【課題】半導体性又は金属性のＳＷＮＴの一方のみ、すなわちカイラリティの制御されたＳＷＮＴの選択的な製造法を提供する。
【解決手段】片浦プロットから求められた所定の直径の単層カーボンナノチューブの遷移エネルギーに対応する光吸収波長又はその近似の波長の自由電子レーザーを照射しながら、アルコール化学気相成長法によって単層カーボンナノチューブを生成、成長させることを特徴とするカイラリティの制御された単層カーボンナノチューブの製造法。 （もっと読む）

【課題】高価な白金や白金合金等の貴金属及びその合金を含まない、燃料電池用電極触媒等に好適な炭素材料を提供する。
【解決手段】上記炭素材料は、下記一般式（１）


（上記一般式（１）において、Ａｒ^１及びＡｒ^２は、それぞれ、炭素数６〜２０の２価の芳香族基である。）で表される繰り返し単位からなる全芳香族ポリアミド１００質量部と、特定の金属フタロシアニン１〜１５０質量部とからなる全芳香族ポリアミド組成物を、不活性ガス雰囲気下、５００℃〜１，５００℃において焼成して得られる。 （もっと読む）

【課題】高価な白金や白金合金等の貴金属及びその合金を含まない、燃料電池用電極触媒等に好適な炭素材料を提供する。
【解決手段】上記炭素材料は、下記一般式（１）


（上記一般式（１）において、Ａｒ^１は炭素数４〜４５の４価の芳香族基であり、Ａｒ^２は炭素数４〜３０の２価の芳香族基である。）で表される繰り返し単位からなる全芳香族ポリイミド１００質量部と、特定の金属フタロシアニン１〜１５０質量部とからなる全芳香族ポリイミド組成物を、不活性ガス雰囲気下、５００℃〜１，５００℃において焼成して得られる。 （もっと読む）

【課題】自由度の高い成長条件で、大規模集積化のための微細加工に適した大きさで、かつ単一結晶領域が実用的な大きさであり、欠陥が少ない高品質で、層数を原子層単位で精密に制御したグラフェンの層が形成できるようにする。
【解決手段】真空チャンバ１０２の内部に基板１０１を配置し、排気部１０３を動作させ、真空チャンバ１０２の内部を分子流領域の圧力に減圧する。次に、ガス送出部１０４を動作させ、原料ガス供給部１０６より供給される例えばエタノールガスを基板１０１の上に送出させる。加えて、真空チャンバ１０２の内部に配置された分解部１０５を動作させ、分解部１０５を構成するタングステンフィラメントが２０００℃程度に加熱する状態とし、上述したように送出されるエタノールガスを通過させることで分解し、これが基板１０１の上に送出される状態とする。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブ長さの均一性を向上させたカーボンナノチューブ集合体の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のカーボンナノチューブ集合体の製造方法は、基板上に形成された触媒粒子を基点として有機化合物蒸気の熱分解によってカーボンナノチューブを成長させるＣＶＤ工程において、前記触媒粒子を、前記触媒粒子の凝集の程度と前記カーボンナノチューブの成長速度とを平衡させる温度に加熱することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】中心細孔径が２ｎｍを超える球状メソポーラスカーボン及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】カーボンナノロッドから構成され、その間隔が２ｎｍ超である球状メソポーラスカーボン。球状メソポーラスシリカの骨格を形成するシリカ原料に、含窒素官能基を備えた含窒素化合物を９９：１〜２０（モル比）で混合し、界面活性剤共存下でこれらを共重合させ、球状メソポーラスシリカのメソ細孔内に界面活性剤が充填された前駆体粒子を得る前駆体粒子製造工程と、中心細孔径が４ｎｍ以上となるようにメソ細孔を拡径する拡径工程と、メソ細孔内の有機物を除去する有機物除去工程と、メソ細孔内に炭素源を導入し、炭化させる炭化工程と、メソ細孔内に炭素が充填された球状メソポーラスシリカからシリカを溶解除去するシリカ除去工程とを備えた球状メソポーラスカーボンの製造方法。 （もっと読む）

【課題】一般的な材料を用い、簡便な装置で金属組成の精密制御が可能で、かつ耐酸化性、耐薬品性を備えたグラファイト被覆金属ナノ粒子を大量に製造することを可能とする。
【解決手段】金属原子Ｍ_１を中心金属とする陰イオン性金属錯体を含有する溶液と、金属原子Ｍ_２の金属陽イオンを含有する溶液とを混合し、金属原子Ｍ_１及び金属原子Ｍ_２からなるプルシアンブルー類似型金属錯体の結晶を析出させる工程と、得られた錯体の結晶と配位子を有する炭化水素化合物とを溶媒中で混合して分散液とし、分散液から溶媒を分離して金属錯体の微粒子を得る工程と、金属錯体の微粒子を還元焼成する工程と、を経てグラファイト被覆金属ナノ粒子を製造する。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ法を用いたカーボンナノチューブの製造工程において、触媒金属の触媒活性の低下を抑制して、カーボンナノチューブを効率的に生成できる技術を提供する。
【解決手段】水素をプロトンとして伝導する水素伝導部４０と、酸素を酸素イオンとして伝導する酸素伝導部１３とが交互に配列された第１と第２の面１１，１２を有する成長用基板１０を準備し、第１の面１１にＣＮＴ触媒２１を担持させる。第１の面１１側に原料ガスを供給し、カーボンナノチューブ５を成長させるとともに、副生成物である水素を、水素伝導部４０において、電圧を利用して、第２の面１２側へと移動させる。カーボンナノチューブ５を採取した後に、第２の面１２側に酸素を供給し、酸素伝導部３０において、酸素イオンを第１の面１１側へと伝導させ、残留カーボン７と反応させて発電することにより、残留カーボン７を除去する。 （もっと読む）

