【課題】高純度かつ高硬度のナノ多結晶ダイヤモンドを作製可能な黒鉛およびその製造方法を提供する。
【解決手段】黒鉛１は、炭素と、該炭素以外の複数の不純物とで構成される。複数の不純物の濃度は、それぞれ０．０１質量％以下であり、黒鉛は、一体の固体であり、結晶化部分を含む。上記黒鉛１は、真空チャンバ内で１５００℃以上の温度に基材を加熱し、上記真空チャンバ内に９９．９９％以上の純度の炭化水素ガスを導入し、基材上で炭化水素ガスを分解することで形成可能である。 （もっと読む）

【課題】
一次粒子としての平均粒径が5μｍ以下(Ｄ₅₀値表示)のダイヤモンド微粉、特にサブミクロンクラスのダイヤモンド微粉構成粒子上に均一な金属担持層を形成する方法を提供する。
【解決手段】
本発明の金属担持ダイヤモンド微粉の製造方法は、本質的に高い水中分散性及び帯電性のダイヤモンド粒子の創製工程、かかるダイヤモンド粒子を一次粒子として水中に分散して負に帯電・懸濁させ、さらに正に帯電する金属イオンを添加する工程、金属イオンの電荷を中和し、ダイヤモンド粒子上に金属前駆体を付着させる工程、及び該前駆体を金属に還元し、金属を担持したダイヤモンド粒子を形成する各工程を含む。 （もっと読む）

【課題】溶媒中や樹脂中に高度に分散させることが可能であり、酸化により微細化された黒鉛粒子に比べて優れた特性を有する微細化黒鉛粒子を提供すること。
【解決手段】板状黒鉛粒子と、該板状黒鉛粒子に吸着した、下記式（１）：
−（ＣＨ_２−ＣＨＸ）− （１）
（式（１）中、Ｘはフェニル基、ナフチル基、アントラセニル基またはピレニル基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。）
で表されるビニル芳香族モノマー単位を含有する芳香族ビニル共重合体とを備えることを特徴とする微細化黒鉛粒子。 （もっと読む）

【課題】切削工具、耐磨工具等の機械的用途、及び半導体材料、電子部品、光学部品等の機能品用途に適したダイヤモンド単結晶及びその製造方法の提供。
【解決手段】結晶全体にわたり、波数１３３２ｃｍ^−１（波長７．５μｍ）のピーク吸収係数が０．０５ｃｍ^−１以上１０ｃｍ^−１以下である化学気相合成法により得られたダイヤモンド単結晶であり、この単結晶は化学気相合成時の気相における元素の組成比率を、水素原子に対する炭素原子濃度が２％以上１０％以下かつ、炭素原子に対する窒素原子濃度が０．１％以上６％以下かつ、炭素原子に対する酸素原子濃度が０．１％以上５％以下とすることによって得られる。 （もっと読む）

【課題】熱伝導性および熱放射性に優れ、熱伝導率に異方性がない炭素放熱体を安価に製造する。
【解決手段】高分子樹脂中に、黒鉛の結晶が放射状に成長した気相放射状成長黒鉛粉末を均一に分散混合し、混合物を所望の形状に成形した後、不活性雰囲気中、非酸化性雰囲気中、又は真空中で焼成することにより、高分子樹脂を炭素化して、アモルファス炭素中に気相放射状成長黒鉛粉末が均一に分散した炭素放熱体とする。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイス用基板として有用な大面積でかつ歪が少ない高品質単結晶ダイヤモンドを安定して得ることを目的とする。
【解決手段】１主面から２つの互いに直交する直線偏光の合成とみなされる直線偏光を照射して、対面の主面から出射した２つの互いに直交する直線偏光の位相差が、試料全体にわたり、試料厚さ１００μｍあたり最大５０ｎｍ以下であることを特徴とする気相合成法により成長された単結晶ダイヤモンドである。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノウォールの結晶性を容易に制御すること。
【解決手段】まず、ラジカル注入型プラズマＣＶＤ法によって基板上にカーボンナノウォールを形成した。そして、形成後のカーボンナノウォールに酸素ラジカルを照射した。酸素ラジカルの照射により、カーボンナノウォール中のアモルファスカーボンなど結晶性の低い部分が選択的にエッチングされる。そのため、ラジカルの照射時間によってエッチング量を制御することによって、カーボンナノウォールの結晶性を制御することができる。 （もっと読む）

