【課題】ＳｉＣ種結晶の結晶成長面上にＳｉＣ多結晶が析出し難くすることを容易にできるＳｉＣ単結晶の製造方法を提供することを、目的とする。
【解決手段】準備工程では、ＳｉＣ溶液１６の原料を収容する坩堝１４と、ＳｉＣ種結晶３６が取り付けられる下端面３４を有するシードシャフト３０とを備えるＳｉＣ単結晶の製造装置１０を準備する。取付工程では、シードシャフト３０の軸方向から見て、シードシャフト３０がＳｉＣ種結晶３６の周縁よりも内側に位置するように、ＳｉＣ種結晶３６を下端面３４に取り付ける。生成工程では、坩堝１４を加熱して、ＳｉＣ溶液１６を生成する。浸漬工程では、シードシャフト３０の下端をＳｉＣ溶液１６に浸漬して、ＳｉＣ種結晶３６をＳｉＣ溶液１６に浸漬する。育成工程では、ＳｉＣ種結晶３６の結晶成長面３８上にＳｉＣ単結晶を育成する。 （もっと読む）

【課題】結晶成長又は凝固させたフッ化カルシウムの一部を除去することなく、製品（蛍石結晶）の透過率を高めることができる、新たな蛍石結晶の製造方法を提案する。
【解決手段】フッ化カルシウム粉末とスカベンジャーの混合物を溶融し、続いて冷却して凝固させて溶融凝固体Ａを得、得られた溶融凝固体Ａの全量を砕いて溶融凝固体破砕物とし、この溶融凝固体破砕物全量とスカベンジャーの混合物を溶融し、続いて冷却して凝固させて溶融凝固体Ｂを得る溶融凝固工程と、該溶融凝固工程で得られた溶融凝固体Ｂの全量を砕いて溶融凝固体破砕物とする破砕工程と、前記溶融凝固体破砕物を溶融させた後、冷却して結晶成長させて蛍石結晶を得る結晶育成工程と、結晶育成工程で得られた蛍石結晶を熱処理する熱処理工程と、を備えた蛍石結晶の製造方法を提案する。 （もっと読む）

【課題】 種結晶と結晶方位がそろった結晶を歩留りよく育成することができ、大型の結晶を効率的に育成する。
【解決手段】 一方向凝固法による結晶育成に用いる結晶育成用るつぼ３０であって、結晶原料を収納し、かつ結晶を成長させる容器部分である結晶成長部３２と、結晶成長部３２とネック部３８を介して連通して設けられた種子結晶４０の収納部３４とを備え、ネック部２８は、種子結晶４０の収納部３４よりも細く形成されている。 （もっと読む）

【課題】簡素な製造工程及び設備によって、単一分極化された高品質なニオブ酸リチウム単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】垂直ブリッジマン法により単一分極化されたニオブ酸リチウム単結晶を製造する方法であって、育成炉１０の内部空間１１ａにルツボ２２を配置し、ルツボ２２内に、ニオブ酸リチウムの単一分極化済みの種結晶ａ、及び原料ｂを収容し、育成炉１０の温度制御により、育成炉１０内にニオブ酸リチウムの融点以上となる高温部と該高温部よりも下方へ向かって徐々に温度が低くなり前記融点以下となる温度勾配部を形成し、前記高温部から前記温度勾配部へ向かってルツボ２２を所定の速度で下降することで、原料ｂに対しルツボ外から電界を加えることなく、原料ｂを単結晶化するとともに単一分極化するようにした。 （もっと読む）

【課題】アルミナ等の高融点物質の、精製、及び緻密で均一なブロックの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１２はプラズマトーチ８の下に置かれ、アルミナ粒子又は他の高融点物質は、プラズマトーチ８によって加熱溶融される。これは、垂直軸に沿う回転、水平軸に沿う前後運動、及び垂直軸に沿う引き下ろし運動を包含する三つの独立した方向に動いている基板１２上に堆積する。このことにより、ブロック１１に、所定の直径、及び円筒形等の形態を持たせることが可能である。 （もっと読む）

