【課題】スティッキングが生じにくい半導体素子及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】一方の面１ａに触媒層３が形成された基板１において、前記一方とは反対側から前記触媒層３の裏面３ａに至る開口部１ｃを形成する工程と、前記開口部１ｃにおいて、前記触媒層３の裏面３ａにグラフェン５を形成する工程と、前記触媒層３の少なくとも一部を除去する工程と、を有することを特徴とする半導体素子の製造方法。開口部１ｃの形成後、グラフェン５の形成前に、熱処理を行うことができる。グラフェン５を形成する前に、触媒層３の表面に保護層を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】長尺なカーボンナノチューブを得ることのできるカーボンナノチューブの製造方法及びカーボンナノチューブの製造装置、ならびに長尺なカーボンナノチューブ及びそれを用いたカーボンナノチューブワイヤを提供する。
【解決手段】カーボンナノチューブの製造方法は、原料ガスとの接触によりカーボンナノチューブ５の分子構造を生成する触媒４０が設置された支持部材４を反応管２内に配置する配置ステップと、反応管２内に原料ガスを流通させ、カーボンナノチューブ５の基端部５０が支持部材４に固定されると共に先端部５１に成長用触媒４０が保持された状態でカーボンナノチューブ５を成長させる成長ステップとを有し、成長ステップにおけるカーボンナノチューブ５の成長に応じて、カーボンナノチューブ５の先端部が反応管２内に留まるように、支持部材４を反応管２に対して移動させる。 （もっと読む）

【課題】転写性に優れ、且つ、従来よりも均一な厚みのカーボンナノチューブ層を転写可能な略垂直配向カーボンナノチューブ付き基材を提供する。
【解決手段】カーボンナノチューブが略垂直に配向した基材であって、前記カーボンナノチューブの長手方向に対して中央よりも前記基材側に、当該基材に略平行な面におけるカーボンナノチューブの本数密度が他の部分よりも小さく、且つ／又は、カーボンナノチューブの直径が他の部分よりも小さい部分を有することを特徴とする、略垂直配向カーボンナノチューブ付き基材。 （もっと読む）

【課題】 少量の添加で充分な導電性が付与可能で且つ樹脂や液等の中への浸透性または分散性に優れた炭素繊維を効率的に製造する方法を提供する。
【解決手段】 粉粒状担体と金属触媒とからなる担持触媒に炭素元素含有物質を接触させることによって繊維状炭素を合成し、 平均繊維径が５〜５０ｎｍで且つ屈曲した構造を有する繊維状炭素にホウ素またはホウ素化合物を混ぜ合わせ、次いで１８００℃以上の温度で熱処理することを含む、炭素繊維の製造方法。 （もっと読む）

【課題】大面積のグラフェンを高品質かつ低コストで生産可能なグラフェン製造用銅箔及びそれを用いたグラフェンの製造方法を提供する。
【解決手段】表面粗さＲｚが０．５μｍ以下であり、表面において（１１１）面の割合が６０％以上であり、Ｃｕめっき層及び／又はＣｕスパッタ層からなるグラフェン製造用銅箔１０であり、又、所定の室内に加熱した前記グラフェン製造用銅箔１０を配置すると共に、水素ガスと炭素含有ガスを供給し、グラフェン製造用銅箔１０の銅めっき層の表面にグラフェンを形成するグラフェン形成工程と、グラフェンの表面に転写シートを積層し、グラフェンを転写シート上に転写しながら、グラフェン製造用銅箔１０をエッチング除去するグラフェン転写工程とを有する、グラフェン２０の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】大面積のグラフェンを高品質かつ低コストで生産可能なグラフェン製造用銅箔及びそれを用いたグラフェンの製造方法を提供する。
【解決手段】表面粗さRzが0.5μｍ以下であり、表面において(111)面の割合が60%以上を占めるグラフェン製造用銅箔１０である。 （もっと読む）

【課題】大面積のグラフェンを低コストで生産可能なグラフェン製造用銅箔及びそれを用いたグラフェンの製造方法を提供する。
【解決手段】純度が99.95質量％以上のＣｕからなるグラフェン製造用銅箔である。 （もっと読む）

【課題】長尺のカーボンナノチューブの分散性に優れたカーボンナノチューブの分散液を提供する。
【解決手段】カーボンナノチューブの分散液は、分散媒と、平均長さが８μｍ以上１０ｍｍ以下であるカーボンナノチューブと、分子内に親水構造部と疎水構造部とを有する二種以上の界面活性剤と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ナノカーボンを含む超微粉炭素を、さらに効率的に連続して大量生産できることが期待できる新規な構成の触媒反応装置を提供すること。
【解決手段】反応管内で原料としての含炭化水素化合物を粉体触媒と攪拌混合し、含炭化水素化合物を触媒反応により熱分解させて、超微粉炭素を生成させる触媒反応装置。反応管（３）は、外部加熱手段（２）を備えるとともに搬送攪拌手段（７）を内蔵する。さらに、反応管（３）内に1箇所又は複数個所で原料を気密的に供給する原料供給手段（１１）と、反応管（３）の搬送方向元部側に接続されて触媒を気密的に供給する触媒供給手段（１７）、（１９）と、反応管（３）の搬送方向先端側に接続されて粉体製品を触媒とともに気密的に排出する粉体排出手段（２５）と、同上部側に接続されて気体成分を減圧吸引機（３５）で吸引排出する気体排出手段（３０）、（３４）と、を付設する。 （もっと読む）

