【課題】薄い膜厚で密着性の高い膜を形成する鉄基材の表面処理方法を提供する。
【解決手段】基材１０の表面処理方法であって、基材１０の表面にフラーレン２０を塗布し、フラーレン２０を塗布した基材１０の表面に窒素イオンを照射し、窒素イオンを照射した鉄基材１０の表面に再度フラーレン３０を塗布し、再度フラーレン３０を塗布した基材１０の表面を加熱する。また、基材１０の表面に窒素イオンを照射するときには、フラーレン２０が窒素イオンの照射によってアモルファス化される前に、フラーレン２０がアモルファス化しない所定のイオンエネルギー以下の窒素イオンを少なくとも１回照射する。 （もっと読む）

【課題】基材表面に、非晶質炭素被膜を被覆し、これを高面圧下でかつ摺動頻度の高い摺動部材として使用したとしても、その表面の非晶質炭素被膜の摩耗を抑制することができる摺動部材の製造方法を提供することにある。
【解決手段】基材１０の表面に、ナノダイヤモンド粒子２１が分散されたニッケルめっき被膜２０を被覆する工程と、ニッケルめっき被膜２０の表面に露出したナノダイヤモンド粒子２１を核として、ナノダイヤモンド粒子２１から膜厚方向に非晶質炭素を成長させながら、ニッケルめっき被膜２０の表面に非晶質炭素被膜３０を被覆する工程と、を少なくとも含む。 （もっと読む）

【課題】単結晶ダイヤモンドと多結晶ダイヤモンドの双方の利点を活かしながら、更に板状の構造を可能にするために、多結晶ダイヤモンドの研磨の困難性も回避し、研磨が容易なダイヤモンド複合体を提供すること。
【解決手段】少なくとも２種類の結晶性の異なる結晶からなる構造の複合体であり、その内の第一の結晶は高圧合成法により合成した単結晶ダイヤモンドか、あるいは気相合成法により合成した単結晶ダイヤモンドであり、第二の結晶は欠陥を面内に周期的なパターン形状で含む気相合成法により合成したダイヤモンドであり、該第一の結晶及び第二の結晶はいずれも、主面が平行になるように層状に形成されていることを特徴とするダイヤモンド複合体。 （もっと読む）

【課題】 実施形態は、製造工程が簡便な手法によって製造した半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 実施形態の半導体装置は、実施形態にかかる半導体装置は、基板と、基板上に触媒金属膜と、触媒金属膜上にグラフェンと、前記グラフェン上に層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜を貫通するコンタクトホールと前記コンタクトホールにカーボンナノチューブを水素、窒素、アンモニアと希ガスの中から選ばれる１種以上のガスのプラズマで処理した前記触媒金属膜上に又は前記層間絶縁膜を貫通するカーボンナノチューブを水素、窒素、アンモニアと希ガスの中から選ばれる１種以上のガスのプラズマで処理した前記触媒金属膜上に備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】容易な処理で金属を担持するナノグラファイトを製造する。
【解決手段】基板１上に形成されたカーボンナノウォール２ａを利用してカーボンナノウォール２ａより微小な１又は複数のナノグラファイト２ｂで構成されるカーボンナノウォール片２ｃを生成するステップと、生成されたカーボンナノウォール片２ｃが分散する液体に、担持させる金属を混合するステップと、カーボンナノウォール片２ｃ及び金属を含む液体に還元剤を注入し、カーボンナノウォール片２ｃに金属を担持させるステップとを備える。 （もっと読む）

【課題】電解質に対する耐久性に優れるカーボンナノファイバ複合電極を提供すること。
【解決手段】不動態を形成する金属基板１と、金属基板１上に設けられ、不定形炭素で構成される不定形炭素層２と、不定形炭素層２に結合される多数のカーボンナノファイバ３とを備えることを特徴とするカーボンナノファイバ複合電極２０。 （もっと読む）

【課題】本技術の目的は、ドーピングされたグラフェンの経時劣化を抑制することが可能なグラフェン構造体、その製造方法、光電変換素子、太陽電池及び撮像装置を提供すること
【解決手段】本技術のグラフェン構造体は、導電層と保護層とを具備する。導電層は、ドーパントによりドーピングされたグラフェンからなる。保護層は、前記導電層に積層された、水より酸化還元電位が高い物質からなる。 （もっと読む）

