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Fターム[4G077TA01]の内容

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【課題】ドーピングガスの種類の制約を受けずに、キャリア濃度の均一化を図ることができる周期表第13族金属窒化物半導体結晶の製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】成長面の周縁部にドーピングガスを吹きつけながら結晶成長させることによって、結晶内のキャリア濃度が均一な周期表第13族金属窒化物半導体結晶を製造することができる。 (もっと読む)


【課題】窒化物半導体結晶のクラック発生を抑制でき、窒化物半導体結晶の歩留の向上が図れる窒化物半導体結晶の製造方法、及び窒化物半導体エピタキシヤルウエハおよび窒化物半導体自立基板を提供する。
【解決手段】
種結晶基板上に窒化物半導体結晶を成長する窒化物半導体結晶の製造方法であって、前記窒化物半導体結晶の成長中に、前記種結晶基板の外周端部にエッチング作用を加えながら、前記窒化物半導体結晶を成長させる。 (もっと読む)


【課題】装置構成がシンプルであり、メンテナンス性にも優れ、しかも高品質なアルミニウム系III族窒化物単結晶を高生産性で製造することができるハイドライド気相エピタキシー装置を提供する。
【解決手段】III族ハロゲン化物ガスと窒素源ガスとを反応させて目的とするアルミニウム系III族窒化物単結晶を成長させる反応ゾーンを有する反応器本体20と、III族ハロゲン化物ガスを作り出すためにIII族元素の単体46とハロゲン原料ガスとを加熱下で反応させてIII族ハロゲン化物ガスを発生させるIII族源ガス発生部40と、III族源ガス発生部で製造されたIII族ハロゲン化物ガスを、反応器本体の反応ゾーン22へ供給するIII族ハロゲン化物ガス導入管50と、を有する。 (もっと読む)


【課題】結晶基板を安価に製造可能な手段を提供する。
【解決手段】本発明は、気相成長装置の基板保持具(10)に保持される下地基板(20)の結晶成長面(21)上に結晶膜(30)を成長させ、該結晶膜(30)から、2インチ、2.5インチ、3インチ、4インチ、5インチ、6インチ、50mm、75mm、100mm、125mm、150mmのうちのいずれか1つに略等しい直径Φを有する結晶基板(35)を製造する方法であって、前記基板保持具(10)は、前記下地基板(20)の結晶成長面(21)の一部を露出させる開口部(12)を備え、前記開口部(12)は、その輪郭に円弧状部(13)を含み、前記円弧状部(13)は、前記直径Φと略等しい直径を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】排出経路の詰まりを更に抑制し、よりSiC単結晶を長時間成長させることが可能なSiC単結晶製造装置を提供する。
【解決手段】台座9の外周にパージガス15が導入されるようにし、外周容器8bの内径が原料ガス3およびパージガス15の流動方向下流側に進むに連れて徐々に大きくなるようにする。これにより、パージガス15が外周容器8bの内周面に沿って流れる効果が高められるようにできる。したがって、効果的に排出経路にSiC多結晶が堆積することを抑制することが可能となり、SiC単結晶製造装置1をよりSiC単結晶を長時間成長させることが可能な構成にできる。 (もっと読む)


【課題】排出経路の詰まりをより広い範囲に渡って抑制し、よりSiC単結晶を長時間成長させることが可能なSiC単結晶製造装置を提供する。
【解決手段】原料ガス3のうちの未反応ガスの排出経路にパージガス拡散導入部材9、10cを配置し、パージガス拡散導入部材9、10cのほぼ全域でパージガス15を導入できるようにする。例えば、かさ密度が0.7×103kg/mm3以下の多孔質物質もしくは繊維状物質でパージガス拡散導入部材9、10cを構成する。これにより、排出経路の詰まりをより広い範囲に渡って抑制することが可能となり、SiC単結晶製造装置1をよりSiC単結晶を長時間成長させることが可能な構成にできる。 (もっと読む)


【課題】非極性面及び半極性面を主面とした結晶成長において、多結晶が発生することにより生じる、結晶の厚膜成長阻害を防ぐことを課題とする。
【解決手段】III族窒化物結晶からなり非極性面又は半極性面を主面とする下地基板上に、III族窒化物半導体結晶を成長させるIII族窒化物半導体結晶の製造方法において、前記主面からc軸方向に±90°傾斜した面をK面と定義したとき、該K面に対して特定の角度の面を有する側面を持った下地基板を用いることで多結晶発生の問題を解決する。 (もっと読む)