【課題】カルシウムやマグネシウムが共存する海水や廃液中から放射性ストロンチウムを選択的に除去することのできる方法、及びそのための吸着剤を提供する。
【解決手段】廃液に、(a)水酸化チタン又は水酸化ジルコニウムと、(b)リン酸化合物と、(c)アルカリ金属、アルカリ土類金属、鉄、コバルト、ニッケル、銅及び亜鉛からなる群から選ばれた少なくとも1種の金属を含有する水溶性金属塩と、(d)ダイヤモンド微粒子及び／又はカーボンナノチューブとを添加する工程を有することを特徴とする廃液中の金属原子を除去及び回収する廃液処理方法。 （もっと読む）

【課題】金属触媒結晶薄膜から絶縁性基板表面上に、グラフェンが横方向に成長する方法を提供する。
【解決手段】本発明のグラフェンの成長方法は、絶縁性結晶基板１０１の上部の表面の一部が露出するように、金属触媒結晶薄膜１０２を形成し、絶縁性結晶基板１０１の上部に、絶縁性基板１０１の表面の一部が露出するように、金属触媒結晶薄膜１０２を形成した状態で、炭化水素を含む気体３を用いて、グラフェンを気相化学成長させる。 （もっと読む）

【課題】選択的かつ精密にカイラリティを制御することができる単層カーボンナノチューブの製造方法を提供する。
【解決手段】非磁性金属から成る触媒層を形成した基板の触媒層上に、プラズマＣＶＤ法により単層カーボンナノチューブを成長させる成長工程と、反応性イオンエッチングにより基板をエッチングするエッチング工程とを同時に行う。成長工程では、プラズマＣＶＤ法の原料ガスとして炭化水素ガスを使用し、プラズマＣＶＤ法で発生するプラズマシース電場を制御する。エッチング工程では、反応性イオンエッチングにおける化学的活性種は水素ラジカル、物理的作用を担うものはイオンであり、ラジカル密度とイオン入射エネルギーとを制御する。 （もっと読む）

【課題】フッ素樹脂以外のマトリックスで、高導電性、及び優れた力学特性を発現するカーボンナノチューブ複合材料を実現すること。また、フッ素樹脂以外のマトリックスで、高導電性、及び優れた力学特性を発現するカーボンナノチューブ複合材料を備える導電材料を実現すること。
【解決手段】本発明のカーボンナノチューブ複合材料は、カーボンナノチューブ、フッ素を含有する化合物と、フッ素を含有する化合物以外の樹脂又はエラストマーからなるマトリックス中に分散してなるカーボンナノチューブ複合材料であって、前記フッ素を含有する化合物がマトリックス中に島状に分散してなる。また、本発明のカーボンナノチューブ複合材料において、フッ素樹脂以外のマトリックスの溶解度パラメーターが１８以下１９以上である。 （もっと読む）

【課題】基材表面に、非晶質炭素被膜を被覆し、これを高面圧下でかつ摺動頻度の高い摺動部材として使用したとしても、その表面の非晶質炭素被膜の摩耗を抑制することができる摺動部材の製造方法を提供することにある。
【解決手段】基材１０の表面に、ナノダイヤモンド粒子２１が分散されたニッケルめっき被膜２０を被覆する工程と、ニッケルめっき被膜２０の表面に露出したナノダイヤモンド粒子２１を核として、ナノダイヤモンド粒子２１から膜厚方向に非晶質炭素を成長させながら、ニッケルめっき被膜２０の表面に非晶質炭素被膜３０を被覆する工程と、を少なくとも含む。 （もっと読む）

【課題】 フレキシブルで、軽く、安定で高導電性の導電材料およびこれを用いた電気素
子を提供する。
【解決手段】
本発明の導電材料は、少なくとも一つの次元方向が２００ｎｍ以下であり、かつ炭素原
子の一部が少なくとも窒素原子に置換された単層グラフェン及び多層グラフェンの少なく
とも１種よりなるカーボン材料と、金属の粒子及び線材の少なくとも１種よりなる金属材
料とが、混合及び／又は積層されてなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】転写を必ずしも必要としない、グラファイト薄膜の形成方法を提供すること。
【解決手段】物理気相堆積法により、（ａ）炭素と（ｂ）金属又はゲルマニウムとを含む薄膜Ａを基板上に形成し、熱処理により前記炭素を前記基板上に析出させ、前記（ｂ）成分を除去し、前記基板上にグラファイト薄膜を形成することを特徴とするグラファイト薄膜の形成方法。前記薄膜Ａを形成する方法としては、例えば、炭素を含むガス中で、前記（ｂ）成分をスパッタする方法が挙げられる。 （もっと読む）

【課題】 高い導電性を有し、分散剤を使用しなくても、分散媒への分散性および分散安定性が良いカーボンナノファイバー、ならびにこのカーボンナノファイバーを用いる分散液を提供することを目的とする。
【解決手段】 波長が５１４．５ｎｍであるアルゴンイオンレーザーを使用するラマン分光測定におけるＤバンドの半値幅が、７０〜９０ｃｍ^−１であることを特徴とする、カーボンナノファイバーである。また、このカーボンナノファイバーと、分散媒とを含む、カーボンナノファイバー分散液である。 （もっと読む）