【課題】種々の実施形態は、膨張可能な黒鉛の減圧誘導加熱によってグラフェン生成物を作成するための材料および方法を提供する。
【解決手段】グラフェン生成物は、純度が高く、均一な厚みをもつグラフェンナノシートを含むことができる。グラフェンナノシートは、約９９重量％を超える炭素を含むことができる。グラフェンナノシートは、半導体ポリマーのマトリックス内に剥離または分散し、グラフェン含有コンポジットを作成することができる。 （もっと読む）

【課題】スティッキングが生じにくい半導体素子及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】一方の面１ａに触媒層３が形成された基板１において、前記一方とは反対側から前記触媒層３の裏面３ａに至る開口部１ｃを形成する工程と、前記開口部１ｃにおいて、前記触媒層３の裏面３ａにグラフェン５を形成する工程と、前記触媒層３の少なくとも一部を除去する工程と、を有することを特徴とする半導体素子の製造方法。開口部１ｃの形成後、グラフェン５の形成前に、熱処理を行うことができる。グラフェン５を形成する前に、触媒層３の表面に保護層を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】均一なグラフェン層を有するグラフェン基板を提供する。
【解決手段】本発明に係るグラフェン基板の製造方法は、導電性又は半導体基板上においてグラフェン炭素源を電解重合し、グラフェン層を形成する形成工程を包含する。 （もっと読む）

【課題】金属触媒結晶薄膜から絶縁性基板表面上に、グラフェンが横方向に成長する方法を提供する。
【解決手段】本発明のグラフェンの成長方法は、絶縁性結晶基板１０１の上部の表面の一部が露出するように、金属触媒結晶薄膜１０２を形成し、絶縁性結晶基板１０１の上部に、絶縁性基板１０１の表面の一部が露出するように、金属触媒結晶薄膜１０２を形成した状態で、炭化水素を含む気体３を用いて、グラフェンを気相化学成長させる。 （もっと読む）

【課題】
ＣＶＤ等の既存の乾式グラフェン合成法では、高温、真空、不活性気体雰囲気、還元剤（例えば水素）共存下、原料ガスの制御された供給が求められる。酸化グラフェンを還元してグラフェンを得る既存の湿式グラフェン合成法にしても、高温、不活性気体雰囲気、還元剤（例えば水素）共存下での工程を求められる。そのため、簡易で安価な設備と簡便な工程でのグラフェン薄膜の作製方法が切望されていた。
【課題を解決するための手段】
銅、コバルト、ニッケル、ルテニウムのうちのいずれかの金属材料の表面に導電性ポリマーの溶液又は分散液を塗布して塗膜を形成した後、マイクロ波処理することで前記金属材料の表面にグラフェン薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】簡易にしかも安価に作製することができるアモルファスカーボン薄膜作製方法を提供する。
【解決手段】超臨界流体セル６の流体層５内に二酸化炭素及び炭化水素を封入し超臨界状態を形成する工程と、流体層５内に紫外波長のレーザー光を照射する工程と、を含むアモルファスカーボン薄膜作製方法。 （もっと読む）

【課題】 実施形態は、製造工程が簡便な手法によって製造した半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 実施形態の半導体装置は、実施形態にかかる半導体装置は、基板と、基板上に触媒金属膜と、触媒金属膜上にグラフェンと、前記グラフェン上に層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜を貫通するコンタクトホールと前記コンタクトホールにカーボンナノチューブを水素、窒素、アンモニアと希ガスの中から選ばれる１種以上のガスのプラズマで処理した前記触媒金属膜上に又は前記層間絶縁膜を貫通するカーボンナノチューブを水素、窒素、アンモニアと希ガスの中から選ばれる１種以上のガスのプラズマで処理した前記触媒金属膜上に備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】コーティング層及び還元された酸化グラフェン層が順次に積層されたグラフェンペーパーを提供する。
【解決手段】本発明による方法で製造されたグラフェンペーパーは、電気伝導度及び機械的性質が優れているのみならず、大面積のグラフェンペーパーを経済的に形成することができる。よって、薄膜電極、可撓性電極、スーパーキャパシタ、半導体導電膜の補強剤、ＴＦＴ半導体層電極などの電子材料製造に有用である。 （もっと読む）

