【課題】紫外線放射に対して高い耐放射線性を有するフッ化物結晶、特にフッ化カルシウム結晶を製造する方法を提供する。
【解決手段】アルカリ金属フッ化物又はアルカリ土類金属フッ化物を含有する結晶粉末６を供給して結晶原料塊を形成するステップと、結晶原料塊を結晶成長ユニット内で溶融するステップと、溶融した結晶原料塊を冷却により凝固させるステップと、を含む方法。複合フルオロ酸のアンモニウム塩７及び脂肪族アルコール８を前記結晶粉末６又は前記結晶原料塊に添加して、酸化物系不純物を減らす。この方法により製造したフッ化物結晶、及び該フッ化物結晶から形成した光学コンポーネント。 （もっと読む）

結晶を成長させるという様な、材料を加工するのに使用される真空炉での無用の副次的反応を最小限にするための方法である。プロセスは、炉室環境で施行され、ヘリウムが炉室へ、不純物を洗い流す流量で、且つ加熱ゾーンに熱安定性を実現し、熱流の変化を最小限にし、加熱ゾーンの温度勾配を最小限にする所定の圧力で投入される。冷却中は、冷却率を上げることを目的に、ヘリウム圧力を使用して熱勾配の縮小が図られる。 （もっと読む）

【課題】結晶成長時に電場や磁場を印加することにより、酸化物単結晶を容易に製造するための酸化物単結晶の製造方法及び装置を提供する。
【解決手段】非一致溶融組成を有する酸化物単結晶の製造方法において、酸化物単結晶１７の原料である融液５に対し、２３８８００（Ａ／ｍ）以上の磁場を印加しながら酸化物単結晶１７の結晶化を行う工程を有する。酸化物単結晶がランガサイトである場合、磁場や電場を印加すると、ランガサイトの初晶域がランガサイトの化学量論組成に近づき、ランガサイトの初晶が析出するのが促進されるので、ランガサイトの結晶化を容易に行うことが可能となる。 （もっと読む）

約３０Ｗ／ｍ・Ｋ以下の面内熱伝導率、および約２Ｗ／ｍ・Ｋ以下の面間熱伝導率を有する熱分解窒化ホウ素材料が開示される。その密度は、１．８５ｇ／ｃｃ未満である。 （もっと読む）

【課題】 面内の組成が均一で、極めて低温ではない温度領域（０℃以上）にて、高い発光効率を有するアップコンバージョン材料をフッ化物バルク単結晶で実現すること。
【解決手段】 Ｍ_ｘＹｂ_ｙＣａ_{（1−ｘ−ｙ）}Ｆ_{２＋ｘ＋ｙ}で表されることを特徴とするアップコンバージョン用フッ化物バルク単結晶材料。ただし、結晶中の酸素濃度が１０００重量ｐｐｍ以下であり、さらに０．０１００＜ｘ＜０．３０００、０．０００５＜ｙ＜０．３０００。（ＭはＥｒ，Ｐｒ，Ｃｒ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｍｎから選ばれた１種又は２種以上の希土類元素、あるいは遷移金属） （もっと読む）

【課題】ＩＩ−ＶＩ族の固体の半導体材料の沈殿物を除去するアニーリング法を提供する。
【解決手段】アニールによってＩＩ−ＶＩ族固体の半導体材料２中に含まれる沈殿物３を除去するための方法である。固体の半導体材料２が合同の昇華固体の半導体材料２であり、下記の一連の段階が実行される。固体の半導体材料２は温度Ｔまで不活性ガスフロー８の下で加熱される。温度Ｔは、ＩＩ−ＶＩ族化合物／ＶＩ族元素の共晶に対応する第１の温度Ｔ_１と、最大の合同の昇華温度に対応する第２の温度Ｔ_２との間にある。固体材料２は、沈殿物３を除去するのに十分な期間に中性ガスフロー８の下で、この温度Ｔで保たれる。固体の半導体材料２は、冷却中に固体材料２がその合同の昇華線に合致するような割合で、温度Ｔから周辺温度まで不活性ガスフロー８の下で冷やされる。沈殿物３の無い固体の半導体材料２が回収される。 （もっと読む）

