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Fターム[4G146BB23]の内容

Fターム[4G146BB23]に分類される特許

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【課題】スティッキングが生じにくい半導体素子及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】一方の面1aに触媒層3が形成された基板1において、前記一方とは反対側から前記触媒層3の裏面3aに至る開口部1cを形成する工程と、前記開口部1cにおいて、前記触媒層3の裏面3aにグラフェン5を形成する工程と、前記触媒層3の少なくとも一部を除去する工程と、を有することを特徴とする半導体素子の製造方法。開口部1cの形成後、グラフェン5の形成前に、熱処理を行うことができる。グラフェン5を形成する前に、触媒層3の表面に保護層を形成することができる。 (もっと読む)


【課題】大面積のグラフェンを低コストで生産可能なグラフェン製造用銅箔及びそれを用いたグラフェンの製造方法を提供する。
【解決手段】純度が99.95質量%以上のCuからなるグラフェン製造用銅箔である。 (もっと読む)


【課題】均一なグラフェン層を有するグラフェン基板を提供する。
【解決手段】本発明に係るグラフェン基板の製造方法は、導電性又は半導体基板上においてグラフェン炭素源を電解重合し、グラフェン層を形成する形成工程を包含する。 (もっと読む)


【課題】結晶性の高い良質なグラフェンを、極力低い温度で効率よく成長させる方法を提供する。
【解決手段】グラフェンの成長に先立ち、前処理を行う。前処理は、排気装置99を作動させて処理容器1内を減圧排気しながら、シャワーリング57から処理容器1内に希ガスを導入するとともに、シャワープレート59から処理容器1内に還元性ガス及び窒素含有ガスをそれぞれ導入する。この状態で、マイクロ波発生部35で発生したマイクロ波を、導波管47及び同軸導波管49を介して所定のモードで平面アンテナ33に導き、平面アンテナ33のマイクロ波放射孔33a、透過板39を介して処理容器1内に導入する。このマイクロ波により、還元性ガス及び窒素含有ガスをプラズマ化し、ウエハW表面の触媒金属層に活性化処理を施す。 (もっと読む)


【課題】長尺のカーボンナノチューブの分散性に優れたカーボンナノチューブの分散液を提供する。
【解決手段】カーボンナノチューブの分散液は、分散媒と、平均長さが8μm以上10mm以下であるカーボンナノチューブと、分子内に親水構造部と疎水構造部とを有する二種以上の界面活性剤と、を備える。 (もっと読む)


【課題】金属触媒結晶薄膜から絶縁性基板表面上に、グラフェンが横方向に成長する方法を提供する。
【解決手段】本発明のグラフェンの成長方法は、絶縁性結晶基板101の上部の表面の一部が露出するように、金属触媒結晶薄膜102を形成し、絶縁性結晶基板101の上部に、絶縁性基板101の表面の一部が露出するように、金属触媒結晶薄膜102を形成した状態で、炭化水素を含む気体3を用いて、グラフェンを気相化学成長させる。 (もっと読む)


【課題】
CVD等の既存の乾式グラフェン合成法では、高温、真空、不活性気体雰囲気、還元剤(例えば水素)共存下、原料ガスの制御された供給が求められる。酸化グラフェンを還元してグラフェンを得る既存の湿式グラフェン合成法にしても、高温、不活性気体雰囲気、還元剤(例えば水素)共存下での工程を求められる。そのため、簡易で安価な設備と簡便な工程でのグラフェン薄膜の作製方法が切望されていた。
【課題を解決するための手段】
銅、コバルト、ニッケル、ルテニウムのうちのいずれかの金属材料の表面に導電性ポリマーの溶液又は分散液を塗布して塗膜を形成した後、マイクロ波処理することで前記金属材料の表面にグラフェン薄膜を形成する。 (もっと読む)


【課題】基材表面に、非晶質炭素被膜を被覆し、これを高面圧下でかつ摺動頻度の高い摺動部材として使用したとしても、その表面の非晶質炭素被膜の摩耗を抑制することができる摺動部材の製造方法を提供することにある。
【解決手段】基材10の表面に、非晶質炭素被膜20が形成された摺動部材1であって、非晶質炭素被膜20には、Biからなるクラスター21が分散している。 (もっと読む)


【課題】フッ素樹脂以外のマトリックスで、高導電性、及び優れた力学特性を発現するカーボンナノチューブ複合材料を実現すること。また、フッ素樹脂以外のマトリックスで、高導電性、及び優れた力学特性を発現するカーボンナノチューブ複合材料を備える導電材料を実現すること。
【解決手段】本発明のカーボンナノチューブ複合材料は、カーボンナノチューブ、フッ素を含有する化合物と、フッ素を含有する化合物以外の樹脂又はエラストマーからなるマトリックス中に分散してなるカーボンナノチューブ複合材料であって、前記フッ素を含有する化合物がマトリックス中に島状に分散してなる。また、本発明のカーボンナノチューブ複合材料において、フッ素樹脂以外のマトリックスの溶解度パラメーターが18以下19以上である。 (もっと読む)


