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Fターム[4G077TC14]の内容

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Fターム[4G077TC14]に分類される特許

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【課題】シリコン基板上に形成した、転位及びクラックの少ない窒化物半導体ウェーハ、窒化物半導体装置及び窒化物半導体結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、シリコン基板と、その上に順次設けられた、下側歪緩和層、中間層、上側歪緩和層及び機能層と、を有する窒化物半導体ウェーハが提供される。中間層は、第1下側層と、第1ドープ層と、第1上側層と、を含む。第1下側層は、下側歪緩和層の上に設けられ、下側歪緩和層の格子定数よりも大きい格子定数を有する。第1ドープ層は、第1下側層の上に設けられ、第1下側層の格子定数以上の格子定数を有し1×1018cm−3以上1×1021cm−3未満の濃度で不純物を含有する。第1上側層は、第1ドープ層の上に設けられ、第1ドープ層の格子定数以上で第1下側層の格子定数よりも大きい格子定数を有する。 (もっと読む)


【目的】
GaN系化合物半導体成長層に生じる歪が低減されるとともに、当該結晶成長層にダメージを与えることなくSi基板から結晶成長層を容易に分離することが可能なGaN系化合物半導体の成長方法及び成長層付き基板を提供する。
【解決手段】
Si基板上にコラム状結晶層を成長する工程と、上記コラム状結晶層上に島状成長又は網目状成長の窒化アルミニウム(AlN)結晶層であるバッファ層を成長する工程と、上記バッファ層上にGaN系化合物結晶を成長する工程と、を有する。 (もっと読む)


【課題】窒化物半導体デバイス用の半導体積層構造を成長させるために改善されたバッファ層構造を有する基板を提供する。
【解決手段】窒化物半導体層を成長させるためのバッファ層構造を有する基板であって、Si単結晶基板の(111)主面に形成された窒化ケイ素層を有し、この窒化ケイ素層上に順次積層されたAl層とAlN結晶層またはAlGaN結晶層とを有し、AlN結晶層またはAlGaN結晶層の表面は(0001)の面方位とIII族元素極性の表面を有している。 (もっと読む)


【課題】コストメリットがあり、かつ、特性の優れた高周波動作用の半導体素子を実現できるエピタキシャル基板を提供する。
【解決手段】導電性を有するSiCまたはSiからなる基材の上に、絶縁性を有する第1のIII族窒化物からなる下地層をMOCVD法によって、表面に実質的に非周期的な凹凸構造を有するようにかつ、表面の平均粗さが0.5μm以上1μm以下となるように、エピタキシャル形成し、下地層の上に、GaNからなるチャネル層をエピタキシャル形成し、チャネル層の上に、AlGa1−xN(0<x<1)からなる障壁層をエピタキシャル形成する。 (もっと読む)


【課題】結晶欠陥の少ない高品質なエピタキシャル膜を得ることが可能な単結晶炭化シリコン膜の製造方法及び単結晶炭化シリコン膜付き基板の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板11上に単結晶炭化シリコン膜14を形成する単結晶炭化シリコン膜14の製造方法であって、シリコン基板11の表面に炭化シリコン膜12を形成する第1の工程と、炭化シリコン膜12の表面にマスク材13を形成する第2の工程と、マスク材13に開口部13hを形成し、炭化シリコン膜12の一部を露出させる第3の工程と、原料ガスを含むガス雰囲気中でシリコン基板11を加熱し、炭化シリコン膜12を基点として単結晶炭化シリコンをエピタキシャル成長させ、炭化シリコン膜12及びマスク材13を覆う単結晶炭化シリコン膜14を形成する第4の工程と、を含み、原料ガスを含むガス雰囲気の圧力は、5.0×10−4Pa以上かつ0.5Pa以下である。 (もっと読む)


【課題】基板のサイズを大きくしてもウェハの反りを低減できるエピタキシャルウェハを提供する。
【解決手段】基板上に、前記基板と線膨張係数の異なるエピタキシャル多層膜が形成されたエピタキシャルウェハにおいて、前記エピタキシャル多層膜が、エピタキシャル成長時に溝部を隔てて独立して形成された複数の多層区分膜からなるものである。 (もっと読む)


【課題】低減された反射率を示すケイ素基板を製造するための方法を提供すること。
【解決手段】本開示は、ケイ素を含む基板上にナノ構造を提供する方法であって、(a)前記基板の表面上に遷移金属の層を堆積させるステップと、(b)前記遷移金属の層をアニールして、パターン化遷移金属層を形成させるステップと、(c)前記基板をエッチングして、前記基板表面上にナノ構造を形成させるステップとを含む方法に関する。 (もっと読む)