【課題】より高密度にカーボンナノチューブが製造できるようにする。
【解決手段】基板１０１の上に、カーボンナノチューブ成長の核となる複数の微粒子１０２が凝集した凝集核層１０３を形成する。凝集核層１０３を形成した基板１０１を、酸化性ガスの雰囲気に導入して加熱処理を施し、微粒子１０２の表面を清浄化する。引き続いて、基板１０１を、カーボンナノチューブを成長するための炭素含有ガスの雰囲気中に導入する。加えて、基板１０１をカーボンナノチューブの成長温度に加熱する。これらのＣＶＤ法により、凝集核層１０３の上に複数のカーボンナノチューブ１０５が成長する。 （もっと読む）

【課題】湿式法により容易に製造でき、かつ量産も可能であり、フラーレン本来の性質を損なうことなく保持でき、さらに熱分解によって発生する分解物が分解温度において窒素化合物を含まない気体であり、前記分解物が膜内に残留することのないフラーレン膜を形成することが可能な、フラーレン誘導体を原料とするフラーレン膜の製造方法の提供。
【解決手段】１００℃〜４００℃で熱分解し、熱分解によって発生する分解物が分解温度において窒素化合物を含まない気体であるフラーレン誘導体の溶液を基材上に塗布して得られる塗布膜を、前記フラーレン誘導体の熱分解温度よりも高く、前記フラーレンの熱分解温度よりも低い温度で加熱して、前記フラーレン誘導体の少なくとも一部を熱分解させることを特徴とするフラーレン膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】引張強度の強いカーボンナノチューブ凝集物を製造することを目的とする。
【解決手段】カーボンナノチューブ４１０の凝集物を製造する製造方法であって、（１）反応容器１００内でカーボンナノチューブ４１０を形成する工程と、（２）前記反応容器４１０内で前記カーボンナノチューブを凝集させて凝集体５００を生成する工程と、（３）前記凝集体５００を前記反応容器１００外の加熱装置２００に移動させる工程と、（４）前記加熱装置２００で前記凝集体５００を４００度から５００度の温度で加熱する工程と、（５）前記加熱された凝集体５００に引っ張り加重を加えて前記凝集体５００中のカーボンナノチューブ４１０を配向させる工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】基板Ｗを載置するステージ３を内蔵する反応室２を備え、反応室内に炭素を含有する原料ガスを導入して、ステージに載置した基板上に熱ＣＶＤ法によりカーボンナノチューブを形成するカーボンナノチューブの形成装置であって、反応室を真空ポンプ６１により排気する排気系６に、真空ポンプの上流側に位置する圧力調整器６２が設けられるものにおいて、原料ガスの熱分解で発生する副生成物を圧力調整器の上流側で捕捉して、圧力調整器のメンテナンスサイクルを引き延ばすことができるようにする。
【解決手段】排気系６に、圧力調整器６２より上流側に位置させて、鉛直方向下方にＵ字状に湾曲する少なくとも１つのＵ字管部６４を有するトラップ６３を着脱自在に介設する。また、トラップ６３を冷却する冷却手段６６を設ける。 （もっと読む）

【課題】基板表面に、カーボンナノチューブにより形成される層（カーボンナノチューブ層）を設け、該カーボンナノチューブ層が基板表面に強固に密着した構造体を提供する。
【解決手段】基板と、その表面に形成された触媒から成長したカーボンナノチューブ層とを有し、該触媒がＦe、Ｎi、またはＣoの少なくとも一種を含む合金であり、該触媒の融点が７００〜１０５０℃で、かつ基板の融点を超えないことを特徴とする構造体により、上記課題が解決される。 （もっと読む）

