【課題】本発明は、結晶成長に再利用可能な反応容器を提供すべく、結晶成長に用いられた反応容器の再生方法、再生反応容器および、これを用いた結晶の製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】本発明は、原料、溶媒および鉱化剤の存在下で超臨界および／または亜臨界状態において結晶成長を行う結晶の製造方法に用いられた反応容器に、前記結晶の製造方法において生じた前記反応容器の変形および／または変質を修復する修復工程を施し再生反応容器とすることを特徴とする、反応容器の再生方法に関する。 （もっと読む）

【課題】結晶成長前における反応容器の耐圧性容器への収納や、結晶成長後における反応容器の耐圧性容器からの取り出しを容易化することにより、結晶製造の作業効率を向上させる。
【解決手段】反応容器２に原料５と第一溶媒を充填して密閉した後、該反応容器を収納容器７に収納して、反応容器が収納された収納容器を耐圧性容器１内に設置し、さらに該耐圧性容器と該反応容器の間の空隙に第二溶媒を充填して前記耐圧性容器を密閉した後、該反応容器中で超臨界および／または亜臨界状態において結晶成長を行うことを特徴とする、結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ボイドの発生が抑制された良質な結晶を効率よく製造し得る結晶の製造方法および結晶の製造装置、およびかかる結晶の製造装置に用いられる結晶育成用治具を提供すること。
【解決手段】本発明の結晶の製造装置は、水熱合成法により人工的に結晶を製造するための装置である。この結晶の製造装置は、溶解液、結晶原料および種子結晶を収納するチャンバー２を有している。また、チャンバー２内には、種子結晶ごとに設けられた結晶育成用治具１３が収納されている。結晶育成用治具１３は、種子結晶の主面の一方を覆うように設けられた第１の面と、第１の面と直交する第２の面と、を有している。そして、結晶育成用治具１３は、チャンバー２の横断面の中心Ｏを囲むように環状に配置され、好ましくは多重の同心円の環状に配置される。 （もっと読む）

【課題】ホモエピタキシャルＬＥＤ、ＬＤ、光検出器又は電子デバイスを形成するために役立つＧａＮ基板の形成方法の提供。
【解決手段】約１０^４／ｃｍ^２未満の転位密度を有し、傾角粒界が実質的に存在せず、酸素不純物レベルが１０^１９ｃｍ^−３未満の窒化ガリウムからなる単結晶基板上に配設された１以上のエピタキシャル半導体層を含むデバイス。かかる電子デバイスは、発光ダイオード（ＬＥＤ）及びレーザーダイオード（ＬＤ）用途のような照明用途、並びにＧａＮを基材とするトランジスター、整流器、サイリスター及びカスコードスイッチなどのデバイスの形態を有し得る。また、約１０^４／ｃｍ^２未満の転位密度を有し、傾角粒界が実質的に存在せず、酸素不純物レベルが１０^１９ｃｍ^−３未満の窒化ガリウムからなる単結晶基板を形成し、該基板上に１以上の半導体層をホモエピタキシャルに形成する方法及び電子デバイス。 （もっと読む）

【課題】結晶化プレートに設けられている結晶化ウェル内に生成されているタンパク質の生成度合いを観察する場合、強磁場から結晶化プレートを取り出す必要がなく、結晶ができていない場合でも、結晶成長が乱されず、しかも、観測の質を向上させることができる結晶化プレートの観察装置を提供することを目的とする。
【解決手段】リザーバと結晶生成部と柱状空間とを具備するリング体からなる結晶化プレートを超強磁場に配置した状態で、上記結晶生成部で生成される結晶を観察する結晶化プレートの観察装置であって、上記リング体の内周に形成されている柱状空間に設けられ、上記結晶生成部に光を当てる光源と、上記結晶生成部からの光の像を電気信号に変換する受光素子と、上記結晶生成部からの光を上記受光素子に向けて反射する反射手段であって、上記柱状空間に設けられる反射手段とを有する。 （もっと読む）

【課題】反応容器の変形を抑制しながら、高品質な窒化物結晶を製造すること。
【解決手段】反応容器に原料と第一溶媒とを充填して密閉した後、該反応容器を耐圧性容器内に設置し、さらに該耐圧性容器の内壁と該反応容器の外壁の間の空隙に第二溶媒を充填して前記耐圧性容器を密閉した後、該反応容器中で超臨界および／または超亜臨界状態において結晶成長を行う窒化物結晶の製造方法において、前記反応容器の内部短軸長（ＩＤ［Ｃ］）と、前記耐圧性容器の内部短軸長（ＩＤ［Ａ］）との比（ＩＤ［Ｃ］／ＩＤ［Ａ］）を０．６０〜０．９８とするか、前記反応容器内の自由容積（ＩＶ）と、前記耐圧性容器の内壁と前記反応容器の外壁の間の空隙における自由容積（ＯＶ）との比（ＩＶ／ＯＶ）を０．２０〜４０とする。 （もっと読む）

