Fターム[4G146AA01]の内容

炭素・炭素化合物 (72,636) | 炭素、炭素化合物−種類 (7,270) | 炭素 (7,120)

Fターム[4G146AA01]の下位に属するFターム

Fターム[4G146AA01]に分類される特許

1 - 20 / 1,093



Notice: Undefined index: from_cache in /mnt/www/gzt_fterm_list.php on line 281


Notice: Undefined index: from_cache in /mnt/www/gzt_fterm_list.php on line 281

【課題】グラフェン積層体のグラフェン間に層間物質が挿入された新規な層間物質挿入黒鉛、及びその層間物質挿入黒鉛を剥離することにより薄片化黒鉛を製造する方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る層間物質挿入黒鉛では、グラフェン積層体のグラフェン間に層間物質が挿入されている。前記層間物質は、マレイン酸、無水マレイン酸及びマレイン酸塩からなる群から選択された少なくとも1種の化合物である。本発明に係る薄片化黒鉛の製造方法は、グラフェン積層体のグラフェン間に、マレイン酸、無水マレイン酸及びマレイン酸塩からなる群から選択された少なくとも1種の層間物質が挿入されている層間物質挿入黒鉛に、超音波を照射することによって前記層間物質挿入黒鉛を剥離して薄片化黒鉛を得る工程を備える。 (もっと読む)


【課題】種々の実施形態は、膨張可能な黒鉛の減圧誘導加熱によってグラフェン生成物を作成するための材料および方法を提供する。
【解決手段】グラフェン生成物は、純度が高く、均一な厚みをもつグラフェンナノシートを含むことができる。グラフェンナノシートは、約99重量%を超える炭素を含むことができる。グラフェンナノシートは、半導体ポリマーのマトリックス内に剥離または分散し、グラフェン含有コンポジットを作成することができる。 (もっと読む)


【課題】吸着エレメントの圧力損失を小さくし、円筒に強く巻き付けても破損しない引張強度を有する活性炭素繊維不織布を使用した吸着エレメントを搭載する有機溶剤含有ガス処理装置の提供。
【解決手段】被処理ガスを接触させて有機溶剤を吸着し、水蒸気または加熱ガスを接触させて吸着した有機溶剤を脱着する吸着材を充填した吸着槽2A,2Bを備え、吸着材に被処理ガスを供給して有機溶剤を吸着させて清浄ガスとし、吸着材に水蒸気または加熱ガスを供給して有機溶剤を脱着させるガス処理装置1と、脱着ガスを凝縮した後、分液し、有機溶剤と排水とに分離する分液回収装置を備え、吸着材が、活性炭素繊維不織布9を円筒に巻き付けて構成される吸着エレメント8から構成され、活性炭素繊維不織布が、繊維径が21μm〜40μm、トルエン吸着率が20%〜75%の活性炭素繊維からなる引張強度が4N/cm以上の不織布である、有機溶剤含有ガス処理装置。 (もっと読む)


【課題】スティッキングが生じにくい半導体素子及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】一方の面1aに触媒層3が形成された基板1において、前記一方とは反対側から前記触媒層3の裏面3aに至る開口部1cを形成する工程と、前記開口部1cにおいて、前記触媒層3の裏面3aにグラフェン5を形成する工程と、前記触媒層3の少なくとも一部を除去する工程と、を有することを特徴とする半導体素子の製造方法。開口部1cの形成後、グラフェン5の形成前に、熱処理を行うことができる。グラフェン5を形成する前に、触媒層3の表面に保護層を形成することができる。 (もっと読む)


【課題】大面積のグラフェンを高品質かつ低コストで生産可能なグラフェン製造用銅箔及びそれを用いたグラフェンの製造方法を提供する。
【解決手段】表面粗さRzが0.5μm以下であり、表面において(111)面の割合が60%以上であり、Cuめっき層及び/又はCuスパッタ層からなるグラフェン製造用銅箔10であり、又、所定の室内に加熱した前記グラフェン製造用銅箔10を配置すると共に、水素ガスと炭素含有ガスを供給し、グラフェン製造用銅箔10の銅めっき層の表面にグラフェンを形成するグラフェン形成工程と、グラフェンの表面に転写シートを積層し、グラフェンを転写シート上に転写しながら、グラフェン製造用銅箔10をエッチング除去するグラフェン転写工程とを有する、グラフェン20の製造方法である。 (もっと読む)


