【課題】高品質なＳｉＣ単結晶を高速に成長させる単結晶製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ単結晶の製造方法は、（ａ）ＳｉＣ粉末２ａとＣ粉末３、あるいは部分炭化させたＳｉＣ粉末を、原料粉末として準備する工程と、（ｂ）工程（ａ）の後、原料粉末を用いた昇華法により、シリコンドロップレットを抑制しながらＳｉＣ単結晶を高速成長させる工程と、を備える。前記工程（ａ）においては、前記原料粉末のシリコンに対する炭素の割合を１．０４〜１．１４とし、また、前記工程（ｂ）においては、結晶成長面近傍と原料粉末近傍の温度差を２００℃以上とすることが望ましい。 （もっと読む）

【課題】中空欠陥や介在物の少ないＳｉＣ単結晶及びその製造方法、このようなＳｉＣ単結晶から製造されるＳｉＣウェハ及び半導体デバイス、並びに、中空欠陥や介在物の少ないＳｉＣ単結晶の製造に適したＳｉＣ単結晶製造用原料を提供すること。
【解決手段】｛０００１｝面に略垂直な面を成長面とする種結晶を用いて、前記成長面上にＳｉＣを成長させることにより得られる単結晶からなり、前記単結晶の成長方向に略平行に伸びる中空欠陥の密度が６００個／ｃｍ²以下であるＳｉＣ単結晶、並びに、これを用いたＳｉＣウェハ及び半導体デバイス。このようなＳｉＣ単結晶は、ＳｉＣ粉末の質量の２％以上を予備昇華させることにより得られるＳｉＣ単結晶製造用原料を用いて、ａ面成長基板上に単結晶を成長させることにより得られる。 （もっと読む）

【課題】デバイス製造のために改善された特性が与えられているＳｉＣバルク単結晶を製造する方法及び単結晶ＳｉＣ基板を提供する。
【解決手段】ＳｉＣバルク単結晶を製造する方法において、成長坩堝３の結晶成長領域にＳｉＣ成長気相が生成され、中心縦軸を有するＳｉＣバルク単結晶をＳｉＣ成長気相からの堆積によって成長させ、このとき堆積は成長しているＳｉＣバルク単結晶２の成長境界面のところで行われ、ＳｉＣ成長気相が、少なくとも部分的に、成長坩堝の備蓄領域にあるＳｉＣソース材料から供給され、窒素、アルミニウム、バナジウム及びホウ素からなる群に属する少なくとも１つのドーピング物質を含んでおり、結晶成長領域はＳｉＣ表面区画と炭素表面区画とによって区切られ、ＳｉＣ表面区画割合を炭素表面区画割合によって除算することで得られるＳｉＣ／Ｃの面積比率が常に０．０１よりも小さい値を有するように選択される。 （もっと読む）

【課題】デバイス製造のために改善された特性が与えられているＳｉＣバルク単結晶を製造する方法及び単結晶ＳｉＣ基板を提供する。
【解決手段】ＳｉＣバルク単結晶を製造する方法において、成長坩堝３の結晶成長領域にＳｉＣ成長気相が生成され、中心縦軸を有するＳｉＣバルク単結晶をＳｉＣ成長気相からの堆積によって成長させ、このとき堆積は成長しているＳｉＣバルク単結晶の成長境界面のところで行われ、ＳｉＣ成長気相が、少なくとも部分的に、成長坩堝の備蓄領域にあるＳｉＣソース材料から供給され、窒素、アルミニウム、バナジウム及びホウ素からなる群に属する少なくとも１つのドーピング物質を含んでおり、結晶成長領域はＳｉＣ表面区画と炭素表面区画とによって区切られ、ＳｉＣ表面区画割合を炭素表面区画割合によって除算することで得られるＳｉＣ／Ｃの面積比率が常に１よりも小さい値を有するように選択され、最初に注入される前記ＳｉＣソース材料で２０％から４０％の間の過剰炭素が供給される。 （もっと読む）

