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Fターム[4G077SC12]の内容

結晶、結晶のための後処理 (61,211) | 分子線エピタキシャル法 (139) | 成長装置 (48) | 分子線源 (21)

Fターム[4G077SC12]に分類される特許

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【課題】窒素の組成の均一性を向上可能な分子線結晶成長装置を提供する。
【解決手段】保持部材21は、窒素源装置17a、17bおよび粒子ビーム源15a、15bを保持する。この保持部材21の保持によって、窒素源装置17a、17bが窒素源装置17a、17bそれぞれに規定される供給軸Na、Nbの方向に窒素フラックスFa、Fbを提供できると共に、粒子ビーム源15a、15bが該粒子ビーム源15a、15bそれぞれに規定される供給軸Ma、Mbの方向にそれぞれの原料フラックスGa、Gbを提供できる。分子線結晶成長装置11では、粒子ビーム源15a、15bのための供給軸Ma、Mbは、基板ホルダ41の第1の領域41aと交差しており、また複数の窒素源装置17a、17bのための供給軸Na、Nbは、基板ホルダ41の第1の領域41aと異なる第2の領域41bと交差している。 (もっと読む)


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