【課題】簡易な方法により大面積で高透過率、低抵抗率の透明導電膜を得ること。
【解決手段】ＣＶＤ反応容器の第１の領域にショウノウを配置する工程と、ＣＶＤ反応容器の第２の領域にグラフェンシートを形成する基板を配置する工程と、第１の領域を加熱して、ショウノウを蒸気化し、ＣＶＤ反応容器内において、不活性ガスのキャリアガスを第１の領域から第２の領域に向けて流すことにより、加熱された第２の領域に配置された基板（Ｎｉ）上にショウノウの蒸気を導く工程と、加熱された第２の領域に配置された基板上において、ショウノウの蒸気を熱分解して、基板上に、グラフェンシートを得る工程を有する。そして、グラフェンシートと接触している基板の表面を、ウエットエッチングして、グラフェンシートをエッチング溶液中に剥離させる工程と、エッチング溶液中に剥離したグラフェンシートを、対象物上に貼り付ける工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】複雑な形態に基づく大きな表面積を維持しつつ、分散や高密度充填に有利な形態のフラーレンを提供する。
【解決手段】複数のウィスカー状構造が放射状に伸びた構造、あるいは、複数のウィスカー状構造が放射状に伸び、該ウィスカー状構造がさらに分枝してフラクタル的構造を形成したフラーレン結晶である。このようなフラーレン結晶は、フラーレンを第１の溶媒に溶解した溶液に、前記第１の溶媒よりもフラーレンを溶解する能力が低く、かつ、前記第１の溶媒よりも沸点が高い第２の溶媒を、フラーレンが析出しない範囲で添加し、得られた溶液から前記第１の溶媒および前記第２の溶媒を蒸発させて結晶を析出させることで得られる。 （もっと読む）

【課題】光デバイス若しくは素子中に、又は光デバイス若しくは素子として、使用するのに適したＣＶＤ単結晶ダイヤモンド材料を提供する。
【解決手段】低く均一な複屈折性、均一で高い屈折率、歪みの関数としての低い誘起複屈折性又は屈折率変動、低く均一な光吸収、低く均一な光散乱、高い光（レーザ）損傷閾値、高い熱伝導率、高度な平行度及び平坦度を有しながら高度の表面研磨を示す加工性、機械的強度、磨耗抵抗性、化学的不活性等の特性の少なくとも１つを示すＣＶＤ単結晶ダイヤモンド材料であって、前記ＣＶＤ単結晶ダイヤモンド材料の製造方法は実質上結晶欠陥のない基板を提供するステップと、原料ガスを提供するステップと、原料ガスを解離して、分子状窒素として計算して３００ｐｐｂ〜５ｐｐｍの窒素を含む合成雰囲気を作るステップと、実質上結晶欠陥のない前記表面上にホモエピタキシャルダイヤモンドを成長させるステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】炭素系インターカラントの封入状態において、より規則的な封入構造を有する層間化合物材料を提供する。
【解決手段】層状構造を有する六方結晶の酸化物を準備し有機アミンの存在下、前記膨張化物と炭素系インターカラントを接触させて前記酸化物の層間に炭素系インターカラントを封入して、層間化合物材料を製造する。容易に炭素系インターカラントを層間に導入することができるようになり、これにより、より規則的な封入構造を有する層間化合物材料を得られるようになる。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも約２２ＭＰａ ｍ^１／２の靭性を有する単結晶ホウ素ドープＣＶＤダイヤモンドに関する。本発明はさらに、単結晶ホウ素ドープＣＶＤダイヤモンドを製造する方法に関する。本発明のダイヤモンドの成長速度は約２０μｍ／ｈ〜１００μｍ／ｈであり得る。 （もっと読む）

【課題】結晶薄膜を精度良く形成し得る薄膜形成方法を提供する。
【解決手段】薄膜形成方法は、結晶体ＳＰを構成する原子と物理的に相互作用する探針１５の先端を結晶体ＳＰの表面上の結合点と結合させるステップと、結晶体ＳＰの表面と結合した探針１５を移動させて結合点を探針１５に追随させることにより結晶体ＳＰの単層または複数層を引き裂いて結晶薄膜を形成するステップと、を備える。 （もっと読む）