【課題】昇華法による単結晶インゴットの製造において使用される黒鉛ルツボ等の耐久性に優れた高耐熱部材を提供する。
【解決手段】等方性黒鉛からなる黒鉛基材と、この黒鉛基材の表面を被覆する炭化物（炭化タンタル等）からなる炭化物被膜とを有する高耐熱部材であって、炭化物被膜は、（１１１）面におけるＸ線回折スペクトルの回折ピークの半値全幅が０．２°以下となる大きさの結晶子が無配向に集積した無配向粒状組織からなることを特徴とする。この炭化物被膜の配向性は、Ｘ線回折スペクトルに基づいてLotgering法により算出される配向度（Ｆ）がいずれのミラー（Miller）面についても−０．２〜０．２であるか否かにより判定できる。無配向粒状組織からなる炭化物被膜は、クラックの発生や進展を生じ難く、高温環境下でも安定している。従って、この炭化物被膜で表面が被覆された高耐熱部材も、優れた耐久性を発揮する。 （もっと読む）

【課題】単結晶成長表面と原料表面との温度差をより一層増加可能で、長時間に亘る成長でも、成長速度が落ちることなく結晶成長を行うことが可能な化合物半導体単結晶の製造装置および製造方法を提供する。
【解決手段】成長容器１内の一端側に種結晶９を、他端側に原料６を配置し、原料６を昇華させて単結晶５を製造する製造装置１００であって、加熱炉４と、成長容器１の周囲に配置され加熱炉４内を低温区画１７と高温区画１８に仕切る熱遮蔽部材１２と、高温区画内１８にあって成長容器１の他端側の周囲に配置される原料加熱手段３と、成長容器１を支持した状態で移動可能な支持部２とを備え、支持部２は単結晶５を成長させるときに、単結晶成長部１５が低温区画１７に存在し、原料部１６が高温区画１８に存在するように、低温区画１７側に成長容器１を移動可能であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】単結晶成長時に台座と種結晶との間に空隙が生じることを抑制可能な窒化アルミニウム種結晶の固定方法、該固定方法を用いて得られる台座−種結晶固定体、前記固定方法を用いて固定された種結晶を用いた窒化アルミニウム単結晶の製造方法、及び該製造方法により得られる窒化アルミニウム単結晶の提供。
【解決手段】本発明の窒化アルミニウム種結晶の固定方法は、窒化アルミニウム単結晶を成長させるための窒化アルミニウム種結晶を台座に固定する方法であって、タングステンまたはタンタルを含んでなる台座１の一面上に、融点１９００℃以下で且つ加熱処理により前記台座と反応しうる金属材料からなる金属層２を形成する第１工程と、金属層２上に窒化アルミニウムの種結晶３を配置する第２工程と、台座１と金属層２と種結晶３とがこの順に積層された積層体５を加熱処理し、台座１上方に種結晶３を固定する第３工程と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】台座から分離された、欠陥の少ないＳｉＣ結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】炭素からなる台座の主面上に昇華法により炭化珪素結晶を形成する工程Ｓ１と、炭化珪素結晶を台座とを一体で取り出し、台座のうち炭化珪素結晶と接する部分が残存するように台座の一部をワイヤーソーを用いた切断などにより除去する工程Ｓ２と、台座の残部と炭化珪素結晶を加熱装置の内部空間に収容し、酸素含有雰囲気で加熱することにより台座の炭素を酸化してより炭化珪素結晶から台座を除去する工程Ｓ３とを備える。 （もっと読む）

【課題】優れた特性のデバイスを安定して製造することが可能な炭化珪素基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素基板８０は、炭化珪素の単結晶からなり、幅が１００ｍｍ以上、マイクロパイプ密度が７ｃｍ^-2以下、貫通螺旋転位密度が１×１０⁴ｃｍ^-2以下、貫通刃状転位密度が１×１０⁴ｃｍ^-2以下、基底面転位密度が１×１０⁴ｃｍ^-2以下、積層欠陥密度が０．１ｃｍ^-1以下、導電性不純物濃度が１×１０¹⁸ｃｍ^-2以上、残留不純物濃度が１×１０¹⁶ｃｍ^-2以下、Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ Ｐｈａｓｅ Ｉｎｃｌｕｓｉｏｎｓが１個・ｃｍ^-3以下である。 （もっと読む）

