【課題】スティッキングが生じにくい半導体素子及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】一方の面１ａに触媒層３が形成された基板１において、前記一方とは反対側から前記触媒層３の裏面３ａに至る開口部１ｃを形成する工程と、前記開口部１ｃにおいて、前記触媒層３の裏面３ａにグラフェン５を形成する工程と、前記触媒層３の少なくとも一部を除去する工程と、を有することを特徴とする半導体素子の製造方法。開口部１ｃの形成後、グラフェン５の形成前に、熱処理を行うことができる。グラフェン５を形成する前に、触媒層３の表面に保護層を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】長尺なカーボンナノチューブを得ることのできるカーボンナノチューブの製造方法及びカーボンナノチューブの製造装置、ならびに長尺なカーボンナノチューブ及びそれを用いたカーボンナノチューブワイヤを提供する。
【解決手段】カーボンナノチューブの製造方法は、原料ガスとの接触によりカーボンナノチューブ５の分子構造を生成する触媒４０が設置された支持部材４を反応管２内に配置する配置ステップと、反応管２内に原料ガスを流通させ、カーボンナノチューブ５の基端部５０が支持部材４に固定されると共に先端部５１に成長用触媒４０が保持された状態でカーボンナノチューブ５を成長させる成長ステップとを有し、成長ステップにおけるカーボンナノチューブ５の成長に応じて、カーボンナノチューブ５の先端部が反応管２内に留まるように、支持部材４を反応管２に対して移動させる。 （もっと読む）

【課題】転写性に優れ、且つ、従来よりも均一な厚みのカーボンナノチューブ層を転写可能な略垂直配向カーボンナノチューブ付き基材を提供する。
【解決手段】カーボンナノチューブが略垂直に配向した基材であって、前記カーボンナノチューブの長手方向に対して中央よりも前記基材側に、当該基材に略平行な面におけるカーボンナノチューブの本数密度が他の部分よりも小さく、且つ／又は、カーボンナノチューブの直径が他の部分よりも小さい部分を有することを特徴とする、略垂直配向カーボンナノチューブ付き基材。 （もっと読む）

【課題】 少量の添加で充分な導電性が付与可能で且つ樹脂や液等の中への浸透性または分散性に優れた炭素繊維を効率的に製造する方法を提供する。
【解決手段】 粉粒状担体と金属触媒とからなる担持触媒に炭素元素含有物質を接触させることによって繊維状炭素を合成し、 平均繊維径が５〜５０ｎｍで且つ屈曲した構造を有する繊維状炭素にホウ素またはホウ素化合物を混ぜ合わせ、次いで１８００℃以上の温度で熱処理することを含む、炭素繊維の製造方法。 （もっと読む）

【課題】大面積のグラフェンを高品質かつ低コストで生産可能なグラフェン製造用銅箔及びそれを用いたグラフェンの製造方法を提供する。
【解決手段】表面粗さＲｚが０．５μｍ以下であり、表面において（１１１）面の割合が６０％以上であり、Ｃｕめっき層及び／又はＣｕスパッタ層からなるグラフェン製造用銅箔１０であり、又、所定の室内に加熱した前記グラフェン製造用銅箔１０を配置すると共に、水素ガスと炭素含有ガスを供給し、グラフェン製造用銅箔１０の銅めっき層の表面にグラフェンを形成するグラフェン形成工程と、グラフェンの表面に転写シートを積層し、グラフェンを転写シート上に転写しながら、グラフェン製造用銅箔１０をエッチング除去するグラフェン転写工程とを有する、グラフェン２０の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】結晶性の高い良質なグラフェンを、極力低い温度で効率よく成長させる方法を提供する。
【解決手段】グラフェンの成長に先立ち、前処理を行う。前処理は、排気装置９９を作動させて処理容器１内を減圧排気しながら、シャワーリング５７から処理容器１内に希ガスを導入するとともに、シャワープレート５９から処理容器１内に還元性ガス及び窒素含有ガスをそれぞれ導入する。この状態で、マイクロ波発生部３５で発生したマイクロ波を、導波管４７及び同軸導波管４９を介して所定のモードで平面アンテナ３３に導き、平面アンテナ３３のマイクロ波放射孔３３ａ、透過板３９を介して処理容器１内に導入する。このマイクロ波により、還元性ガス及び窒素含有ガスをプラズマ化し、ウエハＷ表面の触媒金属層に活性化処理を施す。 （もっと読む）

