説明

Fターム[4G146BC10]の内容

炭素・炭素化合物 (72,636) | 製造−製造工程、製造条件 (14,091) | 気相反応、気相熱分解 (1,387) | 物理的手法による、PVD (75)

Fターム[4G146BC10]に分類される特許

1 - 20 / 75


【課題】低コストかつ効率よくカーボンナノ粒子を連続的に製造する方法を提供する。
【解決手段】 流体20中で陰極14と、黒鉛陽極12との間に電圧を印加して、隙間34にアーク放電を発生させる。ボンベ28から所定流量の不活性気体を隙間34に導入する。アーク放電によって隙間34で生成した炭素蒸気からカーボンナノ粒子が生成される。 (もっと読む)


【課題】基材表面に、非晶質炭素被膜を被覆し、これを高面圧下でかつ摺動頻度の高い摺動部材として使用したとしても、その表面の非晶質炭素被膜の摩耗を抑制することができる摺動部材の製造方法を提供することにある。
【解決手段】基材10の表面に、ナノダイヤモンド粒子21が分散されたニッケルめっき被膜20を被覆する工程と、ニッケルめっき被膜20の表面に露出したナノダイヤモンド粒子21を核として、ナノダイヤモンド粒子21から膜厚方向に非晶質炭素を成長させながら、ニッケルめっき被膜20の表面に非晶質炭素被膜30を被覆する工程と、を少なくとも含む。 (もっと読む)


【課題】基材表面に、非晶質炭素被膜を被覆し、これを高面圧下でかつ摺動頻度の高い摺動部材として使用したとしても、その表面の非晶質炭素被膜の摩耗を抑制することができる摺動部材の製造方法を提供することにある。
【解決手段】基材10の表面に、非晶質炭素被膜20が形成された摺動部材1であって、非晶質炭素被膜20には、Biからなるクラスター21が分散している。 (もっと読む)


【課題】転写を必ずしも必要としない、グラファイト薄膜の形成方法を提供すること。
【解決手段】物理気相堆積法により、(a)炭素と(b)金属又はゲルマニウムとを含む薄膜Aを基板上に形成し、熱処理により前記炭素を前記基板上に析出させ、前記(b)成分を除去し、前記基板上にグラファイト薄膜を形成することを特徴とするグラファイト薄膜の形成方法。前記薄膜Aを形成する方法としては、例えば、炭素を含むガス中で、前記(b)成分をスパッタする方法が挙げられる。 (もっと読む)


【課題】スピントロニクスデバイス、単分子磁気デバイス等への応用が期待されるニッケル内包フラーレンは、鉄やニッケルなどに代表される遷移金属がフラーレンとの間で効率の良い電子移動が起こらず金属原子が生成途中でフラーレンから脱離するために、ニッケル内包フラーレンの合成は困難とされていた。
【解決手段】るつぼに入れたニッケル金属に対し電子ビームを照射し、蒸発したニッケル原子に電子を衝突させ、電子とニッケルイオンからなるプラズマを生成し、プラズマとフラーレンの反応により堆積基板上にニッケル内包フラーレンを含む堆積物を形成した。電子ビームのエミッション電流を制御することにより、ニッケル内包フラーレンの高効率合成が可能になった。 (もっと読む)


【課題】 グラフェンを用いる導電性薄膜の導電性を高める。
【解決手段】 本発明のある態様においては、1原子層以上の炭素原子のシートからなる第1のグラフェン膜10Aと、1原子層以上の炭素原子のシートからなる第2のグラフェン膜10Bと、第1および第2のグラフェン膜の間に挟まれている挿入膜12とを含む超格子構造100を備える導電性薄膜1000が提供される。また、同様の構成の透明導電膜も提供される。 (もっと読む)


【課題】高品質なグラフェンが、低コストで大面積に、より容易に作製できるようにする。
【解決手段】加熱することで金属層102に炭素を溶解させた後、加熱の温度を低下させ、金属層102の表面に溶解していた炭素を析出させることで、グラフェン104を形成する。例えば、900℃で30分間保持してニッケルからなる金属層102に炭素を溶解させた後、毎分20℃で室温まで降温することで、金属層102の上にグラフェン104が析出する。 (もっと読む)


