【課題】
ＣＶＤ等の既存の乾式グラフェン合成法では、高温、真空、不活性気体雰囲気、還元剤（例えば水素）共存下、原料ガスの制御された供給が求められる。酸化グラフェンを還元してグラフェンを得る既存の湿式グラフェン合成法にしても、高温、不活性気体雰囲気、還元剤（例えば水素）共存下での工程を求められる。そのため、簡易で安価な設備と簡便な工程でのグラフェン薄膜の作製方法が切望されていた。
【課題を解決するための手段】
銅、コバルト、ニッケル、ルテニウムのうちのいずれかの金属材料の表面に導電性ポリマーの溶液又は分散液を塗布して塗膜を形成した後、マイクロ波処理することで前記金属材料の表面にグラフェン薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】簡易にしかも安価に作製することができるアモルファスカーボン薄膜作製方法を提供する。
【解決手段】超臨界流体セル６の流体層５内に二酸化炭素及び炭化水素を封入し超臨界状態を形成する工程と、流体層５内に紫外波長のレーザー光を照射する工程と、を含むアモルファスカーボン薄膜作製方法。 （もっと読む）

【課題】フッ素ガスを多量に吸蔵することができ、フッ素ガス放出率が極めて高いカーボンナノホーンの製造方法を提供する。
【解決手段】
反応容器内にカーボンナノホーンを設置する工程（Ａ）、及び、酸素を１．０〜１００質量％含む気体を流通させながら、反応容器内を室温から３２０℃以上に０．１〜５．０℃／分で昇温させる工程（Ｂ）を含むことを特徴とするカーボンナノホーンの製造方法。 （もっと読む）

【課題】スピントロニクスデバイス、単分子磁気デバイス等への応用が期待されるニッケル内包フラーレンは、鉄やニッケルなどに代表される遷移金属がフラーレンとの間で効率の良い電子移動が起こらず金属原子が生成途中でフラーレンから脱離するために、ニッケル内包フラーレンの合成は困難とされていた。
【解決手段】るつぼに入れたニッケル金属に対し電子ビームを照射し、蒸発したニッケル原子に電子を衝突させ、電子とニッケルイオンからなるプラズマを生成し、プラズマとフラーレンの反応により堆積基板上にニッケル内包フラーレンを含む堆積物を形成した。電子ビームのエミッション電流を制御することにより、ニッケル内包フラーレンの高効率合成が可能になった。 （もっと読む）

【課題】 アミン官能化メソ多孔性カーボンナノケージおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 本発明によるアミン官能化メソ多孔性カーボンナノケージは、ＫＩＴ−５であるメソ多孔性シリカをテンプレートとして得られるメソ多孔性カーボンナノケージと、メソ多孔性カーボンナノケージの表面およびメソ細孔の側壁にグラフトしたアミン類とからなり、アミン類は、ｎ−プロピル、シクロヘキシル、ｏ−フェニル、ｎ−ブチルおよびｐ−ペンチルからなる群から選択されるアルキル基を有するアミンである、アミン官能化メソ細孔カーボンナノケージ。 （もっと読む）

【課題】 グラフェンを用いる導電性薄膜の導電性を高める。
【解決手段】 本発明のある態様においては、１原子層以上の炭素原子のシートからなる第１のグラフェン膜１０Ａと、１原子層以上の炭素原子のシートからなる第２のグラフェン膜１０Ｂと、第１および第２のグラフェン膜の間に挟まれている挿入膜１２とを含む超格子構造１００を備える導電性薄膜１０００が提供される。また、同様の構成の透明導電膜も提供される。 （もっと読む）

【課題】 二酸化炭素分解に必要なエネルギーが従来より少なく、窒素酸化物やオゾンの生成を抑制した二酸化炭素分解方法およびその装置を提供すること。
【解決手段】
二酸化炭素分解装置１は、二酸化炭素と窒素と水とを収容する反応容器１０と、反応容器１０を加熱する加熱ヒータ２０と、反応容器１０内に赤外線を放射する赤外線ＬＥＤ４０と、を備え、所定の反応温度の二酸化炭素に赤外線を放射して、二酸化炭素の分子に非対称振動を与え、炭素と酸素とに分解する。 （もっと読む）

