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Fターム[4G077RA09]の内容

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半導体材料薄片製造用の成形装置は成形型枠及び担体バンドを有する。成形型枠は、溶融半導体材料を保持するよう側壁を有する構成とし、側壁のうちの出口側壁は、半導体材料薄片の産出位置に配置する。出口側壁には、出口スリットを設ける。成形装置は、さらに、出口スリットの位置で、溶融半導体材料に対して局部的な相対的に増大した、外力を加えて、前記出口スリットで溶融半導体材料に対する外圧を局部的に増大させる局部的力印加手段を備える。 (もっと読む)


【課題】低い格子欠陥密度で良質なSiC単結晶を、高い成長速度で、かつ長時間安定して成長させることのできるSiC単結晶製造方法を提供する。
【解決手段】SiC単結晶基板15とSiを含む原料を加熱かつ融解して得られた融液層16とを接触させることによって、基板15上にSiC単結晶を成長させるSiC単結晶製造方法において、大気圧下または加圧下で、基板15との接触部とは反対側の融液層16の表面16b側から、Siを含む分子とCを含む分子とを含むプラズマ17を供給し、かつ融液層16の基板15との接触部における温度を融液層16の表面16bにおける温度より低くする。 (もっと読む)


【課題】基材上に高純度で高品質な結晶薄膜が形成されており、その結晶特性を充分に発揮することのできる積層体、及びその積層体を従来のフラックス法に比べて、低コストで簡便に形成することができ、大型のものを大量に製造できる簡便な製造方法を提供する。
【解決手段】積層体は、アルカリ金属とアルカリ土類金属と遷移金属と卑金属との少なくとも何れかの金属の酸化物、炭酸塩、シュウ酸塩、硝酸塩、塩化物、フッ化物、リン酸塩、アンモニウム塩、及び有機化合物から選ばれる結晶原材料から得られたアパタイト、アルカリ土類金属酸化物、遷移金属酸化物、遷移金属含有複酸化物、卑金属酸化物、卑金属含有複酸化物、又はそれらのドーパント含有化合物からなるナノ無機結晶が、基材上に形成され積層している積層体であり、基材にコーティングされた結晶原材料と硝酸塩等のフラックスとが加熱等により結晶成長してナノ無機結晶が形成されている。 (もっと読む)


【課題】低温で結晶半導体を形成可能な結晶半導体の製造方法を提供する。
【解決手段】80〜240nmの膜厚を有するa−Ge膜2が基板1上に形成される(工程(b)参照)。そして、約10nmの膜厚を有するSiO膜3がa−Ge膜2上に形成される(工程(c)参照)。その後、約90nmの膜厚を有するPt薄膜4がスパッタリングまたは蒸着によってSiO膜3上に形成される(工程(d)参照)。そして、Pt薄膜4は、水素リモートプラズマによって処理される(工程(e)参照)。 (もっと読む)


単結晶ダイヤモンドを合成するための高圧高温(HPHT)方法であって、アスペスト比が少なくとも1であり、成長表面が{110}結晶面と実質的に平行である単結晶ダイヤモンド種子を利用することが記載される。1280℃から1390℃の温度範囲で成長する。 (もっと読む)


【課題】ナノクリスタルが集合したナノクリスタル集合体、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】1種以上の金属イオンを含む混合溶液やコロイド分散溶液において超音波を照射することにより、粒径が1ナノメートルから20ナノメートルの単結晶粒子の、ナノクリスタルが特定の結晶方位を向いて整列・集合し、集合体の粒径が100ナノメートル〜50マイクロメートルの範囲で揃っているナノクリスタルの集合体を製造する。 (もっと読む)


【課題】多結晶材料から容易に単結晶が育成できるとともに、単結晶製造のコストを低下させて、単結晶の利用範囲を広げることが可能な単結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】長尺状の多結晶材料と加熱源を、多結晶材料の長手方向に相対的に移動させることによって多結晶材料を局所加熱で半溶融状態にして多結晶材料の長手方向に単結晶を成長させる方法において、映像観察装置によって多結晶材料の局所加熱部の映像を連続的に観察し、半溶融部の状態をリアルタイムで観察して局所加熱部の加熱温度及び移動速度を制御することにより単結晶を成長させる。 (もっと読む)