【課題】高品質でドメインバウンダリーが無い均一なグラフェン薄膜を製膜する。
【解決手段】単結晶基板にエピタキシャルに成長した遷移金属単結晶薄膜を加熱し、遷移金属の表面に炭素を供給することでグラフェンを成長させるグラフェンの製造方法において、単結晶基板として、Mica(100)、もしくはYSZ(111)を用いることとする。遷移金属はFe、Co、Ni、Cu、Mo、Ru、Rh、Pd、W、Re、Ir、Ptまたはこれらの合金である。遷移金属単結晶薄膜は3回対称または6回対称の表面を有する (もっと読む)


【課題】耐熱サイクル特性、耐熱応力特性に優れたアモルファス状炭素皮膜の形成を可能とするアモルファス状炭素皮膜の形成方法及びアモルファス状炭素皮膜を提供する。
【解決手段】基材表面に、アモルファス状炭素皮膜を形成させる方法であって、前記基材のアモルファス状炭素皮膜形成面に、前記基材よりも炭化物生成自由エネルギーの小さい物質からなる粒子を分散させ、化学蒸着法又は物理蒸着法により前記粒子上にアモルファス状炭素を成長させて、柱状のセグメントの集合体からなるアモルファス状炭素皮膜を形成することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】湿式精製処理を行う必要がないカーボンナノホーンを製造することができる、新しい原理に基づくカーボンナノホーンの製造技術を提供する。
【解決手段】カーボンナノホーンの製造方法が、グラファイトからなるターゲット原料をチャンバー内にセットするステップと、大気圧下で、かつ、常温の不活性ガスからなる雰囲気中で、電子加速器から放出される連続電子ビーム又はパルス状電子ビームをターゲット原料に照射することにより、ターゲット原料を溶融、ガス化させるステップを有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】容易に且つ膜の特性を損なうことなく特性が向上したダイヤモンド様薄膜を実現できるようにする。
【解決手段】ダイヤモンド様薄膜は、基材11の上に形成され、炭素と結合した水素を含むダイヤモンド様材料からなる第1の層13と、第1の層13の上に形成され且つ炭素と結合した水素の少なくとも一部が引き抜かれ、第1の層13と比べて水素の含有率が低いダイヤモンド様材料からなる第2の層14と、第1の層13と基材11との間に形成され、第1の層13と比べて水素の含有率が低いダイヤモンド様材料からなる第3の層15とを備えていている。 (もっと読む)


【課題】基材への接着を促進するような中間層を使用しないで硬質被覆層をかみそり刃先基材に被覆する方法を提供する。
【解決手段】金属でドープ塗装されたグラファイトを有するターゲットをスパッタリングすることにより、金属ドープされたダイヤモンド状炭素からなる被覆層16をかみそり刃の研がれた刃先ならびにその近接部の基材12に直接蒸着形成し、次いでポリ四フッ化エチレンからなる外側層18を前記金属でドープ塗装されたダイヤモンド状炭素の被覆層上へ被覆形成する。 (もっと読む)


【課題】耐久性および耐燃焼性に優れ、低コストで製造でき、かつ、カーボンナノチューブ分子の分散性に優れたカーボンナノチューブ複合体を提供する。
【解決手段】 カーボンナノチューブ分子集合体と、球状グラファイト分子集合体とを含み、
前記カーボンナノチューブ分子は、チューブ状のグラファイト層から形成され、
前記球状グラファイト分子は、球殻状のグラファイト層から形成され、
前記球状グラファイト分子集合体は、前記球殻状のグラファイト層内に炭化ホウ素を内包している炭化ホウ素内包球状グラファイト分子の集合体と、炭化ホウ素を内包していない炭化ホウ素非内包球状グラファイト分子の集合体とを含むことを特徴とするカーボンナノチューブ複合体。 (もっと読む)


【課題】導電性の低い金属化合物を主成分としながら、別途導電材の混合を要しない、高い導電性を有する粉末およびその製造方法を提供する。
【解決手段】低い導電性を有する、金属酸化物、金属カルコゲナイド化合物、金属燐酸化合物等の金属化合物粒子(5)の表面に、前記低導電性金属化合物粒子(5)よりも高い導電性を有する炭素材(7)を蒸着により付着させる。前記粒子表面に付着した炭素材の黒鉛化度は好ましくは0.3以上である。 (もっと読む)