【課題】長尺のカーボンナノチューブの分散性に優れたカーボンナノチューブの分散液を提供する。
【解決手段】カーボンナノチューブの分散液は、分散媒と、平均長さが８μｍ以上１０ｍｍ以下であるカーボンナノチューブと、分子内に親水構造部と疎水構造部とを有する二種以上の界面活性剤と、を備える。 （もっと読む）

【課題】金属触媒結晶薄膜から絶縁性基板表面上に、グラフェンが横方向に成長する方法を提供する。
【解決手段】本発明のグラフェンの成長方法は、絶縁性結晶基板１０１の上部の表面の一部が露出するように、金属触媒結晶薄膜１０２を形成し、絶縁性結晶基板１０１の上部に、絶縁性基板１０１の表面の一部が露出するように、金属触媒結晶薄膜１０２を形成した状態で、炭化水素を含む気体３を用いて、グラフェンを気相化学成長させる。 （もっと読む）

【課題】 フレキシブルで、軽く、安定で高導電性の導電材料およびこれを用いた電気素
子を提供する。
【解決手段】
本発明の導電材料は、少なくとも一つの次元方向が２００ｎｍ以下であり、かつ炭素原
子の一部が少なくとも窒素原子に置換された単層グラフェン及び多層グラフェンの少なく
とも１種よりなるカーボン材料と、金属の粒子及び線材の少なくとも１種よりなる金属材
料とが、混合及び／又は積層されてなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 高い導電性を有し、分散剤を使用しなくても、分散媒への分散性および分散安定性が良いカーボンナノファイバー、ならびにこのカーボンナノファイバーを用いる分散液を提供することを目的とする。
【解決手段】 波長が５１４．５ｎｍであるアルゴンイオンレーザーを使用するラマン分光測定におけるＤバンドの半値幅が、７０〜９０ｃｍ^−１であることを特徴とする、カーボンナノファイバーである。また、このカーボンナノファイバーと、分散媒とを含む、カーボンナノファイバー分散液である。 （もっと読む）

【課題】触媒を用いて製造されたカーボンナノファイバーについて、残留する触媒を十分に除去し、高純度なカーボンナノファイバーを得ることができる精製方法とその用途を提供する。
【解決手段】触媒を用いて製造されたカーボンナノファイバーについて、無機酸とキレート剤を含む溶液を用いて残留触媒を除去する工程を含むことを特徴とするカーボンナノファイバーの精製方法であり、好ましくは、無機酸が硫酸、塩酸、および硝酸からなる群から選択される少なくとも１種であり、キレート剤がアミノカルボン酸キレート、ホスホン酸系キレート、グルコン酸系キレート、および有機酸からなる群から選択される少なくとも１種であり、無機酸の濃度０.１〜１０wt％、キレート剤の濃度０.０１〜５wt％の水溶液を用いて精製するカーボンナノファイバーの精製方法とその用途を提供する。 （もっと読む）

