説明

Fターム[4G077SA04]の内容

結晶、結晶のための後処理 (61,211) | PVD (1,258) | 成長結晶の形状(例;塊状) (773) | 基板上に成長 (401)

Fターム[4G077SA04]に分類される特許

1 - 20 / 401


【課題】 結晶基板の利用率の低下を抑制しつつ、単結晶基板の特徴を目視で判別可能な単結晶基板、及び、その単結晶基板の製造方法を提供する。
【解決手段】
主面10を有する単結晶基板1Aであって、主面10には、垂直方向zに凹み、垂直方向zから視て、直線状に延びる少なくとも1つ以上の直線凹部50が設けられ、少なくとも1つ以上の直線凹部50に含まれる第1直線凹部50aの延在方向e1は、単結晶基板1Aの結晶方位a3と一致する。 (もっと読む)


【課題】単結晶銀ナノワイヤを利用した光学ナノアンテナ及びその製造方法、単結晶金属ナノワイヤを利用した光学ナノアンテナを提供すること。
【解決手段】光学ナノアンテナは、単結晶銀ナノワイヤを含む。前記単結晶銀ナノワイヤは可視光線領域の全波長帯域の入射光に基づいて複数のローブが前記単結晶銀ナノワイヤを中心に放射状に配置されるマルチローブ形態の放射パターンを含む光学アンテナ放射パターンを出力することによって、可視光線領域内の全波長範囲で作動することができ、多重共鳴及び広いスペクトル範囲を有することができる。 (もっと読む)


【課題】高品質なSiC単結晶を高速に成長させる単結晶製造方法を提供する。
【解決手段】SiC単結晶の製造方法は、(a)SiC粉末2aとC粉末3、あるいは部分炭化させたSiC粉末を、原料粉末として準備する工程と、(b)工程(a)の後、原料粉末を用いた昇華法により、シリコンドロップレットを抑制しながらSiC単結晶を高速成長させる工程と、を備える。前記工程(a)においては、前記原料粉末のシリコンに対する炭素の割合を1.04〜1.14とし、また、前記工程(b)においては、結晶成長面近傍と原料粉末近傍の温度差を200℃以上とすることが望ましい。 (もっと読む)


【課題】中空欠陥や介在物の少ないSiC単結晶及びその製造方法、このようなSiC単結晶から製造されるSiCウェハ及び半導体デバイス、並びに、中空欠陥や介在物の少ないSiC単結晶の製造に適したSiC単結晶製造用原料を提供すること。
【解決手段】{0001}面に略垂直な面を成長面とする種結晶を用いて、前記成長面上にSiCを成長させることにより得られる単結晶からなり、前記単結晶の成長方向に略平行に伸びる中空欠陥の密度が600個/cm2以下であるSiC単結晶、並びに、これを用いたSiCウェハ及び半導体デバイス。このようなSiC単結晶は、SiC粉末の質量の2%以上を予備昇華させることにより得られるSiC単結晶製造用原料を用いて、a面成長基板上に単結晶を成長させることにより得られる。 (もっと読む)


【課題】複数の単結晶基板を有する炭化珪素基板であって、かつ単結晶基板間の隙間が十分に充填されているものを提供する。
【解決手段】複数の単結晶基板11a,12a,13aの各々に接合されたベース層30を有する複合基板が形成される。複数の単結晶基板11a,12a,13aは、ベース層30上において互いに離されていることによって、互いに隣り合う複数の単結晶基板11a,12a,13aの各々の端面によって構成された側壁と、ベース層で構成された底面とを有する溝部TRaを形成している。溝部TRaに対向するように、炭化珪素からなる原料部29が配置される。原料部29から昇華させた炭化珪素を底面上において再結晶させることによって、溝部TRaが充填される。 (もっと読む)


