【課題】転位密度の小さい、良好なＧａＮ系半導体層を形成することができる、半導体層成長用基板と、それを用いた、特性に優れた半導体装置とを提供する。
【解決手段】半導体層成長用基板は、前記半導体層成長用基板を形成するＺｒＢ₂単結晶の、ａ軸の格子定数を、０．３１６９±０．００１ｎｍとした。半導体装置は、前記半導体層成長用基板と、前記半導体層成長用基板の主面上にエピタキシャル成長させたＧａＮ系半導体層とを備える。 （もっと読む）