【課題】 種結晶と結晶方位がそろった結晶を歩留りよく育成することができ、大型の結晶を効率的に育成する。
【解決手段】 一方向凝固法による結晶育成に用いる結晶育成用るつぼ３０であって、結晶原料を収納し、かつ結晶を成長させる容器部分である結晶成長部３２と、結晶成長部３２とネック部３８を介して連通して設けられた種子結晶４０の収納部３４とを備え、ネック部２８は、種子結晶４０の収納部３４よりも細く形成されている。 （もっと読む）

【課題】 種結晶と結晶方位がそろった結晶を歩留りよく育成することができ、大型の結晶を効率的に育成することを可能にする。
【解決手段】 るつぼ１０のテーパ収納部１１ｂのテーパ面に接する面が、テーパ面と同一の傾斜角度を有するテーパ面に形成された接触面を備える種結晶２０を使用し、るつぼ１０に種結晶２０を配置する際に、テーパ収納部１１ｂのテーパ面に種結晶２０の接触面を接触させて配置し、結晶原料を溶融した際に、融液がテーパ収納部１１ｂと種結晶２０との界面に流れ込むことを抑制して種結晶２０から単結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】カーボンヒータや炉内カーボン部品の寿命を延長して設備費用を削減でき、高品質な結晶半導体を製出可能である結晶半導体の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】チャンバ内に配置された坩堝に貯留した半導体融液を、前記坩堝の底部から冷却して凝固させるとともに結晶半導体を成長させる結晶半導体の製造方法であって、前記チャンバ内の圧力を１０^−４Ｐａ以下に減圧し、該チャンバ内の水分を除去する水分除去工程Ｓ１０と、前記チャンバ内に不活性ガスを導入するガス導入工程Ｓ２０と、前記坩堝内に収容した半導体原料をヒータで加熱し溶解させて前記半導体融液とする溶解工程Ｓ３０と、前記坩堝を底部から冷却して、前記半導体融液を凝固させるとともに結晶半導体を成長させる成長工程Ｓ４０と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】転位を低減した結晶を成長できる、結晶成長容器および結晶製造方法を提供する。
【解決手段】結晶成長容器は、原料を加熱溶融した後、溶融した原料を一方向から凝固させることにより結晶を製造する結晶成長容器であって、先端部１１と、胴部１２とを備える。先端部１１は、種結晶９を配置する。胴部１２は、先端部１１と接続され、かつ先端部１１の径よりも大きな径を有するとともに、内部で原料８を加熱溶融する。先端部１１の底面１１ａの厚みＴ１１ａは、先端部１１の側面１１ｂの厚みＴ１１ｂよりも小さい。 （もっと読む）

【課題】双晶欠陥の発生を十分に抑制することが可能な単結晶の製造方法および単結晶製造用るつぼを提供する。
【解決手段】単結晶の製造方法は、るつぼ１内に種結晶を配置する工程と、るつぼ１内の種結晶上に原料を配置する工程と、るつぼ１内の原料上に封止剤を配置する工程と、原料を溶融させた後、凝固させることにより、種結晶上に単結晶を成長させる工程とを備えている。るつぼ１の内面には、深さ方向に延在する溝部１３が形成されている。そして、種結晶を配置する工程では、種結晶が、単結晶のファセットの発生方向に溝部１３が位置するようにるつぼ１内に配置される。 （もっと読む）

【課題】キャリア濃度が低い領域において、転位密度を低減しつつ双晶欠陥の発生を抑制したＩｎＰ単結晶およびその製造方法を提供する。
【解決手段】
ＩｎＰ単結晶１は、小径部１０と、円錐部２０と、直胴部３０とを備えている。直胴部３０は、キャリア濃度が４．０×１０^１８ｃｍ^−３以下である低キャリア濃度部３１と、キャリア濃度が４．０×１０^１８ｃｍ^−３を超える高キャリア濃度部３２とを含んでいる。そして、低キャリア濃度部３１の成長方向に垂直な断面において、当該低キャリア濃度部３１は、外周を含む領域に形成され、平均転位密度が１０００ｃｍ^−２以上である高転位密度領域３１Ｂと、高転位密度領域３１Ｂに取り囲まれるように形成され、平均転位密度が５００ｃｍ^−２以下の低転位密度領域３１Ａとを有している。 （もっと読む）