【課題】（００１）、（１１１）方位を向く結晶が多く存在し、かつ、底部における酸素濃度が高い部分が少なく、生産歩留まりを大幅に向上させることができる多結晶シリコンインゴット、及び、その製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン融液を底面から上方に向けて一方向凝固させる多結晶シリコンインゴットの製造方法であって、ルツボ２０の底面にはシリカ多層コーティング層２７が配設されており、前記ルツボ２０内における凝固過程を、前記ルツボ２０の底面を基準として、０ｍｍから高さＸ（１０ｍｍ≦Ｘ＜３０ｍｍ）までの第１領域Ａ１と、高さＸから高さＹ（３０ｍｍ≦Ｙ＜１００ｍｍ）までの第２領域Ａ２と、高さＹ以上の第３領域Ａ３と、に区分けし、前記第１領域Ａ１における凝固速度Ｖ１が、１０ｍｍ／ｈ≦Ｖ１≦２０ｍｍ／ｈの範囲内に設定され、前記第２領域Ａ２における凝固速度Ｖ２が、１ｍｍ／ｈ≦Ｖ２≦５ｍｍ／ｈの範囲内に設定される。 （もっと読む）

【課題】生体との適合性に優れると共に、その使用部位、方向に応じた最適な強度、耐食性、耐摩耗性などの諸特性を十分に発揮することができるインプラント部材用Ｃｏ−Ｃｒ系合金を提供する。
【解決手段】ブリッジマン法を用いたインプラント部材用Ｃｏ−Ｃｒ系合金単結晶の製造方法であって、所定の組成のＣｏ−Ｃｒ系合金を１５００〜２０５０℃の温度で溶融し、温度勾配０．５℃／ｍｍ以上の条件の下、成長速度１．０〜５００ｍｍ／ｈで結晶成長を行う。さらに、特定の方向に沿った面欠陥状マルテンサイト相を導入する。 （もっと読む）

シリコン結晶化装置は、シリコンを収容する坩堝（１１）と、前記坩堝に収容される前記シリコンを溶融させ、続いて前記溶融シリコンを凝固させるように設けられている加熱／熱放散機構（１３〜１５）と、前記坩堝内の前記溶融シリコンを、前記溶融シリコンの凝固過程で撹拌するように設けられている電磁撹拌装置（１７）とを備える。制御機構（１８）は、前記加熱／熱放散機構を制御して、前記溶融シリコンを指定凝固速度で凝固させ、前記電磁撹拌装置を制御して、前記溶融シリコンを前記溶融シリコンの前記指定凝固速度に応じて撹拌することにより、前記溶融シリコンの速度と前記指定凝固速度との比が、第１の閾値を上回るようになるように設けられている。
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【課題】成長させるＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結晶のクラックを抑制し、かつ低いコストを維持し、かつチャンバー内の汚染を抑制するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結晶の製造方法、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板の製造方法およびＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結晶１３の製造方法は、チャンバー１０１内に配置された坩堝１０３に結晶成長用原料１５と液体封止剤１７とを収容する工程と、結晶成長用原料１５と液体封止剤１７とを加圧溶融し、かつ結晶成長用原料１５を固化させることにより、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結晶１３を成長させる工程と、チャンバー１０１内を降温する工程とを備えている。降温する工程は、液体封止剤１７の軟化点に達するまでに、チャンバー１０１内を６０ｋＰａを超えて４００ｋＰａ以下に減圧する工程を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】半導体の凝固方法を提供する。
【解決手段】ドーパントを含む第一の半導体チャージ１２０から溶融半導体１０３のバスを形成する段階と、溶融半導体１０３の凝固段階とを含み、更に、ドーパントを含む補充半導体チャージ１２０を溶融半導体１０３のバスに添加する一つ以上の段階を、凝固中に実施することを含む。補充半導体チャージ１２０は固体状または液体状である。また、電子アクセプタードーパントはホウ素原子であり、電子ドナードーパントはリン原子である。 （もっと読む）

