窒化物半導体を効率よく簡便に製造することができる実用的な製造方法を提供する。
【解決手段】六方晶系の結晶構造を有するシード１０、窒素元素を含有する溶媒、周期表１３族金属元素を含む原料物質９、及び鉱化剤を入れたオートクレーブ３内の温度および圧力を、溶媒が超臨界状態及び／又は亜臨界状態となるように制御してシード１０の表面にアモノサーマル的に窒化物半導体を結晶成長させる工程を含む窒化物半導体の製造方法において、シード１０上のｍ軸方向の結晶成長速度をシード１０上のｃ軸方向の結晶成長速度の１．５倍以上にする。 （もっと読む）

超臨界アンモニアと窒素の混合ガス中でＩＩＩ族窒化物結晶を成長させる方法と、この方法で成長されたＩＩＩ族結晶。ＩＩＩ族窒化物結晶は、超臨界アンモニア中の反応容器の中で、多結晶のＩＩＩ族窒化物、非晶質ＩＩＩ族窒化物、ＩＩＩ族金属、またはこれらの混合物である原材料または栄養剤と、ＩＩＩ族窒化物単結晶である種結晶を用いて成長される。高品質ＩＩＩ族窒化物結晶を成長させるために、結晶化温度は５５０℃以上に設定される。理論計算によれば、この温度でのＮＨ₃分解はかなり大きいことが示される。しかしながら、ＮＨ₃分解は反応容器をＮＨ₃で充填した後に更なるＮ₂圧力を加えることによって回避できる。
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ＡｌＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＩｎＮ、ＩｎＧａＮおよびＡｌＧａＮＩｎＮの１つから選択される窒化物結晶および結晶組成物を成長させる方法が提供される。この組成物は、単一の核から成長し、直径が少なくとも１ｍｍであり、横歪みおよび傾斜境界がなく、約１０^４ｃｍ^−２未満の転位密度を有する真の単結晶を含む。 （もっと読む）

【課題】溶媒の熱対流による原料の舞い上がりを防止し、粉体の原料を用いた場合であっても高品質な結晶を製造でき且つ原料効率の高い結晶製造方法および結晶製造装置を提供する。
【解決手段】反応容器中で、（１）超臨界状態および／または亜臨界状態の溶媒、並びに、（２）原料を用い、結晶を成長させる結晶製造方法であって、前記反応容器は前記原料を充填する原料充填部としてるつぼを備え、且つ、前記るつぼへの原料の充填量がｈ≧Ｄ／２（ｈはるつぼの上端から充填した原料上面までの距離、Ｄはるつぼの内直径）を満たす、或いは、前記るつぼが一つ以上の開口部を有する蓋を有することを特徴とする結晶製造方法およびこれに用いられる結晶製造装置。 （もっと読む）

【課題】無機材料よりなる多孔質担体の表面に触媒を設けるにあたって、触媒のシンタリングを防止し、触媒量の低減が図れるような触媒体を提供する。
【解決手段】触媒体１００は、コーディエライトよりなる多孔質担体１０を有し、この多孔質担体１０の表面において、当該多孔質担体１０の構成元素であるＡｌ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂を種として、シリカライトなどの少なくとも１種のゼオライトの単結晶２０が直接生成されており、このゼオライトの単結晶２０に、Ｐｔなどの貴金属などからなる触媒３０が担持されている。 （もっと読む）