【課題】窒素プラズマ合成法において、より大きな結晶粒度を有するIII族窒化物結晶、或いはバルク状のIII族窒化物結晶を生成できるIII族窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】III族元素を含む融液7に対し窒素プラズマ及び水素プラズマを含む混合プラズマPを接触させることによってIII族窒化物結晶を生成する。この方法により、より大きな結晶粒度のIII族窒化物結晶、或いは肉眼にて視認可能な程度にまで成長したバルク状III族窒化物結晶を得ることができる。 (もっと読む)


【課題】結晶の成長速度の大きいIII族窒化物結晶の製造方法および製造装置を提供する。
【解決手段】本III族窒化物結晶の製造方法は、外側容器22内に設けられた反応容器21内に、少なくともIII族元素と触媒剤とを含む融液1を種結晶2の周りに形成する融液形成工程と、融液1に窒素含有物3を供給して種結晶2上にIII族窒化物結晶4を成長させる結晶成長工程とを含むIII族窒化物結晶の製造方法であって、外側容器22内に反応容器21とともに設けられたヒータ23および断熱材24にグラファイトを用いることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】結晶の成長速度の大きいIII族窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】本III族窒化物結晶の製造方法は、反応容器21内に、少なくともIII族元素と触媒剤とを含む融液1を種結晶2の周りに形成する融液形成工程と、融液1の表面酸化層11を除去する工程と、融液1に窒素含有物3を供給して種結晶2上にIII族窒化物結晶4を成長させる結晶成長工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】確度の高い蛋白質結晶化条件に効率よく到達して蛋白質結晶を作製することができる蛋白質溶液の処理装置および蛋白質結晶の作製方法を提供する。
【解決手段】刺激付与工程(STA)において、蛋白質溶液を含む混合液3を収納した複数の容器2のうちの特定の容器2内の混合液3への結晶化促進のための刺激付与を開始した後、他の容器2内の混合液3への刺激付与を所定の時間間隔を置いて順次開始し、特定の容器2について結晶化に関連して生じる変化が検出されたならば、全ての容器2内の混合液3への刺激付与を停止し、刺激付与時間の異なる混合液3を結晶化条件選別のためのサンプルとして準備する。これらのサンプルを保管工程(STB)において所定条件下で保管し、混合液3中に生成された結晶核を成長させて、観察工程(STC)にて結晶化促進度合いを観察することにより、結晶化促進のための至適な刺激付与時間を見いだすことができる。 (もっと読む)


【課題】 分子デバイスを含む、有機材料の機能を利用する有機材料含有デバイスの構築に適した取り扱いが容易な基板を提供する。
【解決手段】 水素原子およびアミノ基が化学吸着した半導体表面を有する基板とする。このアミノ基は、例えばSi−N結合により固定されている。アミノ基は多くの官能基と化学反応しうる基であり、生体分子との親和性にも優れている。この表面は、大気中での取り扱いも容易である。アミノ基と有機分子とを反応させれば、有機分子と半導体表面とが化学的に一体に結合する。アミノ基は、例えば水素原子で終端された半導体表面にアンモニア等の窒素含有反応種を接触させ、この反応種に由来する窒素原子を含むアミノ基を半導体表面に化学吸着させて導入すればよい。 (もっと読む)


【課題】結晶の成長速度の大きいIII族窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】本III族窒化物結晶の製造方法は、反応容器21を予め加熱処理して水分を除去する工程と、水分が除去された反応容器21内に、少なくともIII族元素と、触媒剤とを含む融液1を種結晶2の周りに形成する融液形成工程と、融液1に窒素含有物3を供給して種結晶2上にIII族窒化物結晶4を成長させる結晶成長工程とを含む。 (もっと読む)


