【課題】基材上にエピタキシャル成長させた窒化物半導体層を剥離する窒化物半導体自立基板の製造において、成長させた窒化物半導体層を簡易な方法で容易に剥離させることができ、欠陥の少ない高品質の窒化物半導体自立基板を製造することができる方法を提供する。
【解決手段】好ましくは４００μｍ以上の厚さを有し、少なくとも、表面に凹凸１１を形成した、サファイア、Ｓｉ、ＳｉＣのいずれかを材質とする基材１０を準備し、前記基材１０の凹凸１１が形成された表面上に窒化物半導体層１２を前記基材厚以上の厚さでエピタキシャル成長させた後、前記基材１０から剥離させることにより窒化物半導体自立基板１３を製造する。 （もっと読む）

【課題】転位密度が低く、かつ、不純物の濃度が低いＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法、ＩＩＩ族窒化物結晶基板およびＩＩＩ族窒化物半導体デバイスを提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法は、液相法により少なくとも１種類の金属元素を含有する溶媒とＩＩＩ族元素とを含む結晶成長用液体２を用いて第１のＩＩＩ族窒化物結晶１０を成長させる工程と、金属元素の少なくとも１種類を含む結晶処理用液体４中で第１のＩＩＩ族窒化物結晶１０を熱処理する工程と、熱処理がされた第１のＩＩＩ族窒化物結晶１０上に気相法により第２のＩＩＩ族窒化物結晶２０を成長させる工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】犠牲型板上に成長させた（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ材料を犠牲型板から分離し、デバイス品質の独立（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ物品を製造する方法を提供する。
【解決手段】エピタキシャルに適合できる犠牲型板１２を設けるステップと、単結晶（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ材料１６を型板１２上に堆積して、犠牲型板１２と（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ材料１６との間の界面１４を含む複合犠牲型板／（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ物品１０を形成するステップと、複合犠牲型板／（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ物品１０を界面修正して、犠牲型板１２を（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ材料１６から分割し、独立（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ物品１０を生じるステップと、を含むステップによって独立（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ物品１０を形成する。 （もっと読む）

【課題】複雑な処理を必要とせずに高濃度のＧｅを含有するＳｉＣＧｅ結晶を成長する方法を提供する。
【解決手段】基板上のＳｉＧｅ結晶薄膜を炭化することによりＳｉＣＧｅ結晶薄膜を製造する。 （もっと読む）