【課題】グラフェンの原料である酸化グラフェン塩、及びグラフェンを、生産性を高く作製する。
【解決手段】グラファイト及びアルカリ金属塩を含む酸化剤を溶液中で混合して、第１の沈殿物を生成する。次に、酸性溶液を用いて、第１の沈殿物に含まれるアルカリ金属塩を含む酸化剤を電離させ、第１の沈殿物からアルカリ金属塩を含む酸化剤を除去して、第２の沈殿物を生成する。次に、第２の沈殿物と水を混合して混合液を形成した後、混合液に超音波を印加して、または混合液を機械的に攪拌して、第２の沈殿物に含まれる、グラファイトが酸化された酸化グラファイトから酸化グラフェンを分離し、酸化グラフェンが分散する分散液を調製する。次に、分散液と、塩基性溶液及び有機溶媒とを混合し、分散液に含まれる酸化グラフェン及び塩基性溶液に含まれる塩基を反応させ、酸化グラフェン塩を生成する。 （もっと読む）

【課題】基板表面に対して略垂直に近い状態で高密度に配向したカーボンナノチューブに対し、極力ダメージを与えることなくエッチングして、長さが均一に揃ったカーボンナノチューブに加工する方法及び装置の提供。
【解決手段】カーボンナノチューブが形成されたウエハＷをエッチング装置１００の処理容器１内のステージ３上に載置する。シャワーリング５７から処理容器１内にプラズマ生成ガスを導入するとともに、マイクロ波発生部３５で発生したマイクロ波を、平面アンテナ３３に導き、透過板３９を介して処理容器１内に導入する。プラズマが着火したタイミングで酸化性ガス（例えばＯ_２ガス）又は還元性ガス（例えばＨ_２ガスやＮＨ_３ガス）を処理容器１内に導入し、プラズマ化する。このように形成される低電子温度のプラズマを、ウエハＷ上のカーボンナノチューブに作用させることにより、その先端側から基端部側へ向けて長尺方向にエッチングが進行する。 （もっと読む）

【課題】グラフェンシート系材料の処理方法及び装置に関し、所望の層数のグラフェンシートを有するグラフェンシート系材料の形成しうるグラフェンシート系材料の処理方法及び装置を提供する。
【解決手段】グラフェンシート系材料４０の表面に、グラフェンシート系材料４０に作用する反応性物質３４を含む雰囲気中で紫外線３６を照射することにより、グラフェンシート系材料の最表面層を除去し又は最表面層を改質化してグラフェンシート系材料４０の電気的性質を変化する。 （もっと読む）

【課題】広い面積にわたって基板上にナノ粒子を均一に堆積することができる方法を提供する。
【解決手段】パターニングした基板上にナノ粒子を位置付ける方法を対象とし、この方法は、パターニングした基板に選択的に位置付けたくぼみを設けるステップと、パターニングした基板にナノ粒子の溶液または懸濁液を塗布してぬれた基板を形成するステップと、を含む。ぬれた基板の表面をワイパ部材で拭いて、ぬれた基板から塗布したナノ粒子の一部を除去して、塗布したナノ粒子の残り部分の大多数が基板の選択的に位置付けたくぼみ内に配されるように残す。また、本発明は、位置付けたナノ粒子からカーボン・ナノチューブを形成する方法も対象とする。 （もっと読む）

【課題】グラフェンリボンの幅を揃えることを可能にすると共に、幅の揃ったグラフェンリボンを基板全面に備えることが出来る、グラフェンリボンを備える単結晶絶縁性基板の製造方法、及び、グラフェンリボンを備える単結晶絶縁性基板を提供する。
【解決手段】一方向に異方性が付与された基板表面を有する単結晶絶縁性基板を用意し、基板表面にグラフェンを固定し、コア粒子を内包するタンパク質の外径をピッチとして、コア粒子を内包するタンパク質を等間隔にグラフェン上に配置し、タンパク質を除去してコア粒子をグラフェン上に配置し、異方性を示す方向に沿ってコア粒子によりグラフェンを切断して、グラフェンリボンを形成する。 （もっと読む）