【課題】デバイス製造のために改善された特性が与えられているSiCバルク単結晶を製造する方法及び単結晶SiC基板を提供する。
【解決手段】SiCバルク単結晶を製造する方法において、成長坩堝3の結晶成長領域にSiC成長気相が生成され、中心縦軸を有するSiCバルク単結晶をSiC成長気相からの堆積によって成長させ、このとき堆積は成長しているSiCバルク単結晶の成長境界面のところで行われ、SiC成長気相が、少なくとも部分的に、成長坩堝の備蓄領域にあるSiCソース材料から供給され、窒素、アルミニウム、バナジウム及びホウ素からなる群に属する少なくとも1つのドーピング物質を含んでおり、結晶成長領域はSiC表面区画と炭素表面区画とによって区切られ、SiC表面区画割合を炭素表面区画割合によって除算することで得られるSiC/Cの面積比率が常に1よりも小さい値を有するように選択され、最初に注入される前記SiCソース材料で20%から40%の間の過剰炭素が供給される。 (もっと読む)


【課題】デバイス製造のために改善された特性が与えられているSiCバルク単結晶を製造する方法及び単結晶SiC基板を提供する。
【解決手段】SiCバルク単結晶を製造する方法において、成長坩堝3の結晶成長領域にSiC成長気相が生成され、中心縦軸を有するSiCバルク単結晶をSiC成長気相からの堆積によって成長させ、このとき堆積は成長しているSiCバルク単結晶2の成長境界面のところで行われ、SiC成長気相が、少なくとも部分的に、成長坩堝の備蓄領域にあるSiCソース材料から供給され、窒素、アルミニウム、バナジウム及びホウ素からなる群に属する少なくとも1つのドーピング物質を含んでおり、結晶成長領域はSiC表面区画と炭素表面区画とによって区切られ、SiC表面区画割合を炭素表面区画割合によって除算することで得られるSiC/Cの面積比率が常に0.01よりも小さい値を有するように選択される。 (もっと読む)


【課題】昇華法による単結晶インゴットの製造において使用される黒鉛ルツボ等の耐久性に優れた高耐熱部材を提供する。
【解決手段】等方性黒鉛からなる黒鉛基材と、この黒鉛基材の表面を被覆する炭化物(炭化タンタル等)からなる炭化物被膜とを有する高耐熱部材であって、炭化物被膜は、(111)面におけるX線回折スペクトルの回折ピークの半値全幅が0.2°以下となる大きさの結晶子が無配向に集積した無配向粒状組織からなることを特徴とする。この炭化物被膜の配向性は、X線回折スペクトルに基づいてLotgering法により算出される配向度(F)がいずれのミラー(Miller)面についても−0.2〜0.2であるか否かにより判定できる。無配向粒状組織からなる炭化物被膜は、クラックの発生や進展を生じ難く、高温環境下でも安定している。従って、この炭化物被膜で表面が被覆された高耐熱部材も、優れた耐久性を発揮する。 (もっと読む)