【課題】効率良く電子を放出できる電子放出電極を製造する方法を提供する。
【解決手段】本発明の電子放出電極の製造方法は、（１）カーボンナノホーン粒子を構成するカーボンナノホーンに、触媒粒子を担持させる触媒粒子担持工程と、（２）触媒粒子を担持させたカーボンナノホーンから構成されたカーボンナノホーン粒子を、バインダ等を含む溶媒と混合してペーストを調製するペースト調製工程と、（３）そのペーストを、カソード電極にマトリックス状に塗布するペースト塗布工程と、（４）カソード電極上に塗布されたペースト中のカーボンナノホーン粒子を構成するカーボンナノホーンに担持させた触媒粒子から、カーボンナノチューブを成長させるカーボンナノチューブ成長工程と、から構成される。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）局所合成を、高解像度、低コスト、製造容易性、及び大量生産を同時に達成することができるＣＮＴの製造方法、及びそれによって得られる２次元的にパターン化されたＣＮＴを提供の提供。
【解決手段】Ａ）基板を準備する工程；Ｂ）前記基板に１）マスク及び電磁波照射によるか又は２）電子線照射により、疎水性表面と親水性表面とからなる第１の２次元パターンを形成する工程；Ｃ）第１の２次元パターンを有する基板に、触媒含有液を塗布し、触媒の有無による第２の２次元パターンを形成する工程；Ｄ）得られた基板上に、ＡＣＣＶＤにより、ＣＮＴの２次元パターンを形成する工程；を有する方法により、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】効率良く電子を放出する電子放出電極を製造する方法を提供する。
【解決手段】本発明の電子放出電極の製造方法は、（１）カーボンナノホーン粒子を構成するカーボンナノホーンに、触媒粒子を担持させる触媒粒子担持工程と、（２）触媒粒子を担持させたカーボンナノホーンから構成されたカーボンナノホーン粒子を、バインダ等を含む溶媒と混合してペーストを調製するペースト調製工程と、（３）そのペーストを、カソード電極に面状に拡げて塗布するペースト塗布工程と、（４）カソード電極上に塗布されたペースト中のカーボンナノホーン粒子を構成するカーボンナノホーンに担持させた触媒粒子から、カーボンナノチューブを成長させるカーボンナノチューブ成長工程と、から構成される。 （もっと読む）

本発明は、高い電池容量を示し、充放電サイクル特性が良好で、かつ充電特性に優れた二次電池負極用として有用な複合黒鉛粒子、並びにこの複合黒鉛を用いた負極用ペースト、負極及びリチウム二次電池を提供する。
本発明の複合黒鉛粒子は、ｄ（００２）面の層間距離（ｄ値）が０．３３７ｎｍ以下の黒鉛であり、かつラマン分光スペクトルで測定される１３００〜１４００ｃｍ^-1の範囲にあるピーク強度（Ｉ_D）と１５８０〜１６２０ｃｍ^-1の範囲にあるピーク強度（Ｉ_G）との強度比Ｉ_D／Ｉ_G（Ｒ値）が０．０１以上０．１以下である芯材と、ラマン分光スペクトルで測定される１３００〜１４００ｃｍ^-1の範囲にあるピーク強度（Ｉ_D）と１５８０〜１６２０ｃｍ^-1の範囲にあるピーク強度（Ｉ_G）との強度比Ｉ_D／Ｉ_G（Ｒ値）が０．２以上である炭素質表層とからなり、バインダーと混合して１．５５〜１．６５ｇ／ｃｍ³の密度に加圧成形したものをＸＲＤ測定したとき、黒鉛結晶の（１１０）面のピーク強度（Ｉ₁₁₀）と（００４）面のピーク強度（Ｉ₀₀₄）の比Ｉ₁₁₀／Ｉ₀₀₄が０．２以上である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ナノ炭素材料が基板上にパターン配列されて形成されたナノ炭素材料複合基板を製造できるナノ炭素材料複合基板製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明のナノ炭素材料複合基板製造方法は、基板に触媒を担持し、触媒を熱処理し、基板に３次元構造パターンを形成し、前記触媒が担持された基板の表面に固液界面接触分解法によりナノ炭素材料を成長させる。触媒を担持後に基板に３次元構造パターンを形成することから、凸部の上面にのみ選択的に触媒を残存させることが出来、凸部の上面にのみ選択的にナノ炭素材料を形成することが出来る。よって、好適に、ナノ炭素材料が基板上にパターン配列されて形成されたナノ炭素材料複合基板を製造出来る。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ナノ炭素材料が基板上にパターン配列されて形成されたナノ炭素材料複合基板を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、基板と、前記基板上に形成された凹部および凸部よりなる３次元構造ラインパターンと、前記３次元構造ラインパターンが形成された前記基板の表面に形成されたナノ炭素材料と、を備えることを特徴とするナノ炭素材料複合基板である。本発明によれば、３次元構造ラインパターンを有することから、基板の表面上に形成されたナノ炭素材料は３次元構造ラインパターンの形状に沿って形成される。このため、３次元構造ラインパターンに沿ってナノ炭素材料が基板上にライン状にパターン配列される。 （もっと読む）

【課題】初期充放電容量が一層向上した、リチウムイオン二次電池などの電極用材料となる炭素材料の製造方法を提供する。
【解決手段】分子内に、少なくとも１個の式（２ａ）


（式中、Ｘは酸素原子または硫黄原子を表わす。）で示される２価の基または少なくとも２個の式（２ｂ）


（式中、Ｘは前記と同じ意味表わし、Ｒ^１は、アルキル基またはアリール基を表わす。）で表される２価の基を有する炭素数１〜３０の化合物、及び、アルデヒド化合物を重合させる重合工程と、前記重合工程で得られた重合物を不活性ガス雰囲気下、６００℃〜３０００℃で加熱する炭化工程とを含む。 （もっと読む）