【課題】本発明は、表面に反応防止膜が形成された反応防止膜付基板に対し、好適な濡れ性を有し、触媒金属塩の溶媒として使用でき、均一な触媒層を形成し、最終的に製造される配向CNTのサイズを制御することを目的としている。
【解決手段】本発明は、溶媒に触媒金属塩を分散及び/又は溶解した触媒金属塩液を基板の表面に塗布加熱し、熱CVD処理により配向CNTを合成する製造方法において、前記溶媒は、PGEと前記PGEとの相溶性があって非親水性を有する非親水液とが混合した特性溶媒であり、前記非親水液が前記PGEより加水分解反応が少なく、前記基板が基板表面に反応防止膜が形成された反応防止膜付基板であり、前記触媒金属塩液の金属塩濃度と前記配向CNTのサイズとの相関から相関関係を導出し、前記相関関係により前記金属塩濃度を調整して前記サイズを制御する配向CNT製造方法である。 (もっと読む)


【課題】新たなCNTの生産用の基材を提供する。
【解決手段】本発明に係るCNT配向集合体生産用基材の製造方法は、クロムの不動態被膜を有する基板を、酸素原子を有するガスを含む雰囲気中で加熱して酸化する酸化工程と、基板上に触媒担持層を形成する触媒担持層形成工程と、触媒担持層上に触媒層を形成する触媒層形成工程と、を含む。 (もっと読む)


【課題】アルカリ元素等の電子供与性金属元素内包によるフラーレンの電子状態改質は非常に有効で興味深いが、金属内包フラーレンの合成と単離は一般的に困難である。特にC60への金属内包ドーピングは、実現例が極めて少ない。本発明では、Li@C60塩を原料として用いて、Li@C60薄膜の作製することを目的とする。
【解決手段】本願発明の膜は、Li@C60塩を昇華させた生成物をCu(111)面上に堆積させることによる形成されたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】カーボンナノファイバを十分に成長させることができるカーボンナノファイバ形成用構造体、カーボンナノファイバ構造体及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】基材10と、基材10上に設けられ、金属酸化物からなる金属酸化物層20と、金属酸化物層20に担持される金属触媒30とを備え、金属酸化物層20の少なくとも一部の厚さが、0.5〜10nmであるカーボンナノファイバ形成用構造体40。 (もっと読む)


【課題】単結晶ダイヤモンドと多結晶ダイヤモンドの双方の利点を活かしながら、更に板状の構造を可能にするために、多結晶ダイヤモンドの研磨の困難性も回避し、研磨が容易なダイヤモンド複合体を提供すること。
【解決手段】少なくとも2種類の結晶性の異なる結晶からなる構造の複合体であり、その内の第一の結晶は高圧合成法により合成した単結晶ダイヤモンドか、あるいは気相合成法により合成した単結晶ダイヤモンドであり、第二の結晶は欠陥を面内に周期的なパターン形状で含む気相合成法により合成したダイヤモンドであり、該第一の結晶及び第二の結晶はいずれも、主面が平行になるように層状に形成されていることを特徴とするダイヤモンド複合体。 (もっと読む)


【課題】カーボンナノファイバを十分に成長させることができるカーボンナノファイバ形成用構造体、カーボンナノファイバ構造体及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】酸素イオン伝導性酸化物を含む基材10と、基材10上に担持される金属触媒30とを備えるカーボンナノファイバ形成用構造体40。 (もっと読む)


【課題】 実施形態は、製造工程が簡便な手法によって製造した半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 実施形態の半導体装置は、実施形態にかかる半導体装置は、基板と、基板上に触媒金属膜と、触媒金属膜上にグラフェンと、前記グラフェン上に層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜を貫通するコンタクトホールと前記コンタクトホールにカーボンナノチューブを水素、窒素、アンモニアと希ガスの中から選ばれる1種以上のガスのプラズマで処理した前記触媒金属膜上に又は前記層間絶縁膜を貫通するカーボンナノチューブを水素、窒素、アンモニアと希ガスの中から選ばれる1種以上のガスのプラズマで処理した前記触媒金属膜上に備えることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】高い電気伝導度を実現できるとともに、柔軟性等の特性の劣化の少ないカーボンナノチューブ糸を実現できるカーボンナノチューブ糸及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】CNT糸5は、並列に配置されて束ねられた基材であるCNT(基材CNT)3の間に、各基材CNT3間を電気的に繋ぐように多数のCNT(成長CNT)11が形成されている。この成長CNT11によって、基材CNT3間の空間がある程度埋まっている。つまり、成長CNT11を有するCNT糸5の場合は、成長CNT11が無い場合に比べて、基材CNT3間の空間が少なくなり、CNT糸5と成長CNT11との電気的接続によって、CNT糸5の電気伝導度が向上する。 (もっと読む)


【課題】配向CNTをより一層安価に量産することができる配向CNTの製造方法を提供する。
【解決手段】還元ガス、原料ガス及び触媒賦活物質を噴出させ、基板の触媒被膜形成面に直交する方向に配向するカーボンナノチューブを化学気相成長により製造するための方法であり、基板の触媒被膜形成面を臨む位置に設けられた複数の噴出孔を備えるシャワーヘッドの該噴出孔から還元ガスを噴出させ、該噴出された還元ガスによって触媒被膜形成面に存在する金属触媒粒子の密度を1.0×1011から1.0×1013個/cmに調整させ、かつ、該シャワーヘッドの噴出孔から原料ガス及び触媒賦活物質を噴出させ、該噴出された原料ガス及び触媒活性物質を前記成長して配向したカーボンナノチューブの集合体中を拡散させて触媒被覆形成面と接触させるようにしたことを特徴とする。 (もっと読む)


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