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Fターム[4G077SA12]の内容

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Fターム[4G077SA12]に分類される特許

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【課題】複数の単結晶基板を有する炭化珪素基板であって、かつ単結晶基板間の隙間が十分に充填されているものを提供する。
【解決手段】複数の単結晶基板11a,12a,13aの各々に接合されたベース層30を有する複合基板が形成される。複数の単結晶基板11a,12a,13aは、ベース層30上において互いに離されていることによって、互いに隣り合う複数の単結晶基板11a,12a,13aの各々の端面によって構成された側壁と、ベース層で構成された底面とを有する溝部TRaを形成している。溝部TRaに対向するように、炭化珪素からなる原料部29が配置される。原料部29から昇華させた炭化珪素を底面上において再結晶させることによって、溝部TRaが充填される。 (もっと読む)


【課題】単結晶成長時に台座と種結晶との間に空隙が生じることを抑制可能な窒化アルミニウム種結晶の固定方法、該固定方法を用いて得られる台座−種結晶固定体、前記固定方法を用いて固定された種結晶を用いた窒化アルミニウム単結晶の製造方法、及び該製造方法により得られる窒化アルミニウム単結晶の提供。
【解決手段】本発明の窒化アルミニウム種結晶の固定方法は、窒化アルミニウム単結晶を成長させるための窒化アルミニウム種結晶を台座に固定する方法であって、タングステンまたはタンタルを含んでなる台座1の一面上に、融点1900℃以下で且つ加熱処理により前記台座と反応しうる金属材料からなる金属層2を形成する第1工程と、金属層2上に窒化アルミニウムの種結晶3を配置する第2工程と、台座1と金属層2と種結晶3とがこの順に積層された積層体5を加熱処理し、台座1上方に種結晶3を固定する第3工程と、を備えることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】台座から分離された、欠陥の少ないSiC結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】炭素からなる台座の主面上に昇華法により炭化珪素結晶を形成する工程S1と、炭化珪素結晶を台座とを一体で取り出し、台座のうち炭化珪素結晶と接する部分が残存するように台座の一部をワイヤーソーを用いた切断などにより除去する工程S2と、台座の残部と炭化珪素結晶を加熱装置の内部空間に収容し、酸素含有雰囲気で加熱することにより台座の炭素を酸化してより炭化珪素結晶から台座を除去する工程S3とを備える。 (もっと読む)


【課題】優れた特性のデバイスを安定して製造することが可能な炭化珪素基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素基板80は、炭化珪素の単結晶からなり、幅が100mm以上、マイクロパイプ密度が7cm-2以下、貫通螺旋転位密度が1×104cm-2以下、貫通刃状転位密度が1×104cm-2以下、基底面転位密度が1×104cm-2以下、積層欠陥密度が0.1cm-1以下、導電性不純物濃度が1×1018cm-2以上、残留不純物濃度が1×1016cm-2以下、Secondary Phase Inclusionsが1個・cm-3以下である。 (もっと読む)


【課題】良好な結晶を安定して成長させることができる分子線結晶成長装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】原料を放出する開口11aを有する坩堝11と、坩堝11の外周及び開口11aの縁を覆う遮蔽部材18と、遮蔽部材18を冷却する冷却部材21と、坩堝11に対向するように基板を保持する基板保持部材と、が設けられている。遮蔽部材18には、鉛直上方から坩堝11を覆う被覆部19が設けられている。 (もっと読む)


【課題】高品質かつ長尺な単結晶を得る方法を提供する。
【解決手段】坩堝1内には、単結晶9の原料2および種結晶4が対向配置される。また坩堝1内には、原料2が昇華したガスを種結晶4へと導くガイド3および種結晶4の周囲を囲みタンタル又は炭化タンタルから成るタンタルリング6が配設される。坩堝1の内壁、ガイド3およびタンタルリング6で囲まれる密閉空間には、断熱材5が配設される。以上の構成の坩堝1を加熱して原料2を昇華させることにより、種結晶4上に単結晶9を成長させる。 (もっと読む)


【課題】高品質で、かつ長尺とされた炭化珪素単結晶を製造可能な炭化珪素単結晶製造装置、及び炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】坩堝31内の台座33に取り付けた炭化珪素種結晶35の成長面35aに、原料ガスを供給して、炭化珪素種結晶35に炭化珪素単結晶71を成長させる炭化珪素単結晶製造装置であって、台座33の厚さを薄くすることが可能な構成とし、炭化珪素単結晶71の成長に応じて、台座33の厚さを薄くする。 (もっと読む)