【課題】 HVPE成長装置内の基板以外の部材への原料ガスによるGaPの析出数を制御することができるハイドライド気相成長方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 気相成長装置内で基板上に、III−V族化合物半導体層をハイドライド気相成長法によってエピタキシャル成長させる気相成長方法であって、前記III−V族化合物半導体層のエピタキシャル成長途中に、少なくとも1回該エピタキシャル成長を中断して前記気相成長装置内のガスエッチングを行うことを特徴とする気相成長方法。 (もっと読む)


【課題】ZnO基板上へZnO系半導体結晶を1000℃よりも高い高温で成長可能なホモエピタキシャル結晶装置および半導体装置を提供する。
【解決手段】ZnO基板40上に亜鉛含有ガスと酸素含有ガスを混合した反応ガスを導入して、ZnO基板40上にZnO系半導体層46を結晶成長する工程を有し、亜鉛含有ガスの分圧は、1×10-4気圧以下、結晶成長温度は1000℃以上、VI族元素とII族元素の供給比VI/IIは1以上〜100以下であるホモエピタキシャル結晶装置および半導体装置。 (もっと読む)


【課題】大型化が比較的容易で、比較的安価な窒化物半導体用基板を提供する。
【解決手段】基材120と、該基材120の上部に設置されたバッファ層160と、該バッファ層160の上部に設置された窒化物半導体層180とを有する窒化物半導体用基板100であって、前記基材120は、石英で構成され、前記バッファ層160は、ガリウム(Ga)および/またはアルミニウム(Al)の窒化物を含み、前記窒化物半導体層180は、ガリウム(Ga)および/またはアルミニウム(Al)を含む窒化物半導体で構成され、前記基材120と前記バッファ層160の間には、応力緩和層125が設置され、該応力緩和層125は、前記基材120に近い側のアモルファス層130および前記基材120に遠い側の結晶化層150を有し、または前記基材120に遠い側に結晶成分を含むアモルファス層を有し、前記応力緩和層125は、窒化珪素または酸窒化珪素を含む。 (もっと読む)


【課題】歪み吸収III族窒化物中間層モジュールを有する種々の半導体構造を提供する。
【解決手段】基板および当該基板の上方の第一遷移本体を有する。前記第一遷移本体は、第一表面において第一の格子パラメータを有し、前記第一表面とは反対側の第二表面において第二の格子パラメータを有する。前記典型的な実施では、遷移モジュール等の第二遷移本体をさらに有し、この第二遷移本体は前記第一遷移本体の前記第二表面に重層する下表面においてより小さい格子パラメータを有し、前記第二遷移本体の上表面においてより大きい格子パラメータを有し、前記第二遷移本体の上方のIII族窒化物半導体層も同様である。前記第二遷移本体は2以上の遷移モジュールからなっていてもよく、各遷移モジュールは2以上の中間層を有していてもよい。前記第一遷移本体および前記第二遷移本体は前記半導体構造の歪みを減少させる。 (もっと読む)


【課題】結晶性の炭化アルミニウム層及び窒化ガリウム層を有する積層基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板1としてサファイア基板、炭化ケイ素基板または窒化アルミニウム基板の上に結晶性のGaN層10、結晶性のAlC層20を順次積層して配置した
積層基板100であって、炭化アルミニウムの結晶の成長条件としては、アルミニウムを含むガスとしてトリメチルアルミニウムと、炭素を含むガスとしてメタンを供給し、有機金属気相成長法により成長させる。成長温度としては700℃以上が好ましく、さらには1100℃以上が好ましい。 (もっと読む)


【課題】転位発生の防止と基板の反り低減を、中間層を構成する窒化物半導体層の積層数を少なくして実現できる窒化ガリウム系化合物半導体基板を提供する。
【解決手段】Si単結晶からなる基板1と、前記基板上に形成された窒化物半導体からなる中間層2と、前記中間層上に形成された窒化ガリウム系化合物半導体3からなる活性層で構成される窒化ガリウム系化合物半導体基板であって、前記中間層は、前記基板上に第一層21と第二層22がこの順で積層された初期バッファ層200と、前記初期バッファ層上に第三層23と第四層24をこの順で複数回繰り返し積層し最後に第五層25を積層してなる複合層202を複数積層した周期堆積層203からなる。 (もっと読む)


【課題】ダイヤモンド半導体の不純物の新しい混入状態を実現する。
【解決手段】ダイヤモンド半導体は、ダイヤモンド10とダイヤモンド10内にドーピングされる不純物で構成される。不純物のドーピングにより、ダイヤモンド10内に複数の高濃度ドープ領域20が形成される。各高濃度ドープ領域20は、ダイヤモンド10内において空間的に局在化されており、そして、ダイヤモンド10内において複数の高濃度ドープ領域20が分散的に配置されている。不純物のドーピングによりキャリア生成のための活性化エネルギーを低下させつつ、各高濃度ドープ領域20の局在化によりキャリア移動度の低下を抑えることが可能になる。 (もっと読む)