【課題】成長した結晶の損傷を抑えながら安全かつ簡便で低コストに結晶を取り出すことができ、なおかつ使用した反応容器の再利用を図りやすくした窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】反応容器に原料とアンモニア溶媒を充填して密閉した後、耐圧性容器内に前記反応容器を設置し、さらに前記耐圧性容器と前記反応容器の間の空隙に第二溶媒を充填して前記耐圧性容器を密閉した後、前記反応容器中で超臨界または亜臨界アンモニア雰囲気において結晶成長を行い、さらに前記耐圧性容器と前記反応容器の間の空隙に存在するガスを排出することによって反応容器を破裂させる。 （もっと読む）

【課題】一般に入手可能な鉱化剤を用いながら、酸素濃度が低くて高純度の窒化物結晶を低コストで効率良く安全に製造することができる方法を提供する。
【解決手段】結晶成長用の反応容器１内または反応容器１に繋がる閉回路内で、鉱化剤を昇華させた後に析出させる鉱化剤昇華精製工程と、反応容器１内にて、溶媒と精製した鉱化剤の存在下で、ソルボサーマル法によって反応容器１内に入れられた窒化物の結晶成長原料８から窒化物結晶を成長させる結晶成長工程を行う。 （もっと読む）

【課題】酸素などの不純物濃度が低い窒化物半導体結晶を速い成長速度で製造する方法を提供する。
【解決手段】反応容器内で超臨界および／または亜臨界状態の溶媒３存在下にて窒化物半導体結晶２の成長を行う際に、鉱化剤としてハロゲン化亜鉛を使用する。なお、ハロゲン化亜鉛以外の化合物であるハロゲン原子、アルカリ金属、アルカリ土類金属、または希土類金属を含む化合物を併用してもよい。また、反応容器は、白金族又は白金族を含む合金からなるカプセルである。 （もっと読む）

【課題】防食性に優れている反応容器を用いて窒化物半導体結晶を効率良く育成し、育成後の反応容器の再利用を図りやすくすること。
【解決手段】反応容器内で超臨界および／または亜臨界状態の溶媒存在下にて窒化物半導体結晶の成長を行い窒化物半導体結晶を製造する際に、該反応容器内の空間に対して露出している、該反応容器及び該反応容器内で使用される部材の表面の少なくとも一部を、Ｐｔ、Ｉｒ、Ａｇ、ＰｄおよびＲｈからなる群より選択される少なくとも１種の貴金属を含む材料で構成し、且つ表面粗さ（Ｒａ）を０．０８μｍ〜３．０μｍとする。 （もっと読む）

【課題】アモノサーマル法により窒化物結晶を成長させる際に、反応容器の破損を防いで再利用を可能にするとともに、品質が高い結晶が得られるようにすること。
【解決手段】反応容器に少なくとも原料とアンモニアを充填して該反応容器を密閉した後、耐圧性容器内に該反応容器を装填し、前記耐圧性容器と前記反応容器の間の空隙にアンモニアを充填した後、該反応容器中を超臨界および／または亜臨界アンモニア雰囲気にして、該反応容器内で結晶成長を行う窒化物結晶の製造方法において、前記耐圧性容器と前記反応容器の間の空隙に充填したアンモニアが前記耐圧性容器に接触する面積が前記耐圧性容器内部の全表面積の５０％以下となるようにする。 （もっと読む）

【課題】様々な物質を含む、ガリウムナイトライドの成長のための高圧システムのオペレーション方法を提供する。
【解決手段】成長領域と原料領域を有する高圧の化学反応炉１１０は、高圧下で封じ込める筐体１０４を、格納容器内に配置して構成される。格納容器には、排気システム１４２、１４６が連結されている。この排気システム１４２、１４６は、少なくとも０．３リットルのアンモニア液から発生したアンモニアガスを取り除くように構成される。 （もっと読む）

【課題】反応容器の大幅な破損を効果的に防止しながら、品質の高い窒化物結晶を損傷することなく得ることができるようにすること。
【解決手段】反応容器に少なくとも原料とアンモニア溶媒を充填して密閉した後、耐圧性容器内に該反応容器を装填し、該反応容器中を超臨界および／または亜臨界アンモニア雰囲気にして、該反応容器内で窒化物結晶を成長させる際に、反応容器としてその一部に圧力調整領域（２３）を備えたものを用いる。 （もっと読む）

【課題】反応容器や部材を繰返し使用できて、均一で高品質な結晶を製造できる方法を提供すること。
【解決手段】反応容器内で結晶成長を行った後に、該反応容器の表面及び該反応容器内で使用される部材の表面に付着した付着物を化学的溶解反応により除去する。 （もっと読む）

