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Fターム[4G146AD05]の内容

Fターム[4G146AD05]に分類される特許

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【課題】(1)絶縁性があり、(2)耐熱性があり、(3)金属などの基材に塗布および熱処理して用いることができ、(4)基材との熱膨張係数差が大きくても剥離および破壊しない膜状の材料を得ること。
【解決手段】Al、Mg、Si、Ti、Zr、Beのいずれかからなる金属アルコキシドが加水分解および脱水重合されて形成される無機物質中にフィラーを分散した材料で、フィラーの粒子は結晶面の一つが完全なへき開面を有する無機物を含んだものとし、さらにフィラーの粒子のへき開面は膜の面方向に対して並行に略整列とすることにより解決した。 (もっと読む)


【課題】新たなCNTの生産用の基材を提供する。
【解決手段】本発明に係るCNT配向集合体生産用基材の製造方法は、クロムの不動態被膜を有する基板を、酸素原子を有するガスを含む雰囲気中で加熱して酸化する酸化工程と、基板上に触媒担持層を形成する触媒担持層形成工程と、触媒担持層上に触媒層を形成する触媒層形成工程と、を含む。 (もっと読む)


【課題】本発明は、表面に反応防止膜が形成された反応防止膜付基板に対し、好適な濡れ性を有し、触媒金属塩の溶媒として使用でき、均一な触媒層を形成し、最終的に製造される配向CNTのサイズを制御することを目的としている。
【解決手段】本発明は、溶媒に触媒金属塩を分散及び/又は溶解した触媒金属塩液を基板の表面に塗布加熱し、熱CVD処理により配向CNTを合成する製造方法において、前記溶媒は、PGEと前記PGEとの相溶性があって非親水性を有する非親水液とが混合した特性溶媒であり、前記非親水液が前記PGEより加水分解反応が少なく、前記基板が基板表面に反応防止膜が形成された反応防止膜付基板であり、前記触媒金属塩液の金属塩濃度と前記配向CNTのサイズとの相関から相関関係を導出し、前記相関関係により前記金属塩濃度を調整して前記サイズを制御する配向CNT製造方法である。 (もっと読む)


【課題】高い電気伝導率を有するグラフェン集合体およびその製造方法を提供することである。
【解決手段】実施形態によれば、グラフェン集合体は、複数のグラフェンと、前記複数のグラフェンのそれぞれの端に化学修飾された電子供与体と、前記電子供与体から電子を受容することが可能な金属イオンと、を備える。前記複数のグラフェンのそれぞれは平面状に配列されている。前記複数のグラフェン中の隣り合うグラフェンどうしは、前記電子供与体と前記金属イオンとの配位結合によって繋がっている。 (もっと読む)


【課題】配向CNTをより一層安価に量産することができる配向CNTの製造方法を提供する。
【解決手段】還元ガス、原料ガス及び触媒賦活物質を噴出させ、基板の触媒被膜形成面に直交する方向に配向するカーボンナノチューブを化学気相成長により製造するための方法であり、基板の触媒被膜形成面を臨む位置に設けられた複数の噴出孔を備えるシャワーヘッドの該噴出孔から還元ガスを噴出させ、該噴出された還元ガスによって触媒被膜形成面に存在する金属触媒粒子の密度を1.0×1011から1.0×1013個/cmに調整させ、かつ、該シャワーヘッドの噴出孔から原料ガス及び触媒賦活物質を噴出させ、該噴出された原料ガス及び触媒活性物質を前記成長して配向したカーボンナノチューブの集合体中を拡散させて触媒被覆形成面と接触させるようにしたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】従来より長い寸法等の各種の形状の接続体を実現できるとともに、CNT糸同士の接続を確実に行うことができるカーボンナノチューブ糸接続体及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】CNT糸接続体9は、接続される両方のCNT糸3からそれぞれ伸びる成長CNT7が、接続相手側のCNT糸3や成長CNT7に絡みつくことにより、CNT糸3同士が接続されている。従って、2本のCNT糸3を1箇所で接続することにより、或いは、多数のCNT糸3を順次接続することにより、例えば数十kmに及ぶような非常に長いCNT糸接続体9を実現すること可能である。また、各CNT糸3から伸びる成長CNT7によって、CNT糸3同士を確実に接続できるので、各CNT糸3の接続の機械的強度が大きく、電気的特性(導電性)も優れている。 (もっと読む)


