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Fターム[4G077MA02]の内容

Fターム[4G077MA02]に分類される特許

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【課題】III−V族、II−VI族および関連する単結晶半導体化合物が、封止されたアンプルの剛性サポート、炭素ドーピングおよび抵抗率の制御、および熱勾配の制御によって成長する。
【解決手段】サポート・シリンダは、統合されて封止されたアンプル・るつぼ装置を支持し、その一方で、サポート・シリンダの内部の低密度断熱材が対流および伝導伝熱を防止している。低密度材料を貫通する輻射チャネルによって、シード・ウェルおよび結晶成長るつぼの移行領域に出入する輻射熱が伝達される。シード・ウェルの直下に位置する断熱材中の中空コアによって成長している結晶の中心部が冷却され得、結晶インゴットの均一・水平な成長と、平坦な結晶−溶融帯の界面が得られ、従って、均一な電気的特性を備えたウェーハを得る事が出来る。 (もっと読む)


【課題】溶液内のC溶解度を高めてSiC単結晶の成長速度を向上させると共に、単結晶の成長に伴うSiC成分の消費等による溶液の組成変動を抑制し、単結晶成長のための条件を安定させることができるSiC単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】黒鉛るつぼ10内の底部にSiC種結晶20を設置すると共に、るつぼ10内にSiとCとR(RはSc及びYを含む希土類元素から選ばれる1種以上)を含む溶液30を存在させ、溶液30を過冷却させて種結晶20上にSiC単結晶を成長させると共に、SiC単結晶を成長させながら黒鉛るつぼ10の上部から溶液30に粉末状もしくは粒状のSi及び/又はSiC原料41を添加する。 (もっと読む)


【課題】溶液内のC溶解度を高めてSiC単結晶の成長速度を向上させると共に、単結晶の成長に伴うSiC成分の消費等による溶液の組成変動を抑制し、単結晶成長のための条件を安定させることができるSiC単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】黒鉛るつぼ10内の底部にSiC種結晶20を設置すると共に、るつぼ10内にSiとCとX(XはSc及びYを除く遷移金属、Al、Ge及びSnから選ばれる1種以上)を含む溶液30を存在させ、溶液30を過冷却させて種結晶20上にSiC単結晶を成長させると共に、SiC単結晶を成長させながら黒鉛るつぼ10の上部から溶液30に粉末状もしくは粒状のSi及び/又はSiC原料41を添加する。 (もっと読む)


【課題】転位を低減した結晶を成長できる、結晶成長容器および結晶製造方法を提供する。
【解決手段】結晶成長容器は、原料を加熱溶融した後、溶融した原料を一方向から凝固させることにより結晶を製造する結晶成長容器であって、先端部11と、胴部12とを備える。先端部11は、種結晶9を配置する。胴部12は、先端部11と接続され、かつ先端部11の径よりも大きな径を有するとともに、内部で原料8を加熱溶融する。先端部11の底面11aの厚みT11aは、先端部11の側面11bの厚みT11bよりも小さい。 (もっと読む)


【課題】
光デバイスなどの基板として用いられる単結晶を製造する過程で、結晶成長後のアニールで結晶内の酸素欠損が回復でき、結晶にクラックが発生しない結晶成長装置およびその方法を提供する。
【解決手段】
結晶を成長する雰囲気として、酸素分圧が10Pa〜1kPaとなるようにすることで、結晶成長後の酸素雰囲気でのアニールで回復できる酸素欠損で、クラックの発生がない単結晶が得られる。 (もっと読む)


【課題】生体との適合性に優れると共に、その使用部位、方向に応じた最適な強度、耐食性、耐摩耗性などの諸特性を十分に発揮することができるインプラント部材用Co−Cr系合金を提供する。
【解決手段】ブリッジマン法を用いたインプラント部材用Co−Cr系合金単結晶の製造方法であって、所定の組成のCo−Cr系合金を1500〜2050℃の温度で溶融し、温度勾配0.5℃/mm以上の条件の下、成長速度1.0〜500mm/hで結晶成長を行う。さらに、特定の方向に沿った面欠陥状マルテンサイト相を導入する。 (もっと読む)


方向性凝固炉は、溶融物を収容するためのルツボであって、壁と、開口を有する底とを有するルツボと、ルツボを支持するルツボ支持体と、ルツボを覆う蓋とを有するルツボアセンブリを含む。プレートは、底の開口の中に収められる。プレートは、底の熱伝導率よりも高い熱伝導率を有する。底は、添加剤を有するコンポジットを含むことができ、コンポジット底が、添加剤無しの同等の底と比較して高い熱伝導性を有する。
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本発明は、ホウ素(B)またはホウ素含有化合物の少なくとも一種を<19ppmwの濃度で含み、さらに、リン(P)またはリン含有化合物を<3.7ppmwの濃度で含む再利用可能な窒化ケイ素含有ルツボ、および、シリコン結晶化のためのかかるルツボの使用に関する。 (もっと読む)