【課題】ソルボサーマル法を用いた結晶成長において、より高温、高圧で結晶成長ができるようにする。
【解決手段】高圧容器の中に適切な溶媒を入れ、これに適当な塩基性、中性、酸性の鉱化剤と化合物を入れて、加圧、加熱して結晶を成長させるいわゆるソルボサーマル法において、高圧容器として、加熱する内部容器１と、この内部容器１を入れてその外側を加圧するための外部容器９とを有する二重構造の高圧容器を用い、内部容器１を加熱し、この加熱による内部容器１の内部の圧力の上昇に伴い、外部容器９を加圧して、内部容器１と外部容器９の圧力差が生じないようにし、内部容器１の温度が所定の温度に達したら、その状態を保持して結晶成長を行う。 （もっと読む）

【課題】 大型化しても、比較的簡単な構成で、坩堝内の融液を均一に撹拌することができる結晶育成用坩堝を提供する。
【解決手段】 結晶育成用坩堝（５）は、結晶を育成する融液を収容するための坩堝本体（２０）と、該坩堝本体（２０）に取り付けられて、融液を撹拌する撹拌部材（２１）とを有する。撹拌部材（２１）は、坩堝本体（２０）の内壁から該坩堝本体の内側に向かって突出する突出部（２３）を有する。突出部（２３）は、表面全体が融液に接触するように配置されている。 （もっと読む）

【課題】金属有機化合物の熱分解による超電導膜の熱処理形成において、低コストで大きい膜厚と配向性を得るための製造方法を提供する。
【解決手段】０．６〜数μｍ程度の膜厚の超電導膜材料の製造において、塗布熱分解法における仮焼成工程の前に、ＫｒＣｌ紫外エキシマランプ光を１５ｍＷ／ｃｍ^２以上の照度で照射することにより、仮焼成工程で得られる仮焼成膜の元素分布の均一性が著しく向上し、その後の本焼成工程を経て、大きい膜厚と配向性をもつ超電導膜が製造できる。 （もっと読む）

【課題】アモノサーマル法における自発核生成を利用して、最大寸法が１ｍｍ以上である窒化物単結晶を得ることができる、窒化物単結晶の新規製造方法の提供。
【解決手段】耐腐食性オートクレーブ内で、超臨界又は亜臨界状態にあるアンモニアの存在下、少なくとも1種類の窒化物多結晶を原料として用い、かつ、少なくとも1種類の酸性鉱化剤を該アンモニアに添加して、アモノサーマル法により該窒化物多結晶から窒化物単結晶を製造する方法において、
該耐腐食性オートクレーブ内には、該窒化物多結晶を配置する部位と該窒化物単結晶を析出させる部位とが存在しており、
該窒化物単結晶を析出させる部位の温度は、６５０℃〜８５０℃であり、かつ、該窒化物多結晶を配置する部位温度よりも、平均温度で、高く保持され、そして
該耐腐食性オートクレーブ内の圧力は、４０MPa〜２５０MPaに保持されている、
ことを特徴とする方法。 （もっと読む）

【課題】速い育成速度と高い結晶品質とを両立することができる、アモノサーマル法による窒化物単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】耐腐食性オートクレーブ３内で、超臨界又は亜臨界状態にあるアンモニアの存在下、少なくとも1種類の窒化物多結晶を原料６として用い、かつ、少なくとも1種類の酸性鉱化剤をアンモニアに添加して、アモノサーマル法により窒化物多結晶から窒化物単結晶を製造する方法において、オートクレーブ３内には、窒化物多結晶を配置する部位９と、種結晶７を用いて窒化物単結晶を育成する部位１０とが存在しており、種結晶７を用いて窒化物単結晶を育成する部位１０の温度Ｔ１は、６５０℃〜８５０℃であり、かつ、窒化物多結晶を配置する部位９の温度Ｔ２よりも、平均温度で、高く保持され、そして耐腐食性オートクレーブ３内の圧力は、４０MPa〜２５０MPaに保持されている。 （もっと読む）

【課題】種結晶上以外の部分に窒化物結晶が析出するのを抑制し、種結晶上へ成長する窒化ガリウム単結晶の生産効率を向上させることのできる窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】鉱化剤を含有する溶液を入れた容器１内でアモノサーマル法により窒化物結晶を製造する際に、容器１および容器１内に設置される部材５、６の表面のうち溶液に接触する部分の少なくとも一部が、タンタル(Ｔａ）、タングステン(Ｗ)およびチタン(Ｔｉ)からなる群より選択される１種以上の原子を含む金属または合金で構成され、且つ、表面粗さ（Ｒａ）が１．８０μｍ未満となるようにする。 （もっと読む）