【課題】4種類のカーボンナノホーン集合体を作り分けること。
【解決手段】ガス雰囲気中におけるレーザーアブレーションによってカーボンナノホーン集合体を生成する際に、ガスの種類として、ヘリウム、窒素、アルゴン、乾燥空気のいずれかを用い、圧力を1気圧で一定にしてガス流量を制御した。これにより、種型、つぼみ型、ダリア型、ペタル型のカーボンナノホーン集合体をそれぞれ個別に作り分けでき、さらに粒径も制御することができる。 (もっと読む)


【課題】従来よりも小型軽量化または省エネルギー化を図れる排気ガス制御装置を提供する。
【解決手段】
本発明の排気ガス制御装置(3)は、燃焼機関の排気ガスの経路に配設され排気ガスの流れを制御する制御弁(24)と、この制御弁と一体的に可動する可動軸(27)と、可動軸を摺動させつつ支承し可動軸の摺動面に摺接する摺受面を有する軸受(34、39)とを備える。前記摺動面または前記摺受面の少なくとも一方は、Si、Hおよび残部であるCからなる非晶質炭素膜(DLC−Si膜)を有し、このDLC−Si膜は付着する界面に臨む臨界部とこの臨界部に連なり表面側へ延びる表面部とからなる。その表面部はSi濃度が8〜30原子%である部分を有し、臨界部は表面部よりもSi濃度が低い。このようなDLC−Si膜が摺動部に存在することで、常温域および高温域における摩擦係数を長期にわたり低減できる。 (もっと読む)


【課題】 低圧力下で効率よく多面体グラファイトを合成できる方法の提供。
【解決手段】少量の硫黄を含有させた炭素ターゲットを作製し、不活性ガス雰囲気中で回転させながら、このターゲットに表面にレーザを照射して多面体グラファイトの製造を行なう。このとき、不活性ガス圧力が、0.1〜0.5MPaと、従来法に比べ低い圧力であっても効率よく多面体グラファイトを合成できることを明らかにした。 (もっと読む)


【課題】生産性や歩留まりが高いCNTワイヤの製造方法を提供すること。
【解決手段】表面にFe−Al層を有する基板上に、CNTを複数形成する工程と、複数のCNTの一部を引き出す工程とを有することを特徴とするCNTワイヤの製造方法であって、蛍光X線測定に基づき算出したFe−Al層の組成比Fe/Alと、蛍光X線測定に基づき算出したFe−Al層の膜厚とが、下記の条件1、条件2、及び条件3のうちのいずれかを充足することを特徴とする。条件1:組成比Fe/Alは0.52〜0.75の範囲にあり、且つFe−Al層の膜厚は4〜7.9nmの範囲にある。条件2:組成比Fe/Alは0.23〜0.52の範囲にあり、且つFe−Al層の膜厚は5.8〜7.9nmの範囲にある。条件3:組成比Fe/Alは0.52以下であり、且つFe−Al層の膜厚は5.8nm以下であり、且つFe膜厚が1.6nmより厚い範囲にある。 (もっと読む)


【課題】本発明は、同位体をドープしたナノ材料、その製造方法及び該同位体をドープしたナノ材料を利用する標識方法に関し、特に同位体をドープしたナノ構造体、その製造方法及び該同位体をドープしたナノ構造体を利用する標識方法に関する。
【解決手段】同位体をドープしたナノ構造体は、少なくとも一つの同位体をドープしたナノ構造体セグメントを含み、且つ該少なくとも一つの同位体をドープしたナノ構造体セグメントは少なくとも一種の元素の少なくとも両種の同位体からなり、該少なくとも両種の同位体は所定の質量比で均一に分散する。また、本発明は、前記同位体をドープしたナノ材料の製造方法及び該同位体をドープしたナノ材料を利用する標識方法を提供する。 (もっと読む)


複合材料は、熱可塑性マトリックス材料と、該熱可塑性マトリックス材料の少なくとも一部に分散されたカーボンナノチューブ(CNT)浸出繊維材料と、を含む。 (もっと読む)


1 - 20 / 75