本発明は太陽電池級シリコンを含む、半導体級シリコンの鋳塊を生産するための装置および方法に関し、溶解および結晶化工程の加熱ゾーン内において酸素欠如材料を採用することによって、加熱ゾーン内の酸素の存在がほとんど減少されまたは排除されている。方法は、単結晶のシリコン結晶を成長させるためのブリッジマン法、ブロックキャスティング法、およびＣＺ工程のような、太陽電池級シリコン鋳塊を含んだ半導体級シリコン鋳塊の結晶化を含んだ任意の公知の工程に採用されてもよい。本発明は溶解工程および結晶化工程を実施するための装置にも関し、加熱ゾーンの材料は酸素欠如材料である。
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【課題】高い性能指数を有するＭｎＳｉ_ｙ（１.７≦ｙ≦１.８）系のＰ型熱電材料及びその製造方法を提供する。
【解決手段】この熱電材料の製造方法は、原料として、母材であるマンガンシリサイドＭｎＳｉ_ｙの化学量論的組成を満たすマンガン及びシリコンと、母材に添加されるゲルマニウムと、母材に添加される不純物とを用意する工程であって、ゲルマニウムを、シリコン及びゲルマニウムの和の０.３ａｔ.％〜１ａｔ.％に相当する量だけ用意する工程と、原料を溶融することにより溶融物とする工程と、該溶融物を、０℃／分より大きく、１．５℃／分以下の冷却速度で冷却することにより、結晶成長させる工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】良質のランガテイト単結晶を効率的に育成することができるランガテイト単結晶の製造方法を提供すること。
【解決手段】坩堝３の内部にランガサイト種結晶５を充填すると共に、ランガサイト種結晶５上に原料を積み重ねて充填する充填工程と、坩堝３の垂直方向に温度勾配を有する炉の内部に坩堝３を配置し、ランガテイト原料６を融解して融液を形成する融解工程と、融液を下方から上方に向けて漸次固化させて単結晶を育成する育成工程とを備え、ランガサイト種結晶５が、ランガサイトによって構成されている。 （もっと読む）

【課題】陽電子放出核種断層撮影装置、シングルフォトン断層法、コンピューター断層撮影装置等に有用な、高発光量・短蛍光寿命を有するシンチレータ単結晶、並びに該単結晶の製造法の提供。
【解決手段】ＲＥ_ａＲＥ’_ｂＭ_ｃ（Ｆ_１−ｄＸ_ｄ）_ｅで表されることを特徴とするハロゲン置換フッ化物シンチレータ材料。（ＲＥはＣｅ，Ｐｒのいずれか１種以上、ＲＥ’はＬａ，Ｇｄ，Ｙｂ，Ｌｕ，Ｙから選ばれた１種又は２種以上、Ｍは、Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｃｓ，Ｒｂ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ａｌから選ばれた１種又は２種以上、ＸはＣｌ，Ｂｒ，Ｉから選ばれた１種又は２種以上である。）該単結晶の製造法は、前記で表される組成の融液から、マイクロ引き下げ法により単結晶を育成することを特徴とする。 （もっと読む）

不純物が捕捉される可能性を減らし、及び／又は成長結晶の望ましい化学量論比を確保する改善技術である。不純物除去の改善が掃去(scavenge)ガス、例えばフッ素ガス又はフッ化水素ガス、をアルカリ土類又はアルカリハロゲン化物の溶融体を通したバブリングによって得られ、より多くの揮発性ハロゲン化物及び溶融体中に含まれた酸素を除去することによって溶融体の純度を改善する。原材料を溶融後に反応させることにより、原材料中に捕捉されたあらゆる酸素または金属不純物が自由に掃去剤と反応する。アルカリ土類またはアルカリ金属が掃去ガス中のハロゲン化物と反応するので、望ましい化学量論比に達する。溶融体中の不純物量を低減すること、及び望ましい化学量論比の溶融体を使用することにより、この浄化した原材料から成長した結果物である塊の耐放射性及び透過特性が改善する。加えて、この方法は脱ガスに必要な時間も短縮できる。この方法はまた高純度のプレ溶融体を形成するためにも使用でき、このプレ溶融体はより高い純度の塊を成長させるために使用できる。 （もっと読む）

本発明は、単結晶ワイヤおよびその製造方法を開示する。この方法は、金、銅、銀、アルミニウムおよびニッケルよりなる群から選択された少なくとも１種の金属を成長坩堝に収容させる段階と、成長坩堝に収容された金属を加熱して溶融させる段階と、金属結晶をシードとして用いてチョコラルスキまたはブリッジマン方法によって単結晶を成長させる段階と、育成された単結晶を放電加工を用いて切断する段階と、切断された前記単結晶を線材に形成させる段階とを含んでなる。本方法において、前記育成された金属単結晶は放電加工によって円形欠片に形成し、前記欠片はワイヤカット放電加工によって単結晶ワイヤに形成する。前記単結晶ワイヤは、指輪、パンダント、またはオーディオと映像機器間を連結する高品位ケーブル内部の線材として活用される。また、放電加工によって円形欠片に形成された単結晶は、基板および蒸着用ターゲットとして用いられる。 （もっと読む）

単結晶スピネルブール、ウェハ、基板およびそれらを含む能動デバイスが開示される。機械的応力および/またはひずみが減少した、このような物品は改良された収率により表される。 （もっと読む）