【課題】新たなＣＮＴの生産用の基材を提供する。
【解決手段】本発明に係るＣＮＴ配向集合体生産用基材の製造方法は、クロムの不動態被膜を有する基板を、酸素原子を有するガスを含む雰囲気中で加熱して酸化する酸化工程と、基板上に触媒担持層を形成する触媒担持層形成工程と、触媒担持層上に触媒層を形成する触媒層形成工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、表面に反応防止膜が形成された反応防止膜付基板に対し、好適な濡れ性を有し、触媒金属塩の溶媒として使用でき、均一な触媒層を形成し、最終的に製造される配向ＣＮＴのサイズを制御することを目的としている。
【解決手段】本発明は、溶媒に触媒金属塩を分散及び／又は溶解した触媒金属塩液を基板の表面に塗布加熱し、熱ＣＶＤ処理により配向ＣＮＴを合成する製造方法において、前記溶媒は、ＰＧＥと前記ＰＧＥとの相溶性があって非親水性を有する非親水液とが混合した特性溶媒であり、前記非親水液が前記ＰＧＥより加水分解反応が少なく、前記基板が基板表面に反応防止膜が形成された反応防止膜付基板であり、前記触媒金属塩液の金属塩濃度と前記配向ＣＮＴのサイズとの相関から相関関係を導出し、前記相関関係により前記金属塩濃度を調整して前記サイズを制御する配向ＣＮＴ製造方法である。 （もっと読む）

【課題】表面に炭素質被膜が形成された電極活物質を電極材料として用いる場合に、炭素質被膜の担持量のムラが小さく、しかも電子導電性を改善することが可能な電極材料及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の電極材料は、表面に炭素質被膜が形成された電極活物質粒子を凝集してなる凝集体であり、この凝集体の平均粒子径は０．５μｍ以上かつ１００μｍ以下であり、この凝集体の細孔径分布の累積体積百分率が５０％のときの細孔径（Ｄ５０）は０．１μｍ以上かつ０．２μｍ以下であり、この凝集体の空孔率は、この凝集体を中実とした場合の体積に対して１５体積％以上かつ５０体積％以下である。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノファイバを十分に成長させることができるカーボンナノファイバ形成用構造体、カーボンナノファイバ構造体及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】基材１０と、基材１０上に設けられ、金属酸化物からなる金属酸化物層２０と、金属酸化物層２０に担持される金属触媒３０とを備え、金属酸化物層２０の少なくとも一部の厚さが、０．５〜１０ｎｍであるカーボンナノファイバ形成用構造体４０。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノファイバを十分に成長させることができるカーボンナノファイバ形成用構造体、カーボンナノファイバ構造体及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】酸素イオン伝導性酸化物を含む基材１０と、基材１０上に担持される金属触媒３０とを備えるカーボンナノファイバ形成用構造体４０。 （もっと読む）

【課題】 実施形態は、製造工程が簡便な手法によって製造した半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 実施形態の半導体装置は、実施形態にかかる半導体装置は、基板と、基板上に触媒金属膜と、触媒金属膜上にグラフェンと、前記グラフェン上に層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜を貫通するコンタクトホールと前記コンタクトホールにカーボンナノチューブを水素、窒素、アンモニアと希ガスの中から選ばれる１種以上のガスのプラズマで処理した前記触媒金属膜上に又は前記層間絶縁膜を貫通するカーボンナノチューブを水素、窒素、アンモニアと希ガスの中から選ばれる１種以上のガスのプラズマで処理した前記触媒金属膜上に備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】流動層を用いてカーボンナノコイルなどを製造する際に、その製造効率の改善を図り得る製造装置を提供する。
【解決手段】上下端部が閉塞された筒状部材１と、この筒状部材内の中間部に配置されて流動層形成用の上方空間部Ａと反応ガス供給用の下方空間部Ｂとに区画すると共に中央に製品の取出用開口部２ａが形成され逆円錐形状の流動層保持部材２と、この保持部材上の製品を回収手段４に導く取出用筒部材３と、取出用開口部を開閉自在な開閉手段５と、筒状部材の上方空間部に粒状体を供給する粒状体供給手段６と、取出用筒部材と筒状部材との間の環状空間部Ｃ内に反応ガスを供給する反応ガス供給手段７と、筒状部材の外周に配置されてその内部を加熱し得る加熱手段８と、筒状部材の上方空間部内に配置されて当該筒状部材の内壁面に付着した付着物を掻き落し得る掻き落し手段９とを具備したもの。 （もっと読む）