【課題】マイクロパイプ密度が低く、かつ断面積の大きなマイクロパイプのない炭化珪素基板を提供する。
【解決手段】縁領域６０は５ミリメートル幅のものである。有効領域７０は、縁領域６０に囲まれており、かつ１００平方センチメートル以上の面積を有する。有効領域７０には、断面積が１平方マイクロメートル超のマイクロパイプが存在していない。有効領域７０は、有効領域の７０％以上を占める複数の高品質領域７１を含む。複数の高品質領域７１の各々は、四角形の形状を有し、かつ１平方センチメートル以上の面積を有し、かつ１平方センチメートル当たり１個以下のマイクロパイプ密度を有する。 （もっと読む）

【課題】基底面転位の少ない結晶性に優れた炭化珪素単結晶基板を取り出せる炭化珪素単結晶の製造方法、得られた炭化珪素単結晶インゴット、及びそれから取り出した炭化珪素単結晶基板を提供する。
【解決手段】昇華再結晶法による結晶成長中に基底面転位を貫通刃状転位に構造変換させることで基底面転位を低減させることを特徴とする、基底面転位の少ない高品質炭化珪素単結晶の製造方法であり、また、これによって得られた炭化珪素単結晶インゴットであり、更にはこれから取り出した炭化珪素単結晶基板である。 （もっと読む）

【課題】高品質の窒化アルミニウム単結晶を製造することができる窒化アルミニウム単結晶の製造方法及び製造装置を提供すること。
【解決手段】成長容器２内に内側ガス導入部２ｆを経て窒素ガスを導入するとともに成長容器２内のガスをガス排出部２ｅを経て排出させながら、成長容器２内に収容した窒化アルミニウムからなる原料を昇華させ、成長容器２内の種結晶１０上に結晶１２を成長させて窒化アルミニウム単結晶を得る結晶成長工程を含み、結晶成長工程において、成長容器２を収容する反応管３内に外側ガス導入部３ｂを経て、窒素ガス又は窒化アルミニウムの生成反応に対する不活性ガスからなる外側ガスを導入することにより、ガス排出部２ｅの外側に外側ガスを流す窒化アルミニウム単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】昇華法によるＳｉＣ単結晶等の製造において、高品質な単結晶を低コストで得る単結晶製造装置を提供する。
【解決手段】単結晶製造装置８は、蓋部に種結晶支持部を有し、昇華原料を収容する円筒形の坩堝１と、坩堝１の周囲に設置する誘導加熱コイル７と、坩堝１の下方に設けられた成形断熱材２と、坩堝１と成形断熱材２の間に設けられたグラファイト製円筒耐熱材３と、を備える。前記構成により、成形断熱材２の断熱性の再現性、均一性のばらつきに起因する坩堝温度のばらつきを防ぐことができるので、結晶成長条件が安定化し、高品質な単結晶が得られる。 （もっと読む）

【課題】高濃度のドーパントを含有し、高い導電率及び移動度を有し且つ大きなスケールのＡｌＮ又はＡｌＧａＮ結晶を製造する方法を提供する。
【解決手段】複数の不純物種を含む混晶を形成し、その混晶の少なくとも一部中において、１つの不純物種を電気的に活性化させる。混晶の形成には、多結晶ソースを用いた昇華−再凝縮法を利用する。その際、複数の不純物種を含むソース化合物を多結晶ソースに含有させるか、又はソース化合物のガス前駆体を蒸気混合物に導入することによって行う。 （もっと読む）

【課題】高品質かつ長尺な単結晶を得る方法を提供する。
【解決手段】坩堝１内には、単結晶９の原料２および種結晶４が対向配置される。また坩堝１内には、原料２が昇華したガスを種結晶４へと導くガイド３および種結晶４の周囲を囲みタンタル又は炭化タンタルから成るタンタルリング６が配設される。坩堝１の内壁、ガイド３およびタンタルリング６で囲まれる密閉空間には、断熱材５が配設される。以上の構成の坩堝１を加熱して原料２を昇華させることにより、種結晶４上に単結晶９を成長させる。 （もっと読む）

