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Fターム[4G077TB02]の内容

Fターム[4G077TB02]に分類される特許

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【課題】基板の周方向における温度分布を均一にすることのできる成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜装置100は、反応ガス4が供給されて成膜処理が行われるチャンバ1と、チャンバ1に配置されて基板7が載置されるサセプタ8と、サセプタ8を下方から加熱するヒータ9とを有する。サセプタ8は、リング状の第1のサセプタ部8aと、第1のサセプタ部8aに接して設けられ、第1のサセプタ部8aの開口部分を遮蔽する第2のサセプタ部8bとを有し、第2のサセプタ部8bの加熱部に対向する面は水平面から傾斜している。また、第1のサセプタ部8aは、第2のサセプタ部8bの厚みに対応した周方向に異なる形状を有する。 (もっと読む)


【課題】積層欠陥の面密度が低減されたSiCエピタキシャルウェハ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のSiCエピタキシャルウェハの製造方法は、オフ角を有するSiC単結晶基板の成長面に存在する基底面転位(BPD)のうち、SiC単結晶基板上に形成された、所定膜厚のSiCエピタキシャル膜において積層欠陥になる比率を決定する工程と、比率に基づいて、使用するSiC単結晶基板の成長面におけるBPDの面密度の上限を決定する工程と、上限以下のSiC単結晶基板を用いて、比率を決定する工程において用いたエピタキシャル膜の成長条件と同じ条件で、SiC単結晶基板上にSiCエピタキシャル膜を形成する工程と、を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】原料ガスのガス流の安定化を図り、長時間安定してSiC単結晶を成長させることを可能とする。
【解決手段】台座10とヒータ11とを別体にすると共に、排気ガス出口11aが台座10よりも下方位置に配置されるようにすることで台座10によって覆われないようにし、台座10が引上げられても面積の変動が無いようにする。このような構成とすることで、SiC単結晶の成長中に原料ガス3のガス流が変化しないようにできる。これにより、原料ガス3のガス流の安定化を図ることが可能となり、長時間安定してSiC単結晶を成長させることが可能となる。 (もっと読む)


【課題】排出経路の詰まりを更に抑制し、よりSiC単結晶を長時間成長させることが可能なSiC単結晶製造装置を提供する。
【解決手段】台座9の外周にパージガス15が導入されるようにし、外周容器8bの内径が原料ガス3およびパージガス15の流動方向下流側に進むに連れて徐々に大きくなるようにする。これにより、パージガス15が外周容器8bの内周面に沿って流れる効果が高められるようにできる。したがって、効果的に排出経路にSiC多結晶が堆積することを抑制することが可能となり、SiC単結晶製造装置1をよりSiC単結晶を長時間成長させることが可能な構成にできる。 (もっと読む)


【課題】ウェハの全面にステップバンチングがない、ステップバンチングフリーのSiCエピタキシャルウェハ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のSiCエピタキシャルウェハは、0.4°〜5°のオフ角で傾斜させた4H−SiC単結晶基板上にSiCのエピタキシャル層を形成したSiCエピタキシャルウェハであって、短いステップバンチングがないことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】クラック等の欠陥がなく表面の平坦性に優れ、成長速度が速く低コスト化が可能な単結晶ダイヤモンド基板の製造方法及びそれにより得られる厚膜ダイヤモンド基板の提供を目的とする。
【解決手段】2°以上のオフ角を有する結晶構造{111}の母ダイヤモンド基板の上に化学気相成長法(CVD)を用いてラテラル成長が発現する条件下でダイヤモンドを成長させて得ることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】チャンバ内の部材の材料片を起点とする三角欠陥の面密度が低いSiCエピタキシャルウェハ及びその製造方法、並びにSiCエピタキシャルウェハの製造装置を提供する。
【解決手段】本発明のSiCエピタキシャルウェハは、オフ角を有するSiC単結晶基板上にSiCエピタキシャル層を有するSiCエピタキシャルウェハであって、前記SiCエピタキシャル層に存在する、チャンバ内の部材の材料片を起点とする三角欠陥の面密度が0.5個/cm以下であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】エピタキシャル成長層の結晶品質を向上させることができ、厚膜のエピタキシャル成長層を形成する場合においてもキャリア移動度の低下が生じず、素子抵抗の低い炭化珪素エピタキシャルウエハおよび炭化珪素半導体素子を提供する。
【解決手段】炭化珪素半導体素子は、ドーピングにより格子定数が減少するドーパントを濃度Aでドーピングした基板と、ドーパントを基板よりも小さい濃度Bでドーピングしたエピタキシャル成長層と、基板とエピタキシャル層との間に、ドーパントをドーピングした2層以上積層した多層構造で形成されたバッファ層とを有し、多層構造の各層のドーパントのドーピング濃度Cが、バッファ層の厚さをd、エピタキシャル成長層からの各層までの平均距離をx、所定の割合をPとして、[B+(A−B)×x/d]×(1−P)≦C≦[B+(A−B)×x/d]×(1+P)とした。 (もっと読む)