【課題】半導体結晶の成長方向における不純物濃度またはキャリア濃度の分布をより均一にした半導体結晶および半導体結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体結晶中における最低不純物濃度Ｃ₁minとＣ₁min≦Ｃ₁≦１．５Ｃ₁minの関係を満たす不純物濃度Ｃ₁である結晶部分が、固化率０．１〜０．８の範囲内における結晶部分の４／７以上を占める半導体結晶とその半導体結晶の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】大形で均一組成、歪みの小さな分解溶融型あるいは非調和組成物質の単結晶を高い歩留まりで成長させる方法を提供する。
【解決手段】成長結晶３の形状を規定する容器１内に種子結晶２と成長結晶３の大部分または一部となる組成の初期原料を収納し、るつぼ１を加熱して初期原料の全てと種子結晶２の一部を加熱融解して初期融液４とし、その後未融解種子結晶部２を種子として結晶成長を開始（種子付け）し、融液４を徐々に一方向から凝固させて所望の組成および形状の単結晶３を成長させる結晶成長方法において、初期融液４の組成と異なる組成の追加融液９を結晶成長工程で連続的にまたは間欠的にあるいは一時的に追加する方法と手段を適用して、初期原料融解と種子付け工程、結晶本体成長工程、結晶成長終了工程全ての結晶成長工程で必要かつ最適な融液組成を実現し一方向凝固結晶成長を実現する。 （もっと読む）

【課題】安定して高品質なシリコン等の半導体粒子を製造する装置を提供する。
【解決手段】加熱装置３で坩堝１を加熱し、坩堝１内のシリコン原料を溶融させた後、坩堝１内に所望の圧力となるように不活性ガスを供給し、ノズル１ａからシリコン融液４を排出して、管状部材２の落下空間を通過する間に冷却させて結晶シリコン粒子５を形成する半導体粒子の製造装置において、半導体融液を排出するノズル１ａを有する坩堝１と、ノズル１ａより排出された前記融液の排出方向を観察し、該排出方向と鉛直方向との成す角度を測定する角度測定手段６と、該角度測定手段６より得られた角度情報に基づき、坩堝１を移動させ、ノズル１ａより排出された前記融液の排出方向を制御する方向制御手段７と、を備える。 （もっと読む）

【課題】基板上の所望の位置に結晶を製造可能な結晶製造装置を提供する。
【解決手段】バネ２は、一方端が架台１に固定され、他方端が磁性体３に連結される。磁性体３は、一方端がバネに連結され、他方端がピストン６に連結される。コイル４は、磁性体３の周囲に巻回されるとともに、電源回路５と、接地ノードＧＮＤとの間に電気的に接続される。ピストン６は、シリンダ７内に挿入された直線部材６１を有する。シリンダ７は、中空の円柱形状からなり、底面７Ｂに小孔７１を有する。そして、シリンダ７は、シリコン融液１３を保持する。基板１１は、シリンダ７の小孔７１に対向するようにＸＹステージ１２によって支持される。電源回路５は、パルス状の電流をコイル４に流し、ピストン６を上下方向ＤＲ１に移動させる。その結果、液滴１４は、１．０２ｍ／ｓの初速度で小孔７１から基板１１へ向けて噴出される。 （もっと読む）

【課題】低コストで製造することができる大型で良質な半導体結晶を提供する。
【解決手段】化合物からなる半導体結晶５０であって、直径が６インチ以上であり、平均転位密度が１×１０⁴ｃｍ^-2以下である。半導体結晶５０はＧａＡｓであるか、または、ＣｄＴｅ、ＩｎＡｓおよびＧａＳｂからなる群から選ばれるいずれか１つであって、単結晶である。半導体結晶５０のボロン濃度は、３×１０¹⁶ｃｍ^-3以下である。さらに、インゴットの固化率０．１〜０．８の領域にわたるカーボン濃度は、０．５×１０¹⁵ｃｍ^-3〜１．５×１０¹⁵ｃｍ^-3である。 （もっと読む）