【課題】排出経路の詰まりを更に抑制し、かつ、SiC単結晶の成長表面の保温や形状制御を行い易くすることができるSiC単結晶製造装置を提供する。
【解決手段】反応容器7と成長結晶引上保温ガイド10との間に隙間を設け、この隙間を通じて原料ガス3のうちの未反応ガスが外側に排出されるようにする。つまり、台座9の外周を通過して真空容器6の上方から未反応ガスを排出する形態ではなく、台座9の下方においてSiC単結晶20の径方向外側に向かって未反応ガスを排出する形態とする。このため、台座9の外周を通過する場合と比較して、排出経路の幅を広くすることが可能になり、排出経路の詰まりを更に抑制することが可能になる。また、台座9の外周の排出経路の詰まりを見込む必要がないため、第2加熱装置14の制御に基づいてSiC単結晶20の成長表面の保温や形状制御を行うことが容易となる。 (もっと読む)


【課題】 軸オフのウェーハを得るための従来技術において、より大きな結晶は、一般に結晶の垂線から離れて配向され、ついで軸オフの種結晶を産生するためにウェーハが配向方向に向かって切断される。垂線から離れて結晶を配向することは、結晶と同じサイズのウェーハを切断するために利用可能な有効な層厚を低減する。
【解決手段】 半導体結晶および関連する成長方法が開示される。結晶は、種結晶部分と、種結晶部分上の成長部分とを含んでいる。種結晶部分および成長部分は、実質的に直立した円筒形の炭化ケイ素の単結晶を形成する。種結晶面は、成長部分と種結晶部分との間の界面を規定し、種結晶面は、直立した円筒形の結晶の基部に実質的に平行であり、単結晶の基底平面に関して軸オフである。成長部分は、種結晶部分のポリタイプを複製し、成長部分は、少なくとも約100mmの直径を有する。 (もっと読む)


【課題】ガイドに多結晶が付着することを抑制することができるSiC単結晶の製造装置および製造方法を提供する。
【解決手段】反応容器9には、中空部9bを構成する側部9dに当該反応容器9の中心軸に沿った導入通路9cを形成する。ガイド10には、内部が空洞とされて空洞部10cを構成すると共に空洞部10cを導入通路9cと連通する連通孔10dを形成し、筒部10aの内周壁面に空洞部10cと中空部9bとを連通する第1出口孔10eを形成する。そして、導入通路9cおよび空洞部10cを介して第1出口孔10eから不活性ガス16またはエッチングガスを中空部9bに導入する。 (もっと読む)


【課題】高品質の単結晶を成長させることができる単結晶の製造方法と、それに用いる種結晶固定剤とを提供する。
【解決手段】種結晶固定剤31を用いて台座41に種結晶11の裏面が固定される。種結晶11の裏面が固定される際、加熱により種結晶固定剤31が硬化させられる。種結晶固定剤31は、加熱されることによって難黒鉛化炭素となる樹脂と、ダイヤモンド微粒子とを含む。台座41に固定された種結晶上に単結晶が成長させられる。 (もっと読む)


【課題】クラックが入り難い高抵抗な窒化物半導体基板を提供する。
【解決手段】下地基板の表面に、第1の層Bと第2の層Fからなる窒化物半導体層1を形成し、その窒化物半導体層1を下地基板から分離して得られる直径40mm以上、厚さ200μm以上の自立した窒化物半導体基板10であって、第2の層Fは、その表面の面内の平均転位密度が1×103cm-2以上、1×108cm-2未満であると共に、電気抵抗率が0.02Ωcmより大きくなるように形成されており、第1の層Bは、第2の層Fよりも電気抵抗率が低くなるように形成されているものである。 (もっと読む)


【課題】Si元素を含む原料が目的とする結晶に取り込まれることなく副生物となるのを抑え、結晶中のSi濃度を安定に制御することができる、第13族窒化物結晶の製造方法を提供すること。
【解決手段】第13族元素、窒素元素およびSi元素を含む原料を用いて、Si取込効率10%以上で結晶成長を行うことにより、Si元素を含有する第13族窒化物結晶を製造する。 (もっと読む)


