【課題】新たなＣＮＴの生産用の基材を提供する。
【解決手段】本発明に係るＣＮＴ配向集合体生産用基材の製造方法は、クロムの不動態被膜を有する基板を、酸素原子を有するガスを含む雰囲気中で加熱して酸化する酸化工程と、基板上に触媒担持層を形成する触媒担持層形成工程と、触媒担持層上に触媒層を形成する触媒層形成工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】炭素繊維強化プラスチック（ＣＦＲＰ）を原料として、取扱い性に優れた再生炭素繊維を効率的且つ安価に製造する製造装置及び製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】再生炭素繊維の製造装置は、箱状の本体部１０５、ＣＦＲＰ４０を収納する炭化乾留室１０２、バーナー１０４を備えた燃焼室１０３、及び本体部１０５と炭化乾留室１０２との間の空間に形成されている加熱室１１５を備えている炭化乾留炉１０１と、乾留後ＣＦＲＰ２５を連続的に加熱して固定炭素の一部を除去する連続式炉２６とを備えている。本発明の再生炭素繊維の製造装置は、炭化乾留炉１０１が蒸気発生器１０５を備えており、１００℃以上７００℃以下の水蒸気を炭化乾留室１０２に供給することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】従来の窒素含有炭素材料と比較して、電極反応において高い酸素還元活性を有する窒素含有炭素材料の製造方法を提供する。
【解決手段】アズルミン酸と遷移金属とを含む窒素含有炭素材料のプレカーサーを炭化する工程を有し、前記工程が、前記プレカーサーに第１の熱処理を施す第１の工程と、前記第１の熱処理を施された前記プレカーサーから前記遷移金属の少なくとも一部を除去する第２の工程と、前記遷移金属の少なくとも一部が除去された前記プレカーサーに第２の熱処理を施す第３の工程と、を有する窒素含有炭素材料の製造方法。 （もっと読む）

【課題】木質系材料薄板の厚さが約１ｍｍ以下になると、それを酸素遮断雰囲気或いは低酸素雰囲気で加熱炭化すると、炭化された薄板にクラックや割れ、凹凸、反り等が発生し、厚さが小さくなるほど顕著になる。これらの現象の発生を防止し、０．１〜０．２ｍｍ程度のいわゆる薄経木でも平坦に炭化できる炭化方法を提供すること。
【解決手段】間隔Ａを有して配置された２枚の耐熱性平板の間に、厚さＢを有する木質系材料薄板を配置し、Ａ−Ｂが約０．２ｍｍ以下になるように保たれた状態で、酸素遮断雰囲気或いは低酸素雰囲気で加熱炭化する。 （もっと読む）

【課題】有機物の分解ガス等が大気中に放出されることを防ぐことができると共に、高い収率で炭化物を得ることができ、しかも生産効率に優れた炭化物の製造方法を提供する。
【解決手段】有機物を水蒸気で加熱することによって、有機物を炭化し、さらに有機物が炭化された炭化物を賦活する。水蒸気による加熱で、有機物を炭化して得られる炭化物を水蒸気を賦活ガスとして賦活することができ、一つの連続した工程で炭化処理と賦活処理を引き続いて、あるいは同時に行なうことができる。 （もっと読む）

【課題】低い基板温度でナノ構造体またはナノ材料を製作する方法を提供する。
【解決手段】熱コントロールバリアを基板上に実質的に連続した層として提供するステップと、ガスプラズマを提供するステップと、当該ガスプラズマとは異なる熱源によって熱コントロールバリアを層の上方から追加加熱を先行して提供するステップと、追加加熱する間にガスプラズマを使用するプラズマ化学気相堆積法によって、ナノ構造体またはナノ材料を基板の層上に形成するステップと、を含んでいる製作方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、グラフェン−カーボンナノチューブ複合構造体の製造方法に関するものである。
【解決手段】本発明のグラフェン−カーボンナノチューブ複合構造体の製造方法は、第一表面及び該第一表面に対向する第二表面を有する金属基材を提供する第一ステップと、化学気相成長法で前記金属基材の第一表面にグラフェン構造体を成長させる第二ステップと、高分子材料層を前記グラフェン構造体の、前記金属基材に隣接する表面とは反対の表面に被覆する第三ステップと、前記金属基材をエッチングして、複数の帯状電極に形成し、基材−グラフェン−高分子材料複合構造体になる第四ステップと、カーボンナノチューブ構造体を前記高分子材料層の、前記グラフェン構造体に隣接する表面とは反対の表面に被覆する第五ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】 硫化水素ガスを用いることなく、金属材の表面にナノカーボン類を含む炭素膜を形成する。
【解決手段】 鉄を主成分とする金属材の表面に、希硫酸を塗布する第１工程と、第１工程の後に、金属材の表層に窒化層が形成される窒化条件の下でＣＯ、ＣＯ_２および有機ガスからなる群から選ばれる少なくとも一種とともに金属材を熱処理することによって、金属材の窒化層の表面に、カーボンナノコイル、カーボンナノチューブおよびカーボンナノフィラメントからなる群から選ばれる少なくとも１種のナノカーボン類を含む炭素膜を形成する第２工程と、を有する、金属材の表面処理方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】無酸素雰囲気で撹拌を加えながら炭化される炭化装置によって炭化されたもみ殻炭、あるいは桐炭、あるいは杉炭を使用した浄水効果の高い浄水材及びその使用方法、ならびにその製造方法。
【解決手段】無酸素囲気中にて、撹拌しながら炭化される炭化装置にて炭化された桐炭を主成分とすることを特徴とする浄水材１をカートリッジ２１Ｃに充填し、ドリップコーヒーのフイルタ８１の前