超臨界流体を処理するための高圧装置及びそれに関連する方法を提供する。本装置は、カプセルとヒータと少なくとも1つのセラミック製のリングとを含むが、複数のリングであってもよく、このリングには、選択的に、1つ以上のスクライブマーク及び/又はクラックが存在する。本装置は、選択的に各セラミックリングを含む金属スリーブを有する。さらに、本装置は、高強度エンクロージャと、随伴した断熱材を有する端部フランジと、電力制御システムとを有する。本装置は、0.2〜2GPaの圧力及び400〜1200℃の温度にすることができる。 (もっと読む)


【課題】簡便な方法であって、また穏やかな条件で、溶液中に結晶核を発生させ、結晶を生成する方法を提供する。
【解決手段】結晶化対象の溶質が溶解している溶液(クリシン過飽和溶液21)に対し、連続波レーザー光24を集光させて照射し、溶質の結晶を生成させる。連続波レーザー光24の波長は355〜1200nmであり、かつ強度は1MW/cm〜1GW/cmである。また、溶液(クリシン過飽和溶液21)は過飽和溶液であり、溶質はタンパク質または有機物である。 (もっと読む)


光電荷による誘導加熱を利用してガラス基板、セラミックス基板、プラスチック基板のような非晶質または多結晶基板の上に形成される結晶性半導体薄膜の製造方法に関して開示する。この結晶性半導体薄膜の製造方法は、ガラス基板、セラミックス基板、プラスチック基板のような安価な非晶質または多結晶基板の上に低濃度半導体層を形成する工程と、光電荷を用いた誘導加熱で低濃度半導体層を結晶化する工程とを含む。これにより、一般的な非晶質半導体薄膜や多結晶半導体薄膜より優秀な特性を有する低濃度の結晶性半導体薄膜を、簡単な工程と少ない費用で得ることができる。 (もっと読む)


本発明は、活性有機化合物の結晶粒子を製造する方法に関する。この方法は、湿式粉砕プロセスによって微細な種を生成する工程と、微細な種を結晶化プロセスに付す工程とを含む。得られる結晶粒子は約100μm未満の平均粒径を有する。本発明はまた、本発明の方法によって製造される結晶粒子及び薬学的に許容可能な担体を含む医薬組成物も提供する。
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大単結晶金属の成長方法が公開される。金属試料の多結晶形態が当初、非酸化環境において加熱される。最小塑性歪がそれから加熱金属試料内部で選定粒子の成長を開始させるために加熱金属試料に加えられる。付加塑性歪が、選定粒子の大単結晶への成長を伝播させるために、加熱金属試料に引き続き加えられる。 (もっと読む)


透明で転位密度が少なく均一厚みで高品位であり、かつバルク状の大きなIII族元素窒化物の単結晶を収率良く製造可能な製造方法を提供する。 アルカリ金属およびアルカリ土類金属からなる群から選択される少なくとも一つの金属元素と、ガリウム(Ga)、アルミニウム(Al)およびインジウム(In)からなる群から選択された少なくとも一つのIII族元素とを入れた反応容器を加熱して前記金属元素のフラックスを形成し、前記反応容器に窒素含有ガスを導入して、前記フラックス中でIII族元素と窒素とを反応させてIII族元素窒化物の単結晶を成長させるIII族元素窒化物単結晶の製造方法において、前記単結晶の成長を、前記反応容器を揺動させること等により、前記フラックスを攪拌した状態で行う。
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シリコン含有及び/又はゲルマニウム含有膜の一括的又は選択的エピタキシャル堆積の清浄な基板表面を調製する方法。更に、シリコン含有及び/又はゲルマニウム含有膜を成長させる方法であって、基板洗浄方法と膜成長方法の双方が750℃未満、典型的には約700℃〜約500℃の温度で行われる前記方法。洗浄方法と膜成長方法は、シリコン含有膜が成長している処理容積において波長が約310nm〜約120nmの範囲にある放射線の使用を用いる。反応性洗浄又は膜形成成分化学種の具体的な分圧範囲と組み合わせたこの放射線の使用は、業界で以前に知られている温度より低い温度で基板洗浄とエピタキシャル膜成長を可能にする。 (もっと読む)


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