【課題】 シリコンカーバイト素子を構成しているエピタキシャル層の品質は、高性能素子を作るうえで重要であり、特に、電気的耐圧を下げるパーティクルを減らす事は、最重要事項である。
一方、エピタキシャル層製膜時、エピタキシャルを製膜する単結晶シリコンカーバイトウエファー以外の部分にもシリコンカーバイトが、多く析出し、それらがカーボン、金属、石英ガラス製の反応炉構成部材表面から剥離しガスの流れにより成長中のエピタキシャル層に混入しパーティクルが形成されていた。
特に、距離的に近いため、ウエファーが乗っているサセプターからのシリコンカーバイト析出物の剥離が問題であった。
【解決手段】 サセプター上にシリコンカーバイト板をパーティクル吸着板として取り付け、析出したシリコンカーバイトが、剥離しないようにした。 (もっと読む)


【課題】半導体デバイスを効率よく製造するために、基体の種類の如何を問わずに効率よく半導体ウエハを製造することができる半導体ウエハの製造方法、ならびにかかる製造方法に好適に用いられる複合基体および複合基板を提供する。
【解決手段】本半導体ウエハの製造方法は、基体10上に、表面のRMS粗さが10nm以下の基体表面平坦化層12を形成して複合基体1を得る工程と、複合基体1の基体表面平坦化層12側に半導体結晶層20aを貼り合わせて複合基板3A,3B,3Cを得る工程と、複合基板3A,3B,3Cの半導体結晶層20a上に少なくとも1層の半導体層30を成長させる工程と、基体表面平坦化層12をウェットエッチングで除去することにより、基体10から半導体結晶層20aを分離して、半導体結晶層20aおよび半導体層30を含む半導体ウエハ5を得る工程と、を含む。 (もっと読む)


【課題】高温条件下で行なわれるSiCエピタキシャル膜の成膜処理において、複数枚の基板上にわたって均一なSiCエピタキシャル膜を成膜することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】本実施の形態では、異なる第1のガス供給系と第2のガス供給系を設け、第1のガス供給系からアルゴン(Ar)ガス、四塩化珪素(SiCl)ガス、プロパン(C)ガスの一部および塩化水素(HCl)ガスを供給し、第2のガス供給系から残りのプロパン(C)ガスと水素(H)ガスを供給している。 (もっと読む)


【課題】結晶欠陥の少ない高品質な3C−SiC層を形成することが可能な立方晶炭化珪素半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板11の上面11aに炭化層12を形成する第1の工程と、シリコン基板11の温度を第2の温度範囲の温度まで下降させる第2の工程と、シリコン基板11の温度が第2の温度範囲の温度となったところで、シリコン原料ガスを導入し、シリコン基板11と炭化層12の間の界面に形成された空孔11hにシリコンをエピタキシャル成長させて空孔11hを埋める第3の工程と、シリコン原料ガスの導入を止め、炭素原料ガスを導入しつつシリコン基板11の温度を第3の温度範囲の温度まで上昇させる第4の工程と、シリコン基板11の温度が第3の温度範囲の温度となったところで、シリコン原料ガス及び炭素原料ガスを導入し、炭化層12上に立方晶炭化珪素をエピタキシャル成長させる第5の工程と、を有する。 (もっと読む)


【課題】SiC多結晶の成長による炉内の閉塞を防止し、長時間の成長を可能とする。
【解決手段】加熱容器8の内周壁面および台座9の外縁にパージガスを流動させる。これにより、台座9の周囲や加熱容器8の内周壁面に多結晶が形成されることを抑制することが可能となり、原料ガス3の流路の閉塞を防止することが出来る。これにより成長結晶の成長端面以外の不要な箇所でのSiC多結晶の堆積を抑制し、成長結晶の長時間にわたる成長が可能となる。 (もっと読む)


【課題】SiC単結晶に多結晶が癒着することを抑制し、より高品質なSiC単結晶を製造できるようにする。
【解決手段】台座9をパージガスが種結晶5の裏面側から供給できる構造とし、種結晶5の外縁に向けてパージガスを流動させられるようにする。このような構造とすれば、パージガスの影響により、台座9のうちの種結晶5の周囲に位置する部分に多結晶が形成されることを抑制できる。これにより、SiC単結晶20を長尺成長させたとしても、多結晶のせり上がりによりSiC単結晶20の外縁部に多結晶が癒着することを防止することが可能となる。したがって、外縁部の品質が損なわれることなくSiC単結晶20を成長させることが可能となる。 (もっと読む)