【解決手段】ナノスケール以上の管構造を製造することのできる、管製造システムが提供される。このシステムにより、使用される供給シート物質の構造および原子的構成が制御され、使用されているシート物質に推進力が提供されて、シート物質は種々のシステム構成材を通って連続的に前進する。管構造が形成された後、それらはマクロ物体製造用の原料物質として提供されてもよく、それにより、この製造システムおよび方法で形成される管構造の工学的特性によって、そのような物体の性能および能力レベルが向上する。本発明の方法およびシステムによってナノチューブが製造されるので、ナノチューブの製造方法もまた開示される。 （もっと読む）

【課題】電気化学系において有用であり、高い電気化学容量、良好なサイクル容量、低い自己放電率及び良好な環境耐性のうちの少なくとも１つを示す電極を製造する方法を提供する。
【解決手段】少なくとも部分的に炭素で被覆された多孔質ケイ素を基材とする電気化学系のためのアノードであって、多孔質ケイ素でできている絶縁性支持体上に被覆されたポリマー層を熱分解する工程を含む、多孔質材料から電気化学系のためのアノードを製造する方法である。 （もっと読む）

【課題】被処理体上において垂直に近い状態で配向し、かつ高密度なカーボンナノチューブを極力低い温度で形成する方法を提供する。
【解決手段】カーボンナノチューブの形成方法は、触媒金属層に温度Ｔ_１で酸素プラズマを作用させ、表面が酸化された触媒金属微粒子を形成する工程（ＳＴＥＰ１）と、触媒金属微粒子に温度Ｔ_１より高い温度Ｔ_２で水素プラズマを作用させ、触媒金属微粒子の表面を還元して活性化する工程（ＳＴＥＰ２）と、活性化された触媒金属微粒子の上に温度Ｔ_３で熱ＣＶＤ法によりカーボンナノチューブを成長させる工程（ＳＴＥＰ３）と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】作成効率が向上されて、品質も安定して高いグラフェンナノリボンの作成方法の提供。
【解決手段】カーボンナノチューブを分散媒中に分散させカーボンナノチューブ分散液を得る工程と、酸化剤を前記カーボンナノチューブ分散液に添加して反応液を得る工程と、マイクロ波で前記反応液を加熱し、前記カーボンナノチューブを縦方向に切開する工程とを含むことを特徴としたグラフェンナノリボンの作成方法。 （もっと読む）

【課題】所望形状のグラフェン素材を容易に作製する。
【解決手段】まず、基板本体１２を用意し、その基板本体１２の全面にＮｉの結晶層１４を成膜する。続いて、リソグラフィ法により結晶層１４をジグザグ状にパターニングし、触媒金属層１６とする。次に、触媒金属層１６に対してアセチレンとアルゴンとの混合ガスによりＣ原子を供給する。すると、Ｎｉ表面は（１１１）面に再配列されると共に、供給されたＣ原子は六角格子を形成してグラフェンが成長していく。グラフェンは触媒金属層１６上に形成されるため、触媒金属層１６と同じ形状つまりジグザグ状となる。次に、ジグザグ状のグラフェンの両末端に四角形の電極１８，２０を取り付ける。その後、触媒金属層１６を酸性溶液で溶かし、グラフェンをグラフェン素材１０として取り出す。 （もっと読む）

【目的】１、省エネで迅速に炭化物を得る基礎技術を提供すること。
２、炭素化合物とマイクロ波の熱反応を応用してなる熱反応体や炭素複合化合物の創造。
【構成】１、難燃剤を担持させた状態で炭化させ耐酸化性炭素を得て、その耐酸化性炭素を可燃性有機物質や難燃剤を担持した有機物質に、被覆してその炭素媒体にマイクロ波を照射吸収させ炭素の放射熱で連鎖的に焼成炭化させることを特徴とする炭化方法。
２、前記炭化法で得られた蓄熱した状態の炭素を表面被覆して連鎖的に、短時間で炭素化合物を得ることを特徴とする炭化方法。
３、炭素化合物とマイクロ波の調整からなる炭素熱反応を応用してなる炭素発熱体を暖房器具などや電子レンジクッキングなどに応用することを特徴とする炭素発熱体。
４、炭素と水ガラスなどの液状無機物を混合してマイクロ波を照射してなる複合発泡体。 （もっと読む）