【課題】鉄触媒を用いて木材を炭化して導電性の炭素材料(木炭)を製造する方法であって、高い導電性を示す炭素材料(木炭)が得られると同時に、触媒として用いる鉄を高い回収率で回収して、木材の炭化に再利用できる方法を提供する。木材を炭化して得られた導電性炭素材料から導電性の成形体を得る導電体の製造方法を提供する。
【解決手段】導電性炭素材料の製造方法。木材に硝酸鉄水溶液を含浸し、硝酸鉄水溶液を含浸した木材を炭化し、炭化した材料を硝酸水溶液で洗浄して、炭化した材料から鉄を硝酸鉄として回収し、回収した硝酸鉄水溶液を木材の含浸に再利用する、ことを含む。上記の製造方法で得られた炭化した材料を木粉と混合し、得られた混合物を熱圧成形して導電性の成形体を得る、導電体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ｄ軌道の電子によって磁性が発現される遷移金属を用いた磁性材料では、廃棄の際に環境に与える負荷が大きい。
【解決手段】イオン注入などの方法により単層グラファイト３ａ間に余剰炭素原子２を供給し、加熱しつつ単層グラファイト間距離を圧縮すると、供給された余剰炭素原子２は、上下の単層グラファイト３ａを構成する炭素原子１と化学結合される。挿入された炭素原子２の化学結合数は２となり、結合に寄与しない２個の電子がスピン分極して磁性が発現される。 （もっと読む）

【課題】半導体材料、電子部品、光学部品などに用いられる、大面積・高品質なダイヤモンド単結晶基板を提供する。
【解決手段】複数個から構成されるダイヤモンド単結晶基板のうち１つを除く基板１の主たる面の面方位は、｛１００｝面からのずれが１度未満であり、残る１つの基板２の主たる面の面方位は、｛１００｝面からのずれが１度以上８度以下であり、ダイヤモンド単結晶基板を並べて配置する際にこの１つの基板２を最も外周部に配置し、かつ、この１つの基板２の主たる面における＜１００＞方向が、配置基板の外周方向を向く方向に配置し、しかる後に気相合成法によりダイヤモンド単結晶７，８を成長させ、この１つの基板２から成長したダイヤモンド単結晶８が、他の基板１上に成長したダイヤモンド単結晶７上に覆い被さって全面一体化したダイヤモンド単結晶基板。 （もっと読む）

【課題】基板と平行に設けられた膜であって、当該膜の少なくとも最上端表面にメソ孔が開口部をもって規則的に配列された特有な細孔構造をもち、電極材料、分離膜、ガス吸着貯蔵材料、揮発性有機蒸気（ＶＯＣガス）の吸着分離剤等として有用な、新規な多孔質炭素膜およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板と平行に設けられた膜であって、当該膜の少なくとも最上端表面にメソ孔が開口部をもって規則的に配列されている多孔質炭素膜。基板上に設けた熱硬化性樹脂前駆体と界面活性剤とから形成される構造規則性を有する液状構造物に、気相状態の架橋剤を接触させて、硬化反応を行い、ついで得られる硬化体を焼成して炭素化して上記多孔質炭素膜を製造する。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンド生成工程の際の放熱ホルダ上におけるダイヤモンド膜の剥離等による不良発生や、異常成長等を防ぐことを目的とする。
【解決手段】表面にダイヤモンドが蒸着しないホルダを準備し、もしくはダイヤモンドが蒸着した場合でも前記ホルダ温度１３００℃〜室温では蒸着したダイヤモンドが剥離せず、またダイヤモンド及び＼炭化物が異常成長しないホルダを準備した後、ダイヤモンドを成膜する基板を該ホルダ上に設置した後、該基板上にダイヤモンドの成膜を行うことを特徴とするダイヤモンド製造方法及び製造装置である。前記ホルダの基板近傍が表面粗さＲａ０．０１μｍ以下であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】切削工具、耐磨工具等の機械的用途、及び半導体材料、電子部品、光学部品等の機能品用途に適したダイヤモンド単結晶及びその製造方法を提供する。
【解決手段】結晶全体にわたり、波数１３３２ｃｍ^−１（波長７．５μｍ）のピーク吸収係数が０．０５ｃｍ^−１以上１０ｃｍ^−１以下である化学気相合成法により得られたダイヤモンド単結晶であり、この単結晶は化学気相合成時の気相における元素の組成比率を、水素原子に対する炭素原子濃度が２％以上１０％以下かつ、炭素原子に対する窒素原子濃度が０．１％以上６％以下かつ、炭素原子に対する酸素原子濃度が０．１％以上５％以下とすることによって得られる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、カーボンナノチューブ以外の炭素材及び／又はカーボンナノチューブの結晶欠陥部分の除去、あるいは炭化水素混合物を均質・低分子化してカーボンナノチューブ成長を安定化させることを課題とする。
【解決手段】触媒成長法を用いたカーボンナノチューブの製造方法において、カーボンナノチューブ１８の成長時に、反応管１２内において放電を行うことにより反応活性種を生成させ、生成した反応活性種によってカーボンナノチューブ１８以外の炭素材及び／又はカーボンナノチューブ１８の結晶欠陥部分の除去を行うことを特徴とするカーボンナノチューブの製造方法。 （もっと読む）