【課題】結晶の成長方向に対して不純物濃度のばらつきが少なく、高品質な半導体単結晶を再現性よく得ることのできる半導体単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ルツボ６内に、不純物を添加した半導体融液５を収容し、この半導体融液５をルツボ６の底部に形成された種結晶配置部に配置した種結晶１０と接触させた状態で、ルツボ６を回転させながら、種結晶１０側から上方に向けて徐々に固化させる半導体単結晶の製造方法において、結晶成長の進行に伴ってルツボ６の回転速度を徐々に遅くするものである。 （もっと読む）

【課題】単結晶の成長方向に対して不純物濃度のばらつきが少なく、高品質な半導体単結晶を再現性よく得ることのできる半導体単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】不純物を添加した半導体融液を凝固させて当該半導体の単結晶を成長させるブリッジマン法、温度勾配凝固法等による半導体単結晶の製造方法において、結晶成長の進展につれて結晶成長速度を徐々に遅くし、実効偏析係数が平衡偏析係数に近づけることにより、半導体単結晶の結晶成長方向に沿う不純物濃度の均一化が図れる。さらに、結晶成長の進展につれて、前記半導体融液に印加する磁場の磁束密度を徐々に弱くする操作を組み合わせれば、いっそうの不純物濃度の均一化が図れる。 （もっと読む）

【課題】単結晶成長方向におけるチタン酸鉛の組成変動が抑制されたPb(Mg，Nb)O3の組成式をもつリラクサーと、PbTiO3の組成をもつチタン酸鉛とからなる全率固溶型圧電単結晶インゴット及びその製造方法、並びに、該全率固溶型圧電単結晶インゴットから作製される均一な圧電特性を有し、低コストで製造可能な圧電単結晶素子を提供する。
【解決手段】Pb(Mg，Nb)O3の組成式をもつリラクサーと、PbTiO3の組成をもつチタン酸鉛とからなる全率固溶型圧電単結晶インゴット１の製造において、前記リラクサーに対する前記チタン酸鉛の偏析係数を考慮して、前記チタン酸鉛の組成分率が、単結晶成長方向Ａに単調変化することなく、かつ前記組成分率の変動が30mm以上の長さＬにわたって±2.0mol％以下となるように、前記リラクサー原料を、育成ルツボ中に連続的に供給する。 （もっと読む）

【課題】 坩堝のノズル部からのシリコン融液の排出を中断することなく、結晶シリコン粒子を連続的に低コストに製造することができる結晶シリコン粒子の製造方法及び結晶シリコン粒子の製造装置を提供すること。
【解決手段】 結晶シリコン粒子の製造方法は、坩堝１のノズル部１aからシリコン融液４を粒状に排出し、排出された粒状のシリコン融液４を冷却して凝固させることによって結晶シリコン粒子８を製造する結晶シリコン粒子８の製造方法であって、シリコン融液の単位時間当たりの排出量から排出速度を測定し、坩堝１へ供給されたシリコン原料の単位時間当たりの溶融量である溶融速度が排出速度以上となるようにシリコン原料の供給重量を制御する。 （もっと読む）

【課題】半導体、太陽電池、液晶などの薄膜を形成するターゲット材について、酸素濃度を低減することによってパーティクルの発生を抑制し、加工性および成膜の膜質を高めたターゲット材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】優先的に一定範囲の方向Ａに配向した結晶組織を有し、酸素濃度が３.０×１０¹⁸atom/cm³以下であり、好ましくは、酸素濃度１.０×１０¹⁸atom/cm³以下であって、スパッタ面の平均結晶粒径が１〜２０mm、酸素濃度と炭素濃度の比（酸素濃度/炭素濃度）が２０以下であるターゲット材、およびその製造方法。 （もっと読む）