【課題】単結晶成長表面と原料表面との温度差をより一層増加可能で、長時間に亘る成長でも、成長速度が落ちることなく結晶成長を行うことが可能な化合物半導体単結晶の製造装置および製造方法を提供する。
【解決手段】成長容器1内の一端側に種結晶9を、他端側に原料6を配置し、原料6を昇華させて単結晶5を製造する製造装置100であって、加熱炉4と、成長容器1の周囲に配置され加熱炉4内を低温区画17と高温区画18に仕切る熱遮蔽部材12と、高温区画内18にあって成長容器1の他端側の周囲に配置される原料加熱手段3と、成長容器1を支持した状態で移動可能な支持部2とを備え、支持部2は単結晶5を成長させるときに、単結晶成長部15が低温区画17に存在し、原料部16が高温区画18に存在するように、低温区画17側に成長容器1を移動可能であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】結晶成長面内の温度分布のバラつきを低減し、良好な結晶性を有する単結晶を提供可能な単結晶の製造装置、および単結晶の製造方法の提供。
【解決手段】本発明の単結晶の製造装置20は、単結晶の原料6を配置する原料配置部4a及び種結晶5を原料6に対して対向配置する種結晶配置部7aを有する成長容器10と、成長容器10を加熱する加熱手段8とを備え、成長容器10は、その内部空間Sにおける縦断面の形状が矩形状であり、前記矩形状の縦断面における長辺と短辺のアスペクト比(長辺寸法/短辺寸法)が2よりも大きく、種結晶配置部7aは、成長容器10の内部空間Sを前記長辺方向に3等分に区画したとき、中央の区画に配置されることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】単結晶成長時に台座と種結晶との間に空隙が生じることを抑制可能な窒化アルミニウム種結晶の固定方法、該固定方法を用いて得られる台座−種結晶固定体、前記固定方法を用いて固定された種結晶を用いた窒化アルミニウム単結晶の製造方法、及び該製造方法により得られる窒化アルミニウム単結晶の提供。
【解決手段】本発明の窒化アルミニウム種結晶の固定方法は、窒化アルミニウム単結晶を成長させるための窒化アルミニウム種結晶を台座に固定する方法であって、タングステンまたはタンタルを含んでなる台座1の一面上に、融点1900℃以下で且つ加熱処理により前記台座と反応しうる金属材料からなる金属層2を形成する第1工程と、金属層2上に窒化アルミニウムの種結晶3を配置する第2工程と、台座1と金属層2と種結晶3とがこの順に積層された積層体5を加熱処理し、台座1上方に種結晶3を固定する第3工程と、を備えることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】台座から分離された、欠陥の少ないSiC結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】炭素からなる台座の主面上に昇華法により炭化珪素結晶を形成する工程S1と、炭化珪素結晶を台座とを一体で取り出し、台座のうち炭化珪素結晶と接する部分が残存するように台座の一部をワイヤーソーを用いた切断などにより除去する工程S2と、台座の残部と炭化珪素結晶を加熱装置の内部空間に収容し、酸素含有雰囲気で加熱することにより台座の炭素を酸化してより炭化珪素結晶から台座を除去する工程S3とを備える。 (もっと読む)


【課題】優れた特性のデバイスを安定して製造することが可能な炭化珪素基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素基板80は、炭化珪素の単結晶からなり、幅が100mm以上、マイクロパイプ密度が7cm-2以下、貫通螺旋転位密度が1×104cm-2以下、貫通刃状転位密度が1×104cm-2以下、基底面転位密度が1×104cm-2以下、積層欠陥密度が0.1cm-1以下、導電性不純物濃度が1×1018cm-2以上、残留不純物濃度が1×1016cm-2以下、Secondary Phase Inclusionsが1個・cm-3以下である。 (もっと読む)


【課題】ホモエピタキシャル成長法を用いて伝導特性に優れたβ−Ga単結晶膜を形成することができるβ−Ga単結晶膜の製造方法、及びその方法により形成されたβ−Ga系単結晶膜を含む結晶積層構造体を提供する。
【解決手段】分子線エピタキシー法により、β−Ga結晶をβ−Ga基板2上、又はβ−Ga基板2上に形成されたβ−Ga系結晶層上にホモエピタキシャル成長させ、成長の間にβ−Ga結晶に一定周期で間欠的にSnを添加する工程を含む方法により、Sn添加β−Ga単結晶膜3を製造する。 (もっと読む)


【課題】マイクロパイプ密度が低く、かつ断面積の大きなマイクロパイプのない炭化珪素基板を提供する。
【解決手段】縁領域60は5ミリメートル幅のものである。有効領域70は、縁領域60に囲まれており、かつ100平方センチメートル以上の面積を有する。有効領域70には、断面積が1平方マイクロメートル超のマイクロパイプが存在していない。有効領域70は、有効領域の70%以上を占める複数の高品質領域71を含む。複数の高品質領域71の各々は、四角形の形状を有し、かつ1平方センチメートル以上の面積を有し、かつ1平方センチメートル当たり1個以下のマイクロパイプ密度を有する。 (もっと読む)