【課題】Si単結晶基板を用いた化合物半導体基板において、化合物半導体基板の機械強度低下と熱伝導率低下を、Si単結晶基板のドーパント濃度制御で低減する。
【解決手段】Si単結晶基板上に中間層とデバイス活性層を備えた化合物半導体基板で、Si単結晶基板は、中間層側の一主面の表面から厚さ方向に向かってドーパント濃度が1×1019atoms/cm以上1×1021atoms/cm以下である領域1と、ドーパント濃度が連続的に減少する遷移領域1と、ドーパント濃度が1×1012atoms/cm以上5×1017atoms/cm以下である領域2と、ドーパント濃度が連続的に増加する遷移領域2と、ドーパント濃度が1×1019atoms/cm以上1×1021atoms/cm以下である領域3とからなる。 (もっと読む)


【課題】エピタキシャル成長温度を低下させても、結晶欠陥が少ない高品質の立方晶炭化ケイ素膜を高速にて成長させることが可能な立方晶炭化ケイ素膜の製造方法及び立方晶炭化ケイ素膜付き基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の立方晶炭化ケイ素膜の製造方法は、シリコン基板の上に炭素を含むガスを導入し、このシリコン基板を立方晶炭化ケイ素のエピタキシャル成長温度まで急速加熱してシリコン基板の表面を炭化することにより立方晶炭化ケイ素膜を形成する第1の工程、この立方晶炭化ケイ素膜を立方晶炭化ケイ素のエピタキシャル成長温度に保持しつつ、この立方晶炭化ケイ素膜の上に、炭素を含むガス及びケイ素を含むガスを導入し、この立方晶炭化ケイ素膜をさらにエピタキシャル成長させる第2の工程、を有する。 (もっと読む)


【課題】直径100mm以上の大口径であっても結晶欠陥部分が少なく、化合物半導体層のエピタキシャル形成に適した高品質かつ低コストのサファイア単結晶基板、および、かかる基板上に化合物半導体層を成膜した高品質の半導体発光素子を安定的に提供する。
【解決手段】III族化合物半導体層を有する半導体発光素子の製造方法であって、サファイア単結晶のインゴットからウエーハを切り出す基板切り出し工程S200と、切り出したウエーハについてラング法によるX線トポグラフィ測定を行い、(11−20)面のX線回折像が得られるX線の入射角度ωに対し、±0.15°の範囲内を判断基準とする湾曲補正値Δωにより補正したX線によりX線回折像が得られる結晶欠陥部分を含むウエーハを選別する選別工程S500と、選別されたウエーハの被成膜面上にIII族化合物半導体層を成膜する半導体層成膜工程S800と、を有する。 (もっと読む)


【課題】結晶欠陥が少なく、かつ平坦性に優れた高品質の立方晶炭化珪素膜を容易に得ることができる立方晶炭化珪素膜の製造方法を提供する。
【解決手段】Si基板1の表面を炭化させて下地層2を形成し、次いで、Si基板1の下地層2上に原料ガスg2を供給しつつ、この原料ガス雰囲気にて立方晶炭化珪素層3をエピタキシャル成長させ、次いで、この立方晶炭化珪素層3の表面3aをクリーニングして異物を除去し、次いで、この立方晶炭化珪素層3上に再度、原料ガスg2を供給しつつ、この原料ガス雰囲気にて立方晶炭化珪素層4をエピタキシャル成長させる。 (もっと読む)


【課題】反りの小さな半導体基板および半導体装置を提供する。
【解決手段】Si基板10上に接して形成されたX線回折による(002)面のロッキングカーブ半値幅が1500秒以下のAlN層12と、AlN層12上に形成されたGaN系半導体層14と、を具備する半導体基板であって、その反りの曲率半径は±25m以上であり、反り量は、半導体基板の大きさを4インチとした場合、±50μm以下である。GaN系半導体層14はAlN層12から圧縮応力を受ける。 (もっと読む)


【課題】GaN系半導体層のグレインサイズを大型化することが可能な半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明は、(111)面から0.1度以下のオフ角度で傾斜した面を主面とするSi基板10と、Si基板10の主面に接して設けられ、(002)面のX線回折におけるロッキングカーブの半値幅が2000sec以下であるAlN層12と、AlN層12上に設けられたGaN系半導体層20と、を備える半導体装置100である。 (もっと読む)


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