方向性凝固炉は、溶融物を収容するためのルツボであって、壁と、開口を有する底とを有するルツボと、ルツボを支持するルツボ支持体と、ルツボを覆う蓋とを有するルツボアセンブリを含む。プレートは、底の開口の中に収められる。プレートは、底の熱伝導率よりも高い熱伝導率を有する。底は、添加剤を有するコンポジットを含むことができ、コンポジット底が、添加剤無しの同等の底と比較して高い熱伝導性を有する。
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【課題】
光デバイスなどの基板として用いられる単結晶を製造する過程で、結晶にクラックが発生しない結晶成長装置を提供する。
【解決手段】
箔状白金板を結晶育成用の白金ルツボの内側に挿入した本発明ルツボ構造により、VB法でのLN単結晶成長において白金ルツボとLN単結晶の大きな熱膨脹差があるにもかかわらず、再現性良くクラックの無い単結晶を得ることが可能となる。 （もっと読む）

結晶を成長させるという様な、材料を加工するのに使用される真空炉での無用の副次的反応を最小限にするための方法である。プロセスは、炉室環境で施行され、ヘリウムが炉室へ、不純物を洗い流す流量で、且つ加熱ゾーンに熱安定性を実現し、熱流の変化を最小限にし、加熱ゾーンの温度勾配を最小限にする所定の圧力で投入される。冷却中は、冷却率を上げることを目的に、ヘリウム圧力を使用して熱勾配の縮小が図られる。 （もっと読む）

溶融した半導体材料を保持し、一方向凝固工程により多結晶シリコン・インゴットを作製するための窒化ケイ素被覆坩堝と、坩堝を被覆する方法と、シリコン・インゴットおよびウェーハを作製する方法と、坩堝を被覆するための組成物と、低酸素量のインゴットおよびウェーハとに関する。
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【課題】溶液法によりＳｉＣ単結晶を製造する際に、多結晶の生成を防止乃至は抑制することが可能であるＳｉＣ単結晶製造装置を提供する。
【解決手段】融液４に種結晶９を接触させてＳｉＣ単結晶を成長させる装置１であって、成長炉２内に断熱材３を介して備えられたＳｉ含有融液４を収容する坩堝５、成長炉２の周囲に設けられ融液４を加熱して一定温度に維持するための高周波コイル６を含む外部加熱装置７および昇降可能な炭素棒８が備えられ炭素棒８の先端に種結晶９が設置され、炭素棒８下端の側面部に融液４に対して炭素棒８より濡れ性の低い多結晶発生阻害部１０が設けられてなる溶液法によるＳｉＣ単結晶製造装置１。 （もっと読む）

【課題】特にるつぼ水平方向の温度揺らぎを低減することにより、単結晶化歩留まりの高い、化合物半導体単桔晶の製造装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】高圧容器１内に、少なくとも化合物半導体原料５を入れるるつぼと、該るつぼ内の前記原料５を加熱溶融するヒーター３，４を具備し、加熱溶融した原料融液を融液下部あるいは上部から徐々に冷却し固化させることにより化合物半導体単桔晶を製造する装置において、前記るつぼの内径（ｄ）に対して前記ヒーター３，４の内径（Ｄ）を１．５〜３．０倍（Ｄ／ｄ＝１．５〜３．０）としたヒーター３，４を用いる。 （もっと読む）

【課題】サファイアやガーネット等の高融点材料単結晶の製造に適した坩堝ならびにその使用方法を提供する。
【解決手段】坩堝１０は坩堝支持体又は支持本体２と、坩堝支持体又は支持本体の内面上に処理されたコーティング４から成っている。坩堝１０には高融点材料の溶融物７が含まれている。コーティング４は溶融物７との接触面を与え、かつ坩堝支持体２の表面を溶融物７との接触から保護する役割を果たす。コーティング４は好ましくは１８００℃以上の融点をもつ金属、例えばインジウム等の耐熱性金属からなる。 （もっと読む）

【課題】結晶の成長方向に対して不純物濃度のばらつきが少なく、高品質な半導体単結晶を再現性よく得ることのできる半導体単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ルツボ６内に、不純物を添加した半導体融液５を収容し、この半導体融液５をルツボ６の底部に形成された種結晶配置部に配置した種結晶１０と接触させた状態で、ルツボ６を回転させながら、種結晶１０側から上方に向けて徐々に固化させる半導体単結晶の製造方法において、結晶成長の進行に伴ってルツボ６の回転速度を徐々に遅くするものである。 （もっと読む）