【課題】蛍光体に過大な力を加えることなく製造することができ、得られる蛍光体粉末の大きさのばらつきを抑制することのできる直方体状の蛍光体粉末の製造方法を提供する。
【解決手段】蛍光体粉末を製造するにあたり、成長基板上に、所定の励起光で励起されると波長変換光を発する単結晶の蛍光体を成長させる蛍光体成長工程と、成長された単結晶の蛍光体を機械的に分割して直方体状の蛍光体粉末とする分割工程と、により、直方体状の粉末が得られるようにした。 （もっと読む）

【課題】高品質で、かつ長尺とされた炭化珪素単結晶を製造可能な炭化珪素単結晶製造装置、及び炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】坩堝３１内の台座３３に取り付けた炭化珪素種結晶３５の成長面３５ａに、原料ガスを供給して、炭化珪素種結晶３５に炭化珪素単結晶７１を成長させる炭化珪素単結晶製造装置であって、台座３３の厚さを薄くすることが可能な構成とし、炭化珪素単結晶７１の成長に応じて、台座３３の厚さを薄くする。 （もっと読む）

【課題】純度の向上と、収率の低下とのトレードオフ関係を改善した炭化珪素単結晶育成用原料の製造方法を提供する。
【解決手段】炭素坩堝を用いた昇華再結晶法による結晶成長に際して形成され、炭素坩堝１に結合した再結晶析出物を、炭素坩堝１ごと粉砕し、再結晶析出物が結合した状態で破片となった炭素坩堝材に水を浸透させる、水が浸透した破片状の炭素坩堝材に対して、水が凍結、融解する温度での温度サイクルを複数回繰り返した後、温度サイクルをかけられた炭素坩堝材を粉砕して炭化珪素単結晶育成用原料とする。 （もっと読む）

【課題】昇華法によるＳｉＣの結晶成長において、温度測定用の穴に昇華した物質が析出することを抑制して、精度の良い温度測定が長時間可能なＳｉＣ成長装置を提供する。
【解決手段】種基板１５及びＳｉＣ原料１８を収容する成長容器１４と、該成長容器１４を囲う断熱材１１と、該断熱材１１に設けた温度測定用の穴２１を通して、前記成長容器内１４の温度を測定する温度測定器１３と、前記ＳｉＣ原料１８を加熱するヒーター１７とを備え、昇華法により、前記ＳｉＣ原料１８を加熱して昇華させ、前記種基板１５上にＳｉＣ１６を結晶成長させるＳｉＣ成長装置１０であって、前記温度測定用の穴２１の内周は、前記断熱材１１の他の部分よりもかさ密度が高く、かつ、研磨された内壁部１２が形成されたものであるＳｉＣ成長装置。 （もっと読む）

【課題】精度良く温度測定を行うことができ、かつ、原料の未昇華を防止し、結晶性の良いＳｉＣを生産性良く成長させることができるＳｉＣ成長装置を提供することを目的とする。
【解決手段】ＳｉＣ原料を収容するルツボ及び前記ＳｉＣ原料に対向するように種基板が取り付けられる上蓋からなる成長容器と、該成長容器を囲う断熱材と、該断熱材に設けられた温度測定用の穴を通して、前記ルツボ内の温度を測定する温度測定器と、前記ＳｉＣ原料を加熱するヒーターとを備え、昇華法により、前記ＳｉＣ原料を加熱して昇華させ、前記種基板上にＳｉＣを結晶成長させるＳｉＣ成長装置であって、前記ルツボの底部の下面の少なくとも一部が、該下面から下方に突出した側壁を有し、前記断熱材に設けられた温度測定用の穴が、前記ルツボの底部の下面にまで貫通しているものであるＳｉＣ成長装置。 （もっと読む）