説明

Fターム[4G077NA01]の内容

Fターム[4G077NA01]に分類される特許

1 - 20 / 21


【課題】 FZ単結晶シリコンは体積固有抵抗やライフ・タイム等、品質上はCZ単結晶シリコンに比べて優れているにも拘わらず、コストが「約5〜8倍」と高価なため、太陽電池用としては使用されていない。このため、本発明では太陽電池用に特化することにより、大幅なコスト・ダウンをはかる手段を提供することにより、FZ単結晶シリコンを使用し大幅に効率アップした太陽電池の普及に貢献する。
【解決手段】
単結晶製造のスムーズな引き上げのみを考慮した単純な製造機器により、成長スピードを2〜5mm/min、場合により8mm/minまであげる。
又、芯ドープには空洞部に特殊加工したドーピングマザーメタルを使用する等を行う。
亜鉛還元法によるシリコンについては、熔融が簡単で短時間融解で済み、吸い上げを含めても石英等とのコンタミネーションも極端に少なくなる。 (もっと読む)


【課題】 高屈折率低分散の光学特性を有し、かつ着色を改善したLaAlO3結晶を含む光学材料およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 3ppm以上100ppm以下のFeを含有し、前記Feが2価のFeイオンからなり、3価のFeイオンを含まないペロブスカイト型LaAlO3結晶を含む光学材料。前記ペロブスカイト型LaAlO3結晶のESRスペクトルにおいて、g値が2.02に相当する箇所に信号ピークが無い。平均粒径が1μm以上10μm以下のLaAlO3粒子を型に充填し、不活性ガス雰囲気もしくは真空中で、1600以上1800℃以下の温度で焼成する工程を有する光学材料の製造方法。 (もっと読む)


【課題】電気磁気効果(マルチフェロイック)デバイス、強誘電デバイス、ピエゾデバイス等に用いることのできるBiFeO3の大型単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】上下2つの結晶駆動軸の一方に支持されたBiFeO3の高密度な原料棒3と、他方の結晶駆動軸に支持された種結晶棒4と、両棒の間に載置されたフラックス(溶融剤)5を用い、溶融帯域法(フローティングゾーン法)によりフラックス5を加熱して溶融帯域7を形成し、酸素、不活性ガス、又は、それらの混合ガスの雰囲気下で単結晶を育成してBiFeO3単結晶棒を作製する。 (もっと読む)


【課題】超低圧の酸素分圧の精製ガスを提供し得る酸素分圧制御装置、また、従来可能な低酸素分圧を得る上で製造コストを低廉化し得る酸素分圧制御装置を提供する。
【解決手段】酸素分圧を制御したガスを精製するガス精製部1と、処理装置Fにガス精製部1から精製ガスを供給して該ガス精製部に環流させるための循環路4と、該循環路中に設けられた循環用ポンプ5とを備え、ガス精製部1は、酸素ポンプ21と水素ポンプ31とを備え、循環路4が、ガス精製部1及び循環用ポンプ5を経る共通流路41と、該共通流路から、処理装置Fを経る流路を形成する作動流路42と、該共通流路から、処理装置Fを経ない循環のための流路を形成するバイパス流路43とを備えていることを特徴とする酸素分圧制御装置。 (もっと読む)


【課題】FZ法によるシリコン単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】FZ法によるシリコン単結晶の製造方法であって、CZ法により形成されたP型のシリコン結晶を原料棒とし、N型の不純物をガスドープして、N型のシリコン単結晶を形成する。その際、前記不純物のガスドープ量を、前記N型のシリコン単結晶の抵抗率が前記原料棒の抵抗率より低くなるように調整している。 (もっと読む)


【課題】簡便且つ低コストで半絶縁性の酸化ガリウム単結晶を得ることができる半絶縁性酸化ガリウム単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】酸化ガリウム粉末を原料としてラバーチューブに封入し、ラバープレスで成形、電気炉で温度1500℃、10hで焼結した焼結体を原料棒として、フローティングゾーン法で酸化ガリウム単結晶を育成し(S1)、育成された酸化ガリウム単結晶を原料として酸素100%の雰囲気中にてフローティングゾーン法で酸化ガリウム単結晶を成長させる(S2)。 (もっと読む)