【課題】従来の電極材料、特に炭素材料や触媒と比較して、クーロン効率等の電極性能に優れた電極材料を提供する。
【解決手段】単位比表面積あたりの局在電子スピン密度が3×1015個/m以下である電極材料、並びに、窒素含有有機高分子化合物の金属錯体と、導電性材料との混合物を準備する工程と、前記混合物を不活性雰囲気下、加熱し、前記金属錯体の前記窒素含有有機高分子化合物を炭素化処理する工程と、前記炭素化処理により得られた炭素化物を粉砕処理する工程と、前記粉砕処理により得られた粉砕物から金属を除去する工程と、を有する電極材料の製造方法。 (もっと読む)


【課題】大面積のグラフェンを高品質かつ低コストで生産可能なグラフェン製造用銅箔及びそれを用いたグラフェンの製造方法を提供する。
【解決手段】表面粗さRzが0.5μm以下であり、表面において(111)面の割合が60%以上を占めるグラフェン製造用銅箔10である。 (もっと読む)


【課題】大面積のグラフェンを低コストで生産可能なグラフェン製造用銅箔及びそれを用いたグラフェンの製造方法を提供する。
【解決手段】純度が99.95質量%以上のCuからなるグラフェン製造用銅箔である。 (もっと読む)


【課題】
木材の道管又は仮道管と壁孔からなる細孔網目構造を維持しつつ炭化し、高機能化に最も重要な役割を担う壁孔由来の細孔を含む面を露出させ、露出面或いは溝表面の物理化学的性質を改質した平滑な表面を有する平板状木質系多孔質炭素材料を作製すること、壁孔由来の細孔に機能性物質を導入して高機能性部材を作製すること。
【解決手段】
木材を空気中で高エネルギー密度ビームによって壁孔を含む面を露出させ次いで加熱炭化して該露出面の物理化学的性質を改質した多孔性網目構造の平滑な表面を有する板状或いはシート状木質系多孔質炭素材料を作製する。これにより活性化された壁孔由来の細孔に、機能性物質を導入して高機能性部材を形成する。また、壁孔由来の細孔の流体処理効率を高めるように1個以上の入口と出口を持った、不浸透性の容器内に載置する。 (もっと読む)


【課題】均一なグラフェン層を有するグラフェン基板を提供する。
【解決手段】本発明に係るグラフェン基板の製造方法は、導電性又は半導体基板上においてグラフェン炭素源を電解重合し、グラフェン層を形成する形成工程を包含する。 (もっと読む)


【課題】活性炭の細孔を潰さずに、且つ、活性炭の疎水性を上げる疎水性金属酸化物粒子を提供する。
【解決手段】式(1)で表されるケイ素化合物で表面修飾されたことを特徴とする疎水性金属酸化物粒子。金属酸化物粒子としてはオルガノシリカゾルが好ましい。
R-Si(CH(−X)3−n (1)
ただし、Rは炭素数1〜18のアルキル基、炭素数2〜4のアルケニル基、炭素数2〜3のアルキニル基又は炭素数6〜8のアリール基、Xは炭素数1〜3のアルコキシ基、Cは炭素原子、Hは水素原子、Siはケイ素原子、nは0〜2を表す。 (もっと読む)


【課題】 電池容量及び電位が高い非水電解質二次電池用正極活物質及びその製造方法並びに非水電解質二次電池を提供する。
【解決手段】 非水電解質二次電池用正極活物質は、炭素化合物に硫黄(S)及びフッ素(F)を導入してなる硫黄フッ素導入化合物からなる。硫黄フッ素導入化合物は、炭素化合物を硫黄で変性させて硫黄変性体とした後に、該硫黄変性体の中の硫黄の少なくとも一部を残しつつフッ素を導入してなることが好ましい。炭素化合物は、ポリアクリロニトリル、ピッチ類、3環以上の六員環が縮合してなる多環芳香族炭化水素から選ばれる少なくとも一種からなることが好ましい。硫黄変性体にフッ素を導入するに当たっては、硫黄変性体に、無水フッ化水素又はフッ素ガスを接触させるとよい。 (もっと読む)


