Fターム[4G077ND00]の内容
結晶、結晶のための後処理 (61,211) | 誘導による溶融ゾーンの加熱 (36)
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電力供給 (2)
Fターム[4G077ND00]に分類される特許
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半導体層成長用基板およびそれを用いた半導体装置
【課題】転位密度の小さい、良好なGaN系半導体層を形成することができる、半導体層成長用基板と、それを用いた、特性に優れた半導体装置とを提供する。
【解決手段】半導体層成長用基板は、GaN系半導体層を成長させるための主面の、X線反射率法によるX線反射率曲線の半値幅を100秒以下とし、かつ、前記主面に、原子ステップ構造を形成した。半導体装置は、前記半導体層成長用基板と、前記半導体層成長用基板の主面上にエピタキシャル成長させたGaN系半導体層とを備える。
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半導体層成長用基板およびそれを用いた半導体装置
【課題】転位密度の小さい、良好なGaN系半導体層を形成することができる、半導体層成長用基板と、それを用いた、特性に優れた半導体装置とを提供する。
【解決手段】半導体層成長用基板は、前記半導体層成長用基板を形成するZrB2単結晶の、a軸の格子定数を、0.3169±0.001nmとした。半導体装置は、前記半導体層成長用基板と、前記半導体層成長用基板の主面上にエピタキシャル成長させたGaN系半導体層とを備える。
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