【課題】低コストでグラフェンを高速で製造できる量産性のよいグラフェンの製造方法を提供する。
【解決手段】反応容器１内に有機溶媒Ｓを収容する工程と、有機溶媒中に浸漬した一対の電極２間にパルス電圧を印加して有機溶媒Ｓを気化させ、このとき生じた気泡中でグロー放電を起こしてプラズマＰを発生させる工程と、プラズマ中の活性種により有機溶媒を分解してグラフェンＧを析出させる工程と、有機溶媒からグラフェンを回収し、この回収したグラフェンを乾燥する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】高密度かつ高い垂直配向性でカーボンナノチューブを形成するために、触媒金属微粒子を効率よく活性化する方法を提供する。
【解決手段】カーボンナノチューブの形成のための前処理方法は、触媒金属層にプラズマを作用させて触媒金属を微粒子化して触媒金属微粒子を形成する第１のプラズマ処理工程と、触媒金属微粒子に、水素含有ガスと窒素ガスとの混合ガスのプラズマを作用させて触媒金属微粒子を活性化させる第２のプラズマ処理工程と、を備えている。前記触媒金属層の下に、ＴｉＮ、ＴａＮなどの窒化物からなる助触媒層を備えていることが好ましく、水素含有ガスと窒素ガスとの混合ガスのプラズマにより助触媒層が窒化され、触媒金属微粒子の活性化比率が向上する。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンドが本来有する物性の高いダイヤモンド膜、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】熱抵抗が１．０×１０^−８（ｍ^２・Ｋ/Ｗ）以下のダイヤモンド膜であって、その製造方法は、（１）一次粒子径が１〜２０ｎｍのナノダイヤモンド粒子を準備する工程、（２）前記ナノダイヤモンド粒子を基材に付着させる工程、（３）前記ナノダイヤモンド粒子付着基材を熱処理又はプラズマ処理する工程、及び（４）前記処理したナノダイヤモンド粒子付着基材のナノダイヤモンド粒子をＣＶＤ法により成長させ、ダイヤモンド膜を形成する工程、とを含む。 （もっと読む）

【課題】量産に適したグラフェンの製造方法及びグラフェン製造装置を提供すること
【解決手段】、本技術のグラフェンの製造方法は、導電性を有するフレキシブルな成膜対象物の表面に炭素源物質を接触させる。グラフェンは、成膜対象物に電流を印加して成膜対象物をグラフェンの生成温度以上に加熱することによって成膜対象物の表面において前記炭素源物質から生成される。 （もっと読む）

【課題】所望のパターンに沿ってカーボンナノウォールを配向させることが可能なカーボンナノウォール配列体を提供する。
【解決手段】カーボンナノウォール配列体１０は、基板１と、カーボンナノウォール２〜９とを備える。基板１は、シリコンからなる。そして、基板１は、凸部１１と凹部１２とを含む。凸部１１および凹部１２は、方向ＤＲ１に沿って基板１の一方の表面に形成される。凸部１１および凹部１２は、方向ＤＲ１に垂直な方向ＤＲ２において、交互に形成される。凸部１１は、方向ＤＲ２において、０．１〜０．５μｍの長さを有し、凹部１２は、方向ＤＲ２において、０．６〜１．５μｍの長さを有する。また、凸部１１の高さは、０．３〜０．６μｍである。カーボンナノウォール２〜９の各々は、基板１の凸部１１の長さ方向（＝方向ＤＲ１）に沿って凸部１１上に形成される。 （もっと読む）

【課題】新規な炭化ケイ素−炭素複合材の製造方法を提供する。
【解決手段】窒化ケイ素が表面に付着した炭素質材料２を含む成形体を焼成することにより炭化ケイ素−炭素複合材１を製造する。 （もっと読む）