【課題】結晶性の高い良質なグラフェンを、極力低い温度で効率よく成長させる方法を提供する。
【解決手段】グラフェンの成長に先立ち、前処理を行う。前処理は、排気装置99を作動させて処理容器1内を減圧排気しながら、シャワーリング57から処理容器1内に希ガスを導入するとともに、シャワープレート59から処理容器1内に還元性ガス及び窒素含有ガスをそれぞれ導入する。この状態で、マイクロ波発生部35で発生したマイクロ波を、導波管47及び同軸導波管49を介して所定のモードで平面アンテナ33に導き、平面アンテナ33のマイクロ波放射孔33a、透過板39を介して処理容器1内に導入する。このマイクロ波により、還元性ガス及び窒素含有ガスをプラズマ化し、ウエハW表面の触媒金属層に活性化処理を施す。 (もっと読む)


【課題】グラフェン間の対向状態のばらつきが少ない炭素質材料を提供する。
【解決手段】グラフェン積層体のグラフェン間に層間物質が挿入された炭素質材料であって、XRDパターンにおける2θが7度〜12度の範囲、18度〜24度の範囲にそれぞれ回折ピークを有し、かつ25度〜27度の範囲の回折ピーク高さが18度〜24度の回折ピーク高さよりも低く、前記2θが7度〜12度の範囲に現れるピークの半値幅が4度以下である膨張化黒鉛である炭素質材料。 (もっと読む)


【課題】混合物の分離膜として使用する際に高透過性と高選択性とを両立することができ、かつ、モジュール化に必要な柔軟性を確保し、実用性の高い中空糸炭素膜およびその製造方法を提供する。
【解決手段】中空糸状の第1の炭素膜と、前記第1の炭素膜の外表面に設けられた第2の炭素膜とを備え、破断伸度が1〜4%であり、前記第2の炭素膜は、前記第1の炭素膜よりも透過成分との親和性が高い中空糸炭素膜、ならびに、第1の炭素膜の前駆体ポリマーである第1の前駆体ポリマーを作製する工程と、第2の炭素膜の前駆体ポリマーである第2の前駆体ポリマーを作製する工程と、中空糸状の第1の前駆体ポリマーの外表面に第2の前駆体ポリマーが設置された中空糸炭素膜前駆体を形成する工程と、中空糸炭素膜前駆体を炭素化処理する工程とを含む、中空糸炭素膜の製造方法。 (もっと読む)


【課題】製造が容易であり、装置の小型化が可能で、水の分離性能および透過性能に優れ、かつ破損しにくくなる程度の柔軟性を有する中空糸炭素膜、それを用いた分離膜モジュールおよびその中空糸炭素膜の製造方法を提供する。
【解決手段】中空糸状の第1の炭素膜と、第1の炭素膜の外表面に設けられた第2の炭素膜と、を備えた中空糸炭素膜であって、中空糸炭素膜の破断伸度は1%以上4%以下であり、第2の炭素膜は、金属元素と、硫黄元素とを含む中空糸炭素膜、それを用いた分離膜モジュールおよびその中空糸炭素膜の製造方法である。 (もっと読む)


【課題】金属触媒結晶薄膜から絶縁性基板表面上に、グラフェンが横方向に成長する方法を提供する。
【解決手段】本発明のグラフェンの成長方法は、絶縁性結晶基板101の上部の表面の一部が露出するように、金属触媒結晶薄膜102を形成し、絶縁性結晶基板101の上部に、絶縁性基板101の表面の一部が露出するように、金属触媒結晶薄膜102を形成した状態で、炭化水素を含む気体3を用いて、グラフェンを気相化学成長させる。 (もっと読む)


【課題】
CVD等の既存の乾式グラフェン合成法では、高温、真空、不活性気体雰囲気、還元剤(例えば水素)共存下、原料ガスの制御された供給が求められる。酸化グラフェンを還元してグラフェンを得る既存の湿式グラフェン合成法にしても、高温、不活性気体雰囲気、還元剤(例えば水素)共存下での工程を求められる。そのため、簡易で安価な設備と簡便な工程でのグラフェン薄膜の作製方法が切望されていた。
【課題を解決するための手段】
銅、コバルト、ニッケル、ルテニウムのうちのいずれかの金属材料の表面に導電性ポリマーの溶液又は分散液を塗布して塗膜を形成した後、マイクロ波処理することで前記金属材料の表面にグラフェン薄膜を形成する。 (もっと読む)


1 - 20 / 1,093