【課題】単結晶が少なくとも200mmの長さにわたり少なくとも200mmの直径を有し、かつ無転位であるシリコンからなる単結晶を提供する。
【解決手段】容器内の不活性ガス及び窒素からなる雰囲気が1.5〜2.2barの圧力であり、前記の雰囲気を連続的に交換し、この場合、1時間当たり容器の容量の少なくとも2倍を交換し、かつ原料棒の溶融のために少なくとも220mmの外径の平板コイルを使用し、単結晶を1.4〜2.2mm/minの範囲内の速度で引き下げかつ回転角の1セットづつ周期的に回転させ、このセットの回転角ごとの各回転の後に回転方向を反転させる。例えば、単結晶はまず回転数N1で時計回りに角度α1だけ回転し、次いで回転方向の反転が行われ、回転数N2で反時計回りに角度α2だけ回転を行い、α1及びα2の周期的に繰り返す回転を行う。回転角の選択を適切におこなうことにより形状の安定した高品質の単結晶が得られる。 (もっと読む)


【課題】 短波長での光吸収が向上した酸化ガリウムを含む固溶体およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 230nm以上255nm未満の光吸収端波長を有することを特徴とする酸化アルミニウム−酸化ガリウム固溶体。酸化ガリウム粉末および酸化アルミニウム粉末を原料とした焼結体を用い、酸化ガリウム単結晶を種結晶とした浮遊帯域溶融法により酸化アルミニウム−酸化ガリウム固溶体を得る工程を有する前記固溶体を製造する方法。 (もっと読む)


【課題】β−Ga2O3結晶中に他の元素を強制的に混入させて特性を向上させたナノ構造体及びその製造方法を提供する
【解決手段】酸化ガリウム粉末とSi、Ge、Snから選ばれた少なくとも1種類の元素の粉末又はその酸化物粉末とからなる焼結体を素材とし、この焼結体を、実質的に酸素を含まない雰囲気下で加熱することにより、酸化ガリウム結晶中に、Si、Ge、Snから選ばれた少なくとも1種類の元素を混入させた酸化ガリウムナノ構造体を得る。 (もっと読む)


【課題】 ルチル(TiO)単結晶の光透過率を制御することにより、透明感があり、かつ着色されたルチル(TiO)単結晶、特に青色のルチル(TiO)単結晶の製造方法を提供することにある。
【解決手段】 所定の育成雰囲気中でルチル原料棒とルチル種結晶との接合部分を融解させ溶融帯を形成し、前記溶融帯を移動させながらルチル(TiO)単結晶を育成するルチル(TiO)単結晶の製造方法において、前記溶融帯にチタン原子価+4よりも低原子価の異種金属イオンの添加により、育成される前記ルチル(TiO)単結晶の光透過率を変化させ、前記ルチル(TiO)単結晶の色彩を調節する。前記溶融帯に前記異種金属イオン濃度が全金属イオン中の0.005at%から1.0at%の割合となるように異種金属イオンを添加する。 (もっと読む)


【課題】応用上必要な大きさと、優れた圧電特性、電場誘起歪特性、誘電・強誘電特性、及び、光学特性を有し、広範な温度領域で使用できる単結晶体材を出発組成のまま、生産性よく製造し、提供する。
【解決手段】下記組成式(1)を満たし、結晶構造が正方晶で、優れた圧電特性、電場誘起歪特性、及び、誘電特性を有することを特徴とする電子・光学用チタン酸バリウム−カルシウム単結晶体材料。
(Ba1-xCax)TiO3(ただし、0.025<x(mole)≦0.335)・・(1) (もっと読む)


【課題】ホウ化物単結晶の成長工程において不純物を除去し、結晶性に優れたホウ化物単結晶を製造することができるホウ化物単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ホウ化物単結晶の製造方法は、浮遊帯域法により化学式XB(XはZr,Ti,Cr,Hf及びTaから選ばれる少なくとも1種である)で表されるホウ化物単結晶またはホウ化物多結晶から成る棒状体を、水素ガスを含む不活性ガスからなる雰囲気ガス9中で作製し、次に棒状体を原料棒6として用いて浮遊帯域法により化学式XB(XはZr,Ti,Cr,Hf及びTaから選ばれる少なくとも1種である)で表されるホウ化物単結晶を製造する。 (もっと読む)


【課題】ホウ化物単結晶の成長工程において不純物を除去し、結晶性に優れたホウ化物単結晶を製造することができるホウ化物単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ホウ化物単結晶の製造方法は、浮遊帯域法により化学式XB(XはZr,Ti,Cr,Hf及びTaから選ばれる少なくとも1種である)で表されるホウ化物単結晶またはホウ化物多結晶から成る棒状体を、酸素濃度が10ppb以下の不活性ガスから成る雰囲気ガス9中で作製し、次に棒状体を原料棒6として用いて浮遊帯域法により化学式XB(XはZr,Ti,Cr,Hf及びTaから選ばれる少なくとも1種である)で表されるホウ化物単結晶を製造する。 (もっと読む)