半導体および太陽光発電用途に使用可能なシリコンなどの単結晶材料を製造するためのシステムおよび方法が提供される。単結晶インゴットを成長させるために炉（１０）内に坩堝（５０）が配置され、坩堝（５０）は当初、単一の種結晶（２０）および供給材料（９０）を収容し、種結晶（２０）は少なくとも部分的に溶融され、供給材料（９０）は坩堝（５０）内で完全に溶融され、その後、成長および凝固プロセスが行なわれる。シリコンインゴットなどの単結晶材料の成長は方向性凝固によって達成され、成長段階における熱除去は、供給原料（９０）を収容する坩堝（５０）に対して可動性の断熱材（１４）を用いて達成される。単結晶成長を達成するために、成長および凝固プロセス時に坩堝（５０）からの熱除去を制御するための熱交換器（２００）も設けられる。
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【課題】縦型ボート法において、双晶不良の発生を抑制する結晶成長用ルツボを提供する。
【解決手段】一方に円錐台形の肩部５を備えた円筒形の直胴部６と、前記肩部５の先端に設けられ種結晶３を収納する細径部４とを有し、前記肩部５及び前記直胴部６に収容される結晶原料融液を、前記細径部４から前記直胴部６へ向かって結晶成長させる結晶成長用ルツボ１において、前記肩部５の内壁面に、結晶成長方向に対してほぼ垂直に、円周状の凹溝８を所定の間隔を隔てて複数形成するものである。 （もっと読む）

【課題】高品質な半導体結晶を再現性よく得ることのできる半導体結晶成長方法および転位密度の均一な半導体結晶を提供する。
【解決手段】半導体結晶成長方法は、半導体の種結晶３０と半導体の原料とを収容した容器２０を加熱して、原料を半導体融液３４とする原料融解工程と、容器２０の種結晶３０側の一端３０ａを、種結晶３０を収容している側とは反対側の容器２０の他端２０ａよりも低温に保持する温度保持工程と、種結晶３０側の半導体融液３４の温度の降下量を、他端２０ａ側の半導体融液３４の温度の降下量よりも少なくした状態で半導体融液３４の温度を降下させて、種結晶３０側から容器２０の他端２０ａに向けて半導体融液３４を徐々に固化させる結晶成長工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】不純物の含有量を大幅に低減した球状に近似した形状の単結晶シリコン粒子を、多数個を一括的に製造できる単結晶シリコン粒子の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶シリコン粒子３の製造方法は、不純物が偏析した突起部１２を有するとともに表面に酸窒化膜１１が形成された単結晶シリコン粒子３の突起部１２を、単結晶シリコン粒子３の表面を実質的に加工変質させずに研磨加工によって除去する。研磨加工はバレル研磨加工により行なう。 （もっと読む）

【課題】高濃度の不純物を含む尖頭部がないことから、光電変換効率が高く、高性能の光電変換装置に用いるのに適し、また、多数個の結晶シリコン粒子を導電性基板上に効率的に配置して均一の接合力や接合深さで接合することができることから、高信頼性の光電変換装置に用いるのに適した結晶シリコン粒子の製造方法を提供する。
【解決手段】結晶シリコン粒子１０１の製造方法は、坩堝のノズル部からシリコン融液を粒状に排出し、この粒状のシリコン融液を冷却して固化させることによって、不純物が偏析した尖頭部１０５を有する擬似単結晶化された結晶シリコン粒子１０１を製造し、次に結晶シリコン粒子１０１の尖頭部１０５を除去する。 （もっと読む）

【課題】 溶融落下法によって結晶シリコン粒子を製造する際に、高い生産性及び安全性でもって、高品質の結晶シリコン粒子を製造できる結晶シリコン粒子の製造方法を提供すること。
【解決手段】 結晶シリコン粒子の製造方法は、グラファイトから成る本体部１ａと本体部１ａの表面に形成された炭化珪素から成る被覆層１ｂとを有しているとともに外表面に被覆層１ｂの非形成部１ｄが設けられた坩堝１の内部でシリコンを溶融し、坩堝１から排出された粒状のシリコン融液を落下中に冷却して固化させることによって結晶シリコン粒子４を製造する。 （もっと読む）