【課題】加工コストや加工時間を増大させることなく、欠陥や割れの少ない長尺な単結晶を製造可能な単結晶製造装置及びこれを用いた単結晶の製造方法、並びに、このような方法を用いて製造された単結晶及びウェハを提供すること。
【解決手段】ガイド部材24の内底面に種結晶4を固定し、ガイド部材24の周囲に温度勾配調節部材26を配置する。単結晶6の成長過程において、単結晶6の成長面側近傍ではガイド部材24の外側から単結晶6に向かって熱が流入し、かつ、単結晶6の種結晶4側近傍では単結晶6からガイド部材24の外側に向かって熱が放出する温度勾配を生ずるように、ガイド部材24と温度勾配調節部材26の相対位置を調節しながら、原料2を加熱し、種結晶4上に単結晶6を成長させる。 (もっと読む)


【課題】精度良く温度測定を行うことができ、かつ、原料の未昇華を防止し、結晶性の良いSiCを生産性良く成長させることができるSiC成長装置を提供することを目的とする。
【解決手段】SiC原料を収容するルツボ及び前記SiC原料に対向するように種基板が取り付けられる上蓋からなる成長容器と、該成長容器を囲う断熱材と、該断熱材に設けられた温度測定用の穴を通して、前記ルツボ内の温度を測定する温度測定器と、前記SiC原料を加熱するヒーターとを備え、昇華法により、前記SiC原料を加熱して昇華させ、前記種基板上にSiCを結晶成長させるSiC成長装置であって、前記ルツボの底部の下面の少なくとも一部が、該下面から下方に突出した側壁を有し、前記断熱材に設けられた温度測定用の穴が、前記ルツボの底部の下面にまで貫通しているものであるSiC成長装置。 (もっと読む)


【課題】高品質でかつ長尺な単結晶を製造することができる炭化珪素単結晶製造装置、炭化珪素単結晶の製造方法及びその成長方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る炭化珪素単結晶製造装置は、原料ガスを炭化珪素種結晶5側に案内するガイド部材7を備え、坩堝3は、上下方向に互いに相対移動可能な坩堝上部3aと坩堝下部3bとからなり、ガイド部材7は、坩堝上部3aに固定されたガイド部材上部7aと、坩堝下部3bに固定されたガイド部材下部7bとからなり、ガイド部材上部7a及びガイド部材下部7bの少なくとも一方に孔部10が設けられており、ガイド部材上部7aとガイド部材下部7bとは、坩堝上部3a及び坩堝下部3bの相対移動により、孔部10が開閉するように配置されている、ことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】良好な品質を有する炭化ケイ素単結晶を製造することが可能な炭化ケイ素単結晶の製造装置及び当該装置で製造された炭化ケイ素単結晶により作製される炭化ケイ素単結晶基板を提供する。
【解決手段】改良レイリー法により炭化ケイ素単結晶を製造する装置であって、台座20は、当該台座20の外周側面が種基板30の外周側面よりも外側に位置するとともに、種基板30を保持するフィクサー21を当該台座20の外周側面から下側に向けて当該台座20の底面20aよりも下側に突き出た状態で備えており、種基板30は、当該種基板30の一方の面(裏面)と台座20の底面20aとの間に接着剤が一切塗布されず、当該種基板30の外周側面とフィクサー21との間に接着剤Gが塗布された状態で当該フィクサー21に保持されて固定されている。 (もっと読む)


【課題】種結晶基板を用いた昇華法であっても、品質の良い結晶を得ることのできる自立基板の製造方法、この製造方法により製造されたAlN自立基板、及び、このAlN自立基板を用いたIII族窒化物半導体デバイスを提供する。
【解決手段】自立基板の製造にあたり、種結晶基板としてSiC基板6の表面上に昇華法により成長材料としてAlNを成長させるとともに、成長材料の成長時に種結晶基板を昇華させる。これにより、成長材料の成長時に種結晶基板が除去されるので、成長材料と種結晶基板6の熱膨張係数等の違いに起因して成長材料中に欠陥が生じることは殆どない。 (もっと読む)


【課題】種結晶付近の炭化珪素単結晶から製造された炭化珪素単結晶ウエハにクラックが発生することを抑制し、歩留まりを向上させた炭化珪素単結晶ウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素からなる種結晶100を坩堝50の一方側に配置し、炭化珪素単結晶300の原料20を坩堝50の他方側に配置する。次に、原料20を加熱し、種結晶100上に炭化珪素単結晶300を成長させる。その後、種結晶100を坩堝50から取り外し、坩堝50の蓋体40側に面していた種結晶100の表面層を除去した後に、炭化珪素単結晶300をスライスする。 (もっと読む)