【課題】
光デバイスなどの基板として用いられる単結晶を製造する過程で、結晶にクラックが発生しない結晶成長装置を提供する。
【解決手段】
箔状白金板を結晶育成用の白金ルツボの内側に挿入した本発明ルツボ構造により、VB法でのLN単結晶成長において白金ルツボとLN単結晶の大きな熱膨脹差があるにもかかわらず、再現性良くクラックの無い単結晶を得ることが可能となる。 (もっと読む)


【課題】クラックのない高品質のサファイアの単結晶が得られるサファイア単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】一方向凝固法によるサファイア単結晶の製造方法において、ルツボ20に、ルツボ20の線膨張係数と製造されるサファイア単結晶の成長軸に垂直な方向の線膨張係数との相違に起因する相互応力を、ルツボ20およびサファイア単結晶に全く発生させない、もしくはサファイア単結晶に相互応力による結晶欠陥を発生させずルツボ20に相互応力による変形を起こさせないような線膨張係数を持つ材料からなるルツボ20を用いることを特徴とする。 (もっと読む)


溶融した半導体材料を保持し、一方向凝固工程により多結晶シリコン・インゴットを作製するための窒化ケイ素被覆坩堝と、坩堝を被覆する方法と、シリコン・インゴットおよびウェーハを作製する方法と、坩堝を被覆するための組成物と、低酸素量のインゴットおよびウェーハとに関する。
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本発明は、半導体製造のために適したシリコンを製造するための坩堝を製造するための焼結体に関する。本発明の構成では、該坩堝が、複数の構成部分から形成されていて、少なくとも1つの閉じられていない接合ギャップを有している。 (もっと読む)


【課題】高品質な結晶シリコン粒子を提供する。
【解決手段】シリコン融液にYb、Lu、またはYの単体あるいはYb、Lu、またはY元素を含む化合物のうち少なくとも1つを添加する工程と、シリコン融液を一方向に排出し、粒状4に凝固させる凝固工程と、を備える。シリコン融液は、窒化珪素を含んで成る坩堝1で溶融される。また、凝固工程は、シリコン融液の過冷却度を自然放冷時の過冷却度よりも小さい弱過冷却度でシリコン融液を凝固させてシリコン粒子5を形成した後、シリコン融液の凝固開始温度領域でシリコン粒子5を保温し、シリコン粒子5を結晶化する。 (もっと読む)


【課題】 不純物の少ない高品質な結晶シリコンを製造するための坩堝、および結晶シリコン粒子の製造装置を提供すること。
【解決手段】シリコンを溶融する筒状の溶融部1aを有する坩堝1であって、溶融部1aは、外周面に開口した気孔を有するセラミックスを含んで成るとともに、前記気孔内に第1の酸化珪素6が封入されている。 (もっと読む)


【課題】 シリコン粒子を安定的かつ高効率に単結晶化するとともに、単結晶の結晶シリコン粒子を一括的にかつ低コストに製造することができる結晶シリコン粒子の製造方法を提供すること。
【解決手段】 結晶シリコン粒子の製造方法は、シリコン粒子101をその形状を保持したままシリコンの融点Tm以上の温度T1に加熱して内部のシリコンを溶融させて、温度T1から融点Tm未満であって1383℃以上の温度T2まで過冷却する工程1と、次に溶融したシリコン粒子101が全て凝固するまでTm未満であって1383℃以上の範囲内の所定の温度に保持する工程2とを具備する。 (もっと読む)


垂直ブリッジマン法を用いて新規な溶融物から成長させた三元系単結晶リラクサ圧電性物質、及び三元系単結晶リラクサ圧電性物質を作成するための方法。該三元系単結晶は、少なくとも150℃のキュリー温度T、及び少なくとも約110℃の菱面体晶から六方晶への相転移温度Trtによって特徴付けられる。該三元系の結晶は、更に、少なくとも約1200〜2000pC/Nの範囲における圧電係数d33を示す。 (もっと読む)


約30W/m・K以下の面内熱伝導率、および約2W/m・K以下の面間熱伝導率を有する熱分解窒化ホウ素材料が開示される。その密度は、1.85g/cc未満である。 (もっと読む)


【課題】 溶融落下法によって結晶シリコン粒子を製造する際に、高い生産性及び安全性でもって、高品質の結晶シリコン粒子を製造できる結晶シリコン粒子の製造方法を提供すること。
【解決手段】 結晶シリコン粒子の製造方法は、グラファイトから成る本体部1aと本体部1aの表面に形成された炭化珪素から成る被覆層1bとを有しているとともに外表面に被覆層1bの非形成部1dが設けられた坩堝1の内部でシリコンを溶融し、坩堝1から排出された粒状のシリコン融液を落下中に冷却して固化させることによって結晶シリコン粒子4を製造する。 (もっと読む)


光電池及び他の用途のためのシリコンをキャストする方法。かかる方法によれば、放射状に分布する不純物及び欠陥を含まないか又は実質的に含まず、それぞれ少なくとも35cmである少なくとも2つの寸法を有する単結晶質又は双晶シリコンのキャスト体が与えられる。 (もっと読む)


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