【課題】半導体デバイスを効率よく製造するために、基体の種類の如何を問わずに効率よく半導体ウエハを製造することができる半導体ウエハの製造方法、ならびにかかる製造方法に好適に用いられる複合基体および複合基板を提供する。
【解決手段】本半導体ウエハの製造方法は、基体10上に、表面のRMS粗さが10nm以下の基体表面平坦化層12を形成して複合基体1を得る工程と、複合基体1の基体表面平坦化層12側に半導体結晶層20aを貼り合わせて複合基板3A,3B,3Cを得る工程と、複合基板3A,3B,3Cの半導体結晶層20a上に少なくとも1層の半導体層30を成長させる工程と、基体表面平坦化層12をウェットエッチングで除去することにより、基体10から半導体結晶層20aを分離して、半導体結晶層20aおよび半導体層30を含む半導体ウエハ5を得る工程と、を含む。 (もっと読む)


【課題】 アルミニウム系III族窒化物単結晶の製造用原料に有効に使用できる三ハロゲン化アルミニウムガスを製造する方法を提供する。
【解決手段】固体アルミニウムとハロゲン系ガスとを接触させて三ハロゲン化アルミニウムガスを製造する方法において、固体アルミニウムとハロゲン系ガスとの接触温度を183℃以上300℃未満とし、固体アルミニウムの全表面積(S;cm)と、ハロゲン系ガスと固体アルミニウムとの平均接触時間(t;秒)との積(S×t;cm・秒)が750cm・秒以上250000cm・秒以下となるようにハロゲン系ガスガスとアルミニウムとを接触させることを特徴とする三ハロゲン化アルミニウムガスの製造方法である。 (もっと読む)


【課題】厚いGaN膜を成長中に剥離して、高品質のGaN自立基板を歩留まり良く製造することができる方法を提供することを目的とする。
【解決手段】GaN自立基板を製造する方法であって、サファイア基板上にZnO膜を形成する工程と、850℃以下の温度で前記ZnO膜上にGaN膜を剥離しないように形成する低温成長工程と、その後、昇温して950℃以上の温度で、GaN膜を追加形成するとともに該GaN膜を基板から剥離させて、GaN自立基板を得る高温成長工程とを含むことを特徴とするGaN自立基板の製造方法。 (もっと読む)


【課題】本発明は、基板のエピタキシャル成長面上にエピタキシャル層を成長させることに用いるマスク及びその使用方法に関する。
【解決手段】本発明のマスクにおいては、前記基板のエピタキシャル成長面上に複数の空隙を有する複数のパターン化カーボンナノチューブ層が形成される。前記パターン化カーボンナノチューブ層で前記基板のエピタキシャル成長面を覆う際に、前記基板のエピタキシャル成長面の一部は前記パターン化カーボンナノチューブ層の複数の空隙から露出される。エピタキシャル層は、前記基板の露出されたエピタキシャル成長面から成長される。 (もっと読む)


【課題】本発明は、エピタキシャル構造体及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明のエピタキシャル構造体の製造方法は、少なくとも一つの結晶面を有する基板を提供する第一ステップと、前記基板の結晶面に複数の空隙を含むカーボンナノチューブ層を配置する第二ステップと、前記基板の結晶面にエピタキシャル層を成長させる第三ステップと、を含む。 (もっと読む)


【課題】種基板の両末端周辺部における窒化ガリウム結晶の異常成長を抑制する方法を提供する。
【解決手段】種基板14を固定するポケット部12と、サセプター11と種基板14との間に、種基板14と反応しないサブサセプター13とを備えてなり、かつ、種基板14とサブサセプター13との間に間隙を有してなる、サセプター11を用いる。なお、間隙の大きさと、窒化ガリウム自立基板の厚みは、それぞれ、0mm超過2mm以下である。 (もっと読む)


【課題】III族窒化物半導体の転位密度の更なる低減と同時に、自立基板製造時および半導体素子製造時のケミカルリフトオフ所要時間の大幅な短縮が可能なIII族窒化物半導体を提供する。
【解決手段】基板上にAlN単結晶層またはAlを含むIII族窒化物単結晶層を0.005μm以上10μm以下の厚みで形成したAlNテンプレート基板又はサファイア基板を窒化処理したAlNテンプレート基板、もしくはAlN単結晶基板上に、ストライプ状の開口部を有するパターンマスクと、前記開口部に形成された金属窒化物層と、前記金属窒化物層上に形成されたIII族窒化物半導体層を有し、前記III族窒化物半導体層は前記金属窒化物層を核としたELO成長による連続膜である、III族窒化物半導体。 (もっと読む)


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