【課題】種結晶に起因した炭化珪素単結晶の品質の低下を抑制可能な炭化珪素単結晶の製造方法及び炭化珪素単結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】種結晶100の主面100bが開口部側に向き、種結晶100の主面100aが底部33側に向くように、種結晶100を固定部材200に固定し、炭化珪素部材150の主面100aは、種結晶100の主面100bに対向し、炭化珪素部材150の主面100aと種結晶100の主面100bとの間に空間Sを設けて、炭化珪素部材150を固定する。 (もっと読む)


【課題】より高純度な炭化珪素単結晶を得ることができる炭化珪素単結晶の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】この発明に係る炭化珪素単結晶の製造方法は、炭化珪素多結晶インゴット形成用の坩堝1内で、珪素と炭素を原料2とする昇華再結晶法によって炭化珪素多結晶インゴット7を形成する工程と、種結晶取り付け部8cに種結晶基板11が取り付けられた炭化珪素単結晶形成用の坩堝8内で、昇華再結晶法によって炭化珪素多結晶インゴット7を昇華させて炭化珪素単結晶インゴット12を形成する工程と、を備えた (もっと読む)


【課題】改良型レーリー法により炭化珪素単結晶を作製する場合において、結晶成長中、特に結晶成長の初期の段階で発生する欠陥を低減することができ、欠陥密度の低い高品質の炭化珪素単結晶を製造することができる炭化珪素単結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】対称軸を有する坩堝と対称軸を有する種結晶を用いて昇華再結晶法により炭化珪素単結晶インゴットを製造する装置であり、種結晶の対称軸に対して非軸対称な温度分布を持つ加熱を行うと共に、その非軸対称な温度分布の中で種結晶の対称軸を中心にして、種結晶と成長している結晶を回転させながら結晶成長を行う炭化珪素単結晶インゴットの製造装置であり、結晶成長中の結晶欠陥の発生を抑制し、欠陥の少ない高品質の炭化珪素単結晶を製造する。 (もっと読む)


【課題】高品質で且つ空隙の発生が十分に抑制される単結晶を形成することができる種結晶保持体の製造方法及びこれを用いた単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】基材9と、基材9の上に接合部11を介して接合される種結晶10とを備える種結晶保持体8の製造方法であって、基材9上に気相法により種結晶10と同一材料からなる多結晶体を接合部11として形成する接合部形成工程と、接合部11において種結晶10を接合させる接合予定面の表面粗さを減少させて平滑化面を得る接合部表面粗さ減少工程と、接合部11の平滑化面に種結晶10を接合させる種結晶接合工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】高品質の窒化アルミニウム単結晶を製造することができる窒化アルミニウム単結晶の製造方法及び製造装置を提供すること。
【解決手段】成長容器2内にガス導入部2fを経て窒素ガスを導入するとともに成長容器2内のガスをガス排出部2eを経て排出させながら、成長容器2内に収容した窒化アルミニウムからなる原料1を昇華させ、成長容器2内の種結晶10から結晶12を成長させて窒化アルミニウム単結晶を得る窒化アルミニウム単結晶の製造方法において、ガス排出部2eの温度を、結晶12の先端部の温度よりも高くすることを特徴とする窒化アルミニウム単結晶の製造方法。 (もっと読む)


【課題】種結晶を蓋体に接着しないタイプの単結晶製造装置において、種結晶の破損や単結晶の品質低下を防止することができる単結晶製造装置を提供する。
【解決手段】単結晶製造装置の蓋体40の略中央部には、突部41が設けられている。突部41は、蓋体開口部を介して坩堝本体の内側に向けて突出するように配置される。種結晶10は、ガイド開口部43hに挿通された突部41の当接面41aと支持部432との間に配置される。突部41に形成されたねじ山41sが係合部431に形成されたねじ溝43gに螺合されることにより、当接面41aが種結晶10における結晶成長面とは反対の裏面全面を突部41に対して押圧するように形成されている。 (もっと読む)


【課題】SiC単結晶成長に伴う蓋材の変形によりSiC単結晶が劣化することを抑制する。
【解決手段】台座5を蓋材1bと別部材で構成すると共に、台座5の材料としてSiCと熱膨張係数がほぼ同じものを選択する。このようにすれば、SiC単結晶4の結晶成長後の冷却過程において蓋材1bにSiC多結晶が成長した影響で蓋材1bが変形したとしても、接合部材6を介して蓋材1bに貼り合わされた台座5にはその影響があまり伝わらない。さらに、台座5も加熱により熱膨張することになるが、台座5の熱膨張係数がSiCの熱膨張係数とほぼ同じになるようにしているため、SiC単結晶基板3は台座5の熱膨張係数の影響を殆ど受けないで済む。また、蓋材1bと台座5との間に薄板状の緩衝材7を配置し、緩衝材7の両面に接合部材8、9を配置する。これにより、より結晶成長後の蓋材1bの変形による影響が台座5に伝わり難くなるようにできる。 (もっと読む)


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