【課題】 高強度炭素系線材等をはじめとする工業材料として有用な、直径が制御され、高純度な単層カーボンナノチューブ、特に直径が１.０〜２.０ｎｍの範囲内にある均一な単層カーボンナノチューブおよびその効率的、且つ大量・安価に製造する方法を提供する。
【解決手段】第１炭素源として常温で液体の飽和脂肪族炭化水素を、第２炭素源として常温で気体の不飽和脂肪族炭化水素を用い、流動気相ＣＶＤ法による炭素源から、単層カーボンナノチューブを製造する方法であり、得られた単層カーボンナノチューブは直径が１.０〜２.０ｎｍの範囲内にあり、且つラマンスペクトルにおけるＧバンドとＤバンドの強度比ＩＧ/ＩＤが２００以上であることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】電気絶縁部と伝導部の作り分けが必要なトランジスタの作成において、制御された領域で酸化グラフェンをグラフェンに還元できる方法を提供する。
【解決手段】波形と電界強度が調整されたフェムト秒レーザー光の照射により酸素原子をグラフェンから遠ざかる方向に高い運動エネルギーを集中して与えて酸素原子をグラフェン表面より脱離させ、酸化グラフェン４を還元する。また、時間依存第一原理計算の結果から最適化されたフェムト秒レーザーの波形と電界の最大瞬間強度を予測しておき、実験を行う際にその条件を利用することで効率よく酸素原子をグラフェンから抜き出すことを実現する。 （もっと読む）

【課題】本技術の目的は、ドーピングされたグラフェンの経時劣化を抑制することが可能なグラフェン構造体、その製造方法、光電変換素子、太陽電池及び撮像装置を提供すること
【解決手段】本技術のグラフェン構造体は、導電層と保護層とを具備する。導電層は、ドーパントによりドーピングされたグラフェンからなる。保護層は、前記導電層に積層された、水より酸化還元電位が高い物質からなる。 （もっと読む）

【課題】触媒金属膜の任意の領域にグラフェンを選択的に合成しうるグラフェンの合成方法を提供する。
【解決手段】基板の所定の領域上に、触媒金属膜を形成する。次いで、触媒金属膜の側面に、触媒金属膜よりも触媒能の低い被覆膜を形成する。次いで、触媒金属膜の上面上に、触媒金属膜を触媒としてグラフェンを選択的に合成し、グラフェンチャネルを形成する。次いで、基板上に、グラフェンチャネルに接合されたソース電極及びドレイン電極を形成する。次いで、触媒金属膜及び被覆膜を除去する。次いで、グラフェンチャネル上に、ゲート絶縁膜及びゲート電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、薄膜トランジスタ及びそれを利用した圧力センサーに関する。
ものである。
【解決手段】本発明の薄膜トランジスタは、ソース電極と、ドレイン電極と、半導体層と、ゲート電極と、絶縁層と、を含む。前記ソース電極は、前記ドレイン電極と間隔をあけて設置される。前記半導体層は、前記ソース電極及び前記ドレイン電極にそれぞれ電気的に接続される。前記半導体層は、弾性率が０．１ＭＰａ〜１０ＭＰａである高分子複合材料層である。前記高分子複合材料層は、高分子基材及び該高分子基材に分散された複数のカーボンナノチューブからなる。前記ゲート電極は、前記絶縁層により、前記半導体層、前記ソース電極及び前記ドレイン電極と絶縁状態で設置される。 （もっと読む）

【課題】欠陥のないエピタキシャル構造体を結晶成長させることができるエピタキシャルベース及びエピタキシャル構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１００と、カーボンナノチューブ層１０２とを含み、エピタキシャル層の成長に用いられるエピタキシャルベース１０であって、前記基板１００は、少なくとも一つのパターン化エピタキシャル成長面１０１を有し、前記パターン化エピタキシャル成長面１０１は、複数の溝１０３を含み、前記カーボンナノチューブ層１０２は、前記基板１００のパターン化エピタキシャル成長面１０１に配置され、前記複数の溝１０３に対応する位置では懸架される。前記基板１００のパターン化成長表面１０１にエピタキシャル層を成長させる （もっと読む）

【課題】ＣＮＴ配向集合体を連続的に製造する際に、ＣＮＴの収率及び品質の低下を防ぐことができる製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】表面に触媒を有する複数の基材１１１上にカーボンナノチューブ配向集合体を成長させるカーボンナノチューブ配向集合体の製造方法であって、複数の基材１１１を成長炉１０４ａ内に連続的に搬入し、かつ成長炉１０４ａ内において前記触媒の周囲環境を原料ガス環境とすると共に前記触媒及び前記原料ガスのうち少なくとも一方を加熱して、前記カーボンナノチューブ配向集合体を成長させる成長工程と、少なくとも酸素原子を含むクリーニングガスを用いて成長炉１０４ａ内をクリーニングするクリーニング工程とを含み、前記成長工程と前記クリーニング工程とを交互に繰り返して行なう。 （もっと読む）