【課題】半導体材料として用いられるIII族窒化物結晶と接合膜として用いられる酸化物膜との間の接合強度が高い複合体の製造方法を提供する。
【解決手段】本複合体の製造方法は、III族窒化物結晶11と酸化物膜12とを含む複合体10の製造方法であって、III族窒化物結晶11を準備する工程と、III族窒化物結晶11上に酸化物膜12を形成することにより複合体10を作製する工程と、複合体10を500℃以上1100℃以下で熱処理する工程と、を含む。 (もっと読む)


【課題】複数のチップ基板を用いて、大型で結晶性の高いIII族窒化物結晶を成長させるIII族窒化物結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】本III族窒化物結晶の成長方法は、(0001)面からのオフ角ψを有する主面10mと複数の側面10sとを有し、側面10sのそれぞれの法線Na,Nb,Ncと<0001>軸を主面に投影した方向Chとのなす角α,β,γが90°以外の角であるIII族窒化物チップ基板10を複数準備する工程と、複数のIII族窒化物チップ基板10を、III族窒化物チップ基板10のそれぞれの<0001>軸Cの方向が互いに平行になるように側面10sを互いに隣接させて配置する工程と、配置された複数のIII族窒化物チップ基板10の主面10m上にIII族窒化物結晶20を成長させる工程と、を含む。 (もっと読む)


【課題】基底面転位の少ない結晶性に優れた炭化珪素単結晶基板を取り出せる炭化珪素単結晶の製造方法、得られた炭化珪素単結晶インゴット、及びそれから取り出した炭化珪素単結晶基板を提供する。
【解決手段】昇華再結晶法による結晶成長中に基底面転位を貫通刃状転位に構造変換させることで基底面転位を低減させることを特徴とする、基底面転位の少ない高品質炭化珪素単結晶の製造方法であり、また、これによって得られた炭化珪素単結晶インゴットであり、更にはこれから取り出した炭化珪素単結晶基板である。 (もっと読む)


【課題】結晶性の高い窒化アルミニウム単結晶を高収率で製造することができる窒化アルミニウム単結晶の製造方法を提供すること。
【解決手段】成長容器7内に収容した窒化アルミニウム原料6を加熱して昇華させ、成長容器7の内壁面に固定した種結晶13の表面上に窒化アルミニウムの単結晶19を成長させて窒化アルミニウム単結晶を製造する単結晶成長工程を含む窒化アルミニウム単結晶の製造方法であって、単結晶成長工程が、種結晶13の表面のうち結晶成長面13aが窒化アルミニウム単結晶19で全面的に覆われるまでは成長容器7を開放し、成長容器7内に窒素ガスを導入する開放工程と、種結晶13の表面の結晶成長面13aが窒化アルミニウム単結晶19で全面的に覆われた後は成長容器7を密閉する密閉工程とを含む、窒化アルミニウム単結晶の製造方法。 (もっと読む)


【課題】高品質の窒化アルミニウム単結晶を製造することができる窒化アルミニウム単結晶の製造方法及び製造装置を提供すること。
【解決手段】成長容器2内に内側ガス導入部2fを経て窒素ガスを導入するとともに成長容器2内のガスをガス排出部2eを経て排出させながら、成長容器2内に収容した窒化アルミニウムからなる原料を昇華させ、成長容器2内の種結晶10上に結晶12を成長させて窒化アルミニウム単結晶を得る結晶成長工程を含み、結晶成長工程において、成長容器2を収容する反応管3内に外側ガス導入部3bを経て、窒素ガス又は窒化アルミニウムの生成反応に対する不活性ガスからなる外側ガスを導入することにより、ガス排出部2eの外側に外側ガスを流す窒化アルミニウム単結晶の製造方法。 (もっと読む)


1 - 20 / 401