【課題】湿式精製処理を行う必要がないカーボンナノホーンを製造することができる、新しい原理に基づくカーボンナノホーンの製造技術を提供する。
【解決手段】カーボンナノホーンの製造方法が、グラファイトからなるターゲット原料をチャンバー内にセットするステップと、大気圧下で、かつ、常温の不活性ガスからなる雰囲気中で、電子加速器から放出される連続電子ビーム又はパルス状電子ビームをターゲット原料に照射することにより、ターゲット原料を溶融、ガス化させるステップを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】耐久性および耐燃焼性に優れ、低コストで製造でき、かつ、カーボンナノチューブ分子の分散性に優れたカーボンナノチューブ複合体を提供する。
【解決手段】 カーボンナノチューブ分子集合体と、球状グラファイト分子集合体とを含み、
前記カーボンナノチューブ分子は、チューブ状のグラファイト層から形成され、
前記球状グラファイト分子は、球殻状のグラファイト層から形成され、
前記球状グラファイト分子集合体は、前記球殻状のグラファイト層内に炭化ホウ素を内包している炭化ホウ素内包球状グラファイト分子の集合体と、炭化ホウ素を内包していない炭化ホウ素非内包球状グラファイト分子の集合体とを含むことを特徴とするカーボンナノチューブ複合体。 （もっと読む）

【課題】高価な装置を用いることなく、高い生産性でカーボンナノチューブを製造することのできるカーボンナノチューブの製造方法、および当該製造方法により得られたカーボンナノチューブを提供すること。
【解決手段】不活性ガス雰囲気とした反応容器３０内に、ポリスチレン粒子等の固形状の炭素含有原料と、ナノサイズのニッケル粒子等の触媒粒子とを収容する。マイクロ加熱装置等からなる加熱装置１によって反応容器３０内を加熱すると、反応容器３０内で炭素含有原料が分解し、ナノサイズの触媒粒子表面でカーボンナノチューブが成長する。 （もっと読む）

【課題】強磁性体をＣＮＴに十分に内包させる。
【解決手段】炭素の供給源である液体又は気体のアルコール５中で基板７の表面に配置された陰極の電極１１により前記基板７との間に強磁性体の金属板１５を挟み、前記金属板１５が備える尖端部１９を前記陰極に対し間隔を置いて前記基板上に配置された陽極に指向させ、前記電極９，１１間で前記基板７を介して通電すると共に前記金属板１５の尖端部１９に可視光又は紫外光を照射し、棒状の磁性体金属２５を内包したＣＮＴ２７を析出させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンド半導体の不純物の新しい混入状態を実現する。
【解決手段】ダイヤモンド半導体は、ダイヤモンド１０とダイヤモンド１０内にドーピングされる不純物で構成される。不純物のドーピングにより、ダイヤモンド１０内に複数の高濃度ドープ領域２０が形成される。各高濃度ドープ領域２０は、ダイヤモンド１０内において空間的に局在化されており、そして、ダイヤモンド１０内において複数の高濃度ドープ領域２０が分散的に配置されている。不純物のドーピングによりキャリア生成のための活性化エネルギーを低下させつつ、各高濃度ドープ領域２０の局在化によりキャリア移動度の低下を抑えることが可能になる。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノ構造体の形状や電気的特性を制御する。
【解決手段】本発明に従ったカーボンナノ構造体の加工方法は、カーボンナノ構造体（たとえばカーボンナノチューブ１）を準備する工程（ＣＮＴ準備工程）と、当該カーボンナノチューブ１に対して、一軸方向に応力を加えた状態で、エネルギー線（たとえば電子線）を照射する工程（照射工程）とを備える。このようにすれば、カーボンナノチューブ１の長さや電気的特性を容易に変更することができる。 （もっと読む）

【課題】４種類のカーボンナノホーン集合体を作り分けること。
【解決手段】ガス雰囲気中におけるレーザーアブレーションによってカーボンナノホーン集合体を生成する際に、ガスの種類として、ヘリウム、窒素、アルゴン、乾燥空気のいずれかを用い、圧力を１気圧で一定にしてガス流量を制御した。これにより、種型、つぼみ型、ダリア型、ペタル型のカーボンナノホーン集合体をそれぞれ個別に作り分けでき、さらに粒径も制御することができる。 （もっと読む）