【課題】ホウ化物単結晶の成長工程において不純物を除去し、結晶性に優れたホウ化物単結晶を製造することができるホウ化物単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】化学式XB(ただし、XはZr,Ti,Cr,Hf及びTaから選ばれる少なくとも1種である。)で表されるホウ化物から成る原料棒6を種結晶8に接触させて浮遊帯域法によって、化学式XBで表されるホウ化物単結晶を成長させるホウ化物単結晶の製造方法において、水素ガスを添加した雰囲気ガス9中でホウ化物単結晶を成長させる。 (もっと読む)


【課題】CZ法により引き上げられたシリコン結晶を原料素材としても、従来のFZ法で得られる製品単結晶と同等の抵抗率分布を有する成長結晶を得ることができるシリコン単結晶の製造方法を提供すること。
【解決手段】FZ法によるシリコン単結晶の製造方法は、CZ法により引き上げられたP型又はN型のシリコン結晶を原料素材6とし、原料素材6の導電型と同じ導電型の不純物をガスドープ装置4により供給しつつ、誘導加熱コイル3により再結晶化させて製品単結晶8を得る。 (もっと読む)


【課題】基礎吸収端が250〜260nmの範囲にあり、厚さ0.4mmにおける310〜620nmの波長領域(紫外光領域及び可視光領域)での内部透過率が80%以上の光透過率に優れたバルクの酸化ガリウム単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】FZ法(浮遊帯域溶融法)により作製した酸化ガリウム単結晶を原料棒に用いて更にFZ法により酸素含有雰囲気下で酸化ガリウム単結晶を得るようにして、多段階的にFZ法を適用する酸化ガリウム単結晶の製造方法であって、成長速度を2.5〜20mm/hの範囲で結晶成長させる。 (もっと読む)


【課題】優れた電池特性ならびに熱電変換性能を有し、有用な、層状結晶構造を有するコバルト酸アルカリのバルク状単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ACoO粉末を筒状の容器中に収納し、酸素ガス中又は大気中で融点以上の温度に加熱して溶融し、ACoOの溶融域を徐々に移動させることにより単結晶を育成して、単結晶の縦、横、及び高さがそれぞれ少なくとも1mm以上である化学式ACoOで示される化合物のバルク状単結晶を得る。 (もっと読む)


【課題】結晶性及び導電性が共に優れた酸化ガリウム単結晶及びその製造方法、並びに窒化物半導体をエピタキシャル成長させるのに好適な窒化物半導体用基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化ガリウム粉末にSn、Ge、Si又はこれらの酸化物から選ばれた1種以上からなる添加物を添加した粉末材料を圧縮成形し、これを1400〜1600℃で焼結して酸化ガリウム焼結体を得て、この酸化ガリウム焼結体を原料棒としてFZ法により酸素と不活性ガスとの混合ガス雰囲気下で、成長速度vを5mm/h<v<15mm/hとして酸化ガリウム単結晶を育成させる。また、この単結晶の表面を窒化処理して窒化物半導体用基板を得る。 (もっと読む)


【課題】高圧ガス雰囲気下において浮遊溶融帯方式で、新規単結晶を得ることができる単結晶製造装置及びそれを用いた高圧単結晶製造方法を提供する。
【解決手段】11気圧以上の高圧ガス加圧下において浮遊溶融帯方式の単結晶製造装置で、斜方晶(Orthorombic; オーソロンビック)のGa2-X FeX 3 の単結晶を製造する。 (もっと読む)


【課題】浮遊帯溶融法(FZ法)により大直径のシリコン半導体結晶を製造する場合であっても、コーン部における有転位化および放電による無転位化の阻害の両方を防止することができ、高品質のシリコン半導体結晶を高歩留まりで製造することのできるシリコン半導体結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、原料となるシリコン半導体棒を溶融して種結晶に融着させた後、チャンバ内で直径を拡大させながらシリコン半導体結晶のコーン部を育成し、その後、170mm以上の所望の直径に制御しつつ該シリコン半導体結晶の直胴部を育成する浮遊帯溶融法において、シリコン半導体結晶の育成中に前記チャンバ内の圧力を、予め準備したパターンにしたがって、低い状態から高い状態へ変化させる。 (もっと読む)


1 - 20 / 21