【課題】 厚さ方向の抵抗を低減した多孔質炭素基材およびこれを用いたキャパシタを提供する。
【解決手段】 紙を炭化、賦活して得られる多孔質炭素基材中の繊維状炭化物が、基材の面方向よりも厚さ方向への配向度が高いものとする。 (もっと読む)


【課題】基板表面に対して略垂直に近い状態で高密度に配向したカーボンナノチューブに対し、極力ダメージを与えることなくエッチングして、長さが均一に揃ったカーボンナノチューブに加工する方法及び装置の提供。
【解決手段】カーボンナノチューブが形成されたウエハWをエッチング装置100の処理容器1内のステージ3上に載置する。シャワーリング57から処理容器1内にプラズマ生成ガスを導入するとともに、マイクロ波発生部35で発生したマイクロ波を、平面アンテナ33に導き、透過板39を介して処理容器1内に導入する。プラズマが着火したタイミングで酸化性ガス(例えばOガス)又は還元性ガス(例えばHガスやNHガス)を処理容器1内に導入し、プラズマ化する。このように形成される低電子温度のプラズマを、ウエハW上のカーボンナノチューブに作用させることにより、その先端側から基端部側へ向けて長尺方向にエッチングが進行する。 (もっと読む)


【課題】優れた物理特性及び難燃性を有する難燃性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】合成樹脂100重量部と、比表面積が50〜2600m2/gである薄片化黒鉛1〜20重量部とを含有する難燃性樹脂組成物。 (もっと読む)


【課題】所望のパターンに沿ってカーボンナノウォールを配向させることが可能なカーボンナノウォール配列体を提供する。
【解決手段】カーボンナノウォール配列体10は、基板1と、カーボンナノウォール2〜9とを備える。基板1は、シリコンからなる。そして、基板1は、凸部11と凹部12とを含む。凸部11および凹部12は、方向DR1に沿って基板1の一方の表面に形成される。凸部11および凹部12は、方向DR1に垂直な方向DR2において、交互に形成される。凸部11は、方向DR2において、0.1〜0.5μmの長さを有し、凹部12は、方向DR2において、0.6〜1.5μmの長さを有する。また、凸部11の高さは、0.3〜0.6μmである。カーボンナノウォール2〜9の各々は、基板1の凸部11の長さ方向(=方向DR1)に沿って凸部11上に形成される。 (もっと読む)


【課題】気相成長法により、単層カーボンナノチューブを所定のピッチにて配列した状態で形成させる方法、及びそのような方法で使用されるカーボンナノチューブ生成用触媒を提供すること。
【解決手段】本発明のカーボンナノチューブの製造方法は、金属元素が配位することのできる窒素原子を少なくとも1つ有する含窒素デンドリマー化合物に8、9又は10族の遷移金属元素を配位させた化合物からなる触媒を基板の表面に付着させる触媒付着工程と、前記触媒の付着した基板の表面に炭素化合物を供給しながら、当該炭素化合物を前記基板の近傍で熱分解させる熱分解工程と、を含む。また、本発明のカーボンナノチューブ生成用触媒は、金属元素が配位することのできる窒素原子を少なくとも1つ有する含窒素デンドリマー化合物に8、9又は10族の遷移金属元素を配位させた化合物である。 (もっと読む)


【課題】欠陥のないエピタキシャル構造体を結晶成長させることができるエピタキシャルベース及びエピタキシャル構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】基板100と、カーボンナノチューブ層102とを含み、エピタキシャル層の成長に用いられるエピタキシャルベース10であって、前記基板100は、少なくとも一つのパターン化エピタキシャル成長面101を有し、前記パターン化エピタキシャル成長面101は、複数の溝103を含み、前記カーボンナノチューブ層102は、前記基板100のパターン化エピタキシャル成長面101に配置され、前記複数の溝103に対応する位置では懸架される。前記基板100のパターン化成長表面101にエピタキシャル層を成長させる (もっと読む)