【課題】成長用基材を再利用するために成長用基材を溶かさずに炭素膜を転写用基材に再現性良く剥離する手法を提供するとともに、連続成膜方法の適用が可能な、炭素膜の剥離方法を提供する。
【解決手段】ＣＶＤ法で形成した透明導電性炭素膜と成長用基材の間の剥離強度（Ｆ）を１Ｎ／ｃｍ以下に制御することにより、形成した透明導電性炭素膜を成長用基材から剥がれやすくして、転写用基材に転写しやすくする。これにより、成長用基材を溶かさずに、且つダメージを与えずに剥離できるので、形成した透明導電性炭素膜は、成長用基材からは転写用基材へ連続転写・連続加工することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンドライクカーボン膜を備えた摺動部材において、せん断に対するダイヤモンドライクカーボン膜の密着性（耐引っ掻き性）を向上することで摺動部材の耐摩耗性の向上および長寿命化が可能な摺動部材を提供する。
【解決手段】基材の上に、第一層を含むＤＬＣ膜を配置した摺動部材であって、前記基材が、Ｖ，Ｃｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｗから選ばれる少なくとも１種を含む合金鋼であり、前記第一層がＶ，Ｃｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｗから選ばれる少なくとも１種を含み、前記基材から第一層に向けて同一の結晶構造が連続することを特徴とする摺動部材。 （もっと読む）

【課題】量産性に優れる転写シートの提供およびその製造方法の提供にある。
【解決手段】グラフェンからなる透明導電膜層の作成において、平滑性があり触媒となる金属薄膜層を使用することにより、品質の良いグラフェンを作製するとともに、後の金属薄膜除去の工程が簡易となり、量産性のある転写シートおよびその製造方法を提供できる。 （もっと読む）

【課題】比較的低温で安定的に、垂直性が高く、かつ結晶性の高いカーボンナノチューブを成長させることのできるカーボンナノチューブの製造方法を提供する。
【解決手段】基板Ｗ上にニッケル、コバルト、鉄のいずれか一種もしくは複数の触媒金属ＭとカーボンＣを提供する第１のステップ、プラズマＣＶＤ法を適用して、プラズマ分解されたカーボンを基板Ｗに提供し、該プラズマ分解されたカーボンを触媒金属Ｍを起点として基板Ｗ上で成長させてカーボンナノチューブＣＮＴを製造する第２のステップからなるカーボンナノチューブの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】エッチング時間が短く、エッチング時の損傷を抑制したグラフェン膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】銅と亜鉛の合金により構成される金属膜を、炭化水素ガスと水素ガスを含む混合雰囲気下で加熱するグラフェン膜成長工程と、前記グラフェン膜上に前記グラフェン膜を支持する支持膜を形成する支持膜形成工程と、前期金属膜をエッチング液により溶解して除去するエッチング工程を行なうことで、エッチング時間が短く、エッチング時の損傷を抑制したグラフェン膜が形成される。 （もっと読む）

【解決課題】安価な原料から、簡易な工程で、種々の炭素−金属コンポジットを製造することができる製造方法を提供する。
【解決手段】液体有機化合物中で、特定の金属からなる金属電極または炭素電極からなる陰極と、特定の金属からなる金属電極からなる陽極との間でパルスプラズマ放電することにより、結晶質および／または非晶質の炭素材と、該金属電極を構成する金属のナノ粒子とからなる、一次粒径が３ｎｍ〜５００ｎｍの炭素−金属コンポジットを製造する。 （もっと読む）

【課題】ハードマスクとして好適に用いられるアモルファスカーボン膜の製造法を提供する。また、半導体装置における保護膜や封止膜に適したアモルファスカーボン膜の製造法を提供する。
【解決手段】プラズマ雰囲気形成領域を内部に有するチャンバーを備えるCVD装置を用意し、チャンバー内圧を6.66Pa以下、バイアス印加手段を介して成膜用の基体を設置するステージに印加するバイアスを100〜1500W、基体の成膜時の基体温度を200℃以下、成膜用の原料ガスの流量を100〜300cc/min.（0℃、大気圧）、プラズマ雰囲気を形成するための希ガスの流量を50〜400cc/min.（0℃、大気圧）とし、基体をプラズマ雰囲気に対面させ、基体上にアモルファスカーボン膜を形成する。 （もっと読む）