【課題】p層とn層を順次積層させなくても、多形や転位の引継ぎを抑制しつつ、貫通転位を低減できるSiC単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】縦型MOSFETのドレインリークなどのリークを引き起こす転位は貫通らせん転位であるということに基づき、Alイオンの注入および活性化アニール後に溶融KOHエッチング等を行うことにより、リーク部に相当する場所に非常に深いエッチピット1bを形成する。そして、その表面に、エッチピット1bの側壁部に成長した部分同士が互いに接触する条件にてSiC成長層4をエピタキシャル成長させることで、SiC成長層4に転位が引き継がれないようにする。これにより、貫通らせん転位1aが存在しない表面を有するSiC成長層4を得ることが可能となる。したがって、p層とn層を順次積層させなくても、多形や転位の引継ぎを抑制しつつ、貫通転位を低減できるSiC単結晶を製造することができる。 (もっと読む)


【課題】SiC単結晶の製造装置に備えられる断熱材の劣化を抑制することができるようにする。
【解決手段】加熱容器8の周囲を囲む第1外周断熱材10を、浸透性の大きな断熱基材10aの内周面に浸透性の小さな黒鉛シート10bを配置した構造とし、さらに黒鉛シート10bの内周面を高融点金属炭化膜10cで覆った構造とする。これにより、黒鉛シート10bによって断熱基材10aに原料ガス3などが浸入することで固体SiCが析出することを抑制しつつ、さらに高融点金属炭化膜10cによって黒鉛シート10bがエッチングガスや原料ガス3に含まれる成分と化学反応することを抑制できる。したがって、第1外周断熱材10が劣化することを抑制することが可能となる。 (もっと読む)


【課題】円筒状の断熱材を中心軸に対して平行に分割する場合において、分割された隣り合う断熱材同士の間に放電現象が発生することを抑制する。
【解決手段】加熱容器8の周囲に配置される第1外周断熱材10を円筒形状で構成すると共に、中心軸に平行に円筒形状を複数に分断した分割部10a〜10cを備えた構成とする。そして、各分割部10a〜10cの繋ぎ目の箇所を覆うように低抵抗部材20を備えた構造とする。これにより、複数の分割部10a〜10cの間の空隙のうち比較的幅が狭い部分において局所的な放電現象が起こることを抑制でき、誘導電力を安定して供給することが可能となる。 (もっと読む)


【課題】炭素繊維等の高密度繊維材料の線径に関わらず切削加工が容易に行えて、かつこれらを加工するのに十分な耐摩耗性を有するボロン含有ダイヤモンド膜被覆工具の成膜方法を提供することを課題とする。
【解決手段】反応室2外にてボロンを含む液体9を加熱することでボロンを含む気体を生成した後、ボロンを含む気体を反応室2内に導入して、直流放電プラズマ方式によりボロン含有ダイヤモンド膜を工具20表面に被覆する。また、反応室2外におけるボロンを含む液体9の加熱およびボロンを含む気体の反応室2内への導入は、ボロンを含む液体9を液体用マスフローコントローラにより配管内に導入して、ヒータによる配管の外部加熱および配管内の真空雰囲気によって気化して、その状態でボロンを含む気体を反応室2内へ導入する。 (もっと読む)


【課題】三角欠陥及び積層欠陥が低減され、キャリア濃度及び膜厚の均一性が高く、ステップバンチングフリーのSiCエピタキシャルウェハを提供する。
【解決手段】本発明のSiCエピタキシャルウェハは、0.4°〜5°のオフ角で傾斜させた4H−SiC単結晶基板上にSiCエピタキシャル層を形成したSiCエピタキシャルウェハであって、前記SiCエピタキシャル層の表面の三角形状の欠陥密度が1個/cm以下であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】立方晶炭化ケイ素と格子定数が異なるシリコン基板上に、結晶欠陥が少なくかつ高品質の立方晶炭化ケイ素膜を有する立方晶炭化ケイ素膜付き基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の立方晶炭化ケイ素膜付き基板1は、シリコン基板2の表面2aに立方晶炭化ケイ素膜3が形成され、このシリコン基板2の立方晶炭化ケイ素膜3との界面近傍に、シリコン基板2の表面2aから内部に向かって漸次縮小する略四角錐状の空孔4が多数形成されている。 (もっと読む)


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