【課題】配向性が高いカーボンナノチューブを安定して生成し得るカーボンナノチューブ生成用基板を、高い生産性で製造し得る製造方法および製造装置を提供する。
【解決手段】基板K上に形成されてシリカからなる中間層Bと、この中間層B上に形成されてカーボンナノチューブを生成するための触媒層とを備えたカーボンナノチューブ生成用基板の製造方法であって、基板Kにシリカ溶液塗布器11でシリカ溶液を塗布して、当該シリカ溶液を第一加熱乾燥炉15で乾燥させた後に焼成し、基板K上に中間層Bを形成する工程と、エッチング部31で上記中間層Bの表面をアルカリエッチングにより滑らかにする工程と、滑らかにされた中間層Bの表面に触媒溶液塗布器21で触媒溶液を塗布して、当該触媒溶液を第二加熱乾燥炉25により乾燥させた後に焼成し、中間層B上に触媒層を形成する工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】CNT配向集合体を連続的に製造する際に、CNTの収率及び品質の低下を防ぐことができる製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】表面に触媒を有する複数の基材111上にカーボンナノチューブ配向集合体を成長させるカーボンナノチューブ配向集合体の製造方法であって、複数の基材111を成長炉104a内に連続的に搬入し、かつ成長炉104a内において前記触媒の周囲環境を原料ガス環境とすると共に前記触媒及び前記原料ガスのうち少なくとも一方を加熱して、前記カーボンナノチューブ配向集合体を成長させる成長工程と、少なくとも酸素原子を含むクリーニングガスを用いて成長炉104a内をクリーニングするクリーニング工程とを含み、前記成長工程と前記クリーニング工程とを交互に繰り返して行なう。 (もっと読む)


【課題】より効率よくカーボンナノチューブ配向集合体を製造する。
【解決手段】本発明に係るカーボンナノチューブ配向集合体製造用基材は、基板、触媒担持層及び触媒層を備え、前記触媒担持層は前記基板の上にあり、板状構造のアルミニウム酸化物であり、その表面には孔が空いており、前記触媒層は、前記孔の少なくとも一部を選択的に露出して、前記表面の上であって孔の空いていない場所にある、触媒の粒子の層である。 (もっと読む)


【課題】触媒層の膜厚をナノサイズのオーダーで基板全面に均質に形成することが可能であり、均質且つ形状の揃った高配向カーボンナノチューブを低コストで大量に合成することが可能な高配向カーボンナノチューブの製造方法を提供する。
【解決手段】触媒金属を溶媒に溶解させて触媒溶液を調整する工程と、触媒溶液をインクジェット法によって基板に塗布する工程と、基板を熱処理して溶媒を除去する工程と、を備えることを特徴とする高配向カーボンナノチューブの製造方法を選択する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、エピタキシャル構造体及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明のエピタキシャル構造体の製造方法は、少なくとも一つのエピタキシャル成長面を有する基板を提供する第一ステップと、前記基板のエピタキシャル成長面にバッファ層を成長させる第二ステップと、前記バッファ層の表面に複数の空隙を含むカーボンナノチューブ層を配置し、前記基板のエピタキシャル成長面の一部を前記カーボンナノチューブ層の複数の空隙によって露出させる第三ステップと、前記バッファ層の表面にエピタキシャル層を成長させ、前記カーボンナノチューブ層を覆う第四ステップと、前記基板を除去する第五ステップと、を含む。 (もっと読む)


【課題】本発明は、熱音響装置に関し、特にグラフェンを利用した熱音響装置に関するものである。
【解決手段】本発明の熱音響装置は、基板と、発熱器と、複数の音波発生器と、を含む。少なくとも一つの前記音波発生器は、グラフェン−カーボンナノチューブ複合構造体からなる。前記グラフェン−カーボンナノチューブ複合構造体は、相互に積み重なって設置された少なくとも一つのグラフェン構造体及び少なくとも一つのカーボンナノチューブ構造体からなる。前記発熱器は、前記複数の音波発生器にエネルギーを提供し、前記複数から音波発生器に熱を発生させる。また、本発明は、熱音響装置を利用した電子デバイスも提供する。 (もっと読む)


【課題】高速反応性に優れ高調波歪みが小さい熱音響装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、一対の電極と、上記両電極間に連結され、複数の独立した長尺カーボンナノチューブ分子からなるCNT膜とを備える熱音響装置であって、上記各カーボンナノチューブ分子が、単体で両電極間に電気的に接続されていることを特徴とする。上記CNT膜がストライプ状に形成されているとよい。ストライプ状に形成された上記CNT膜のスリットに設けられる放熱用CNT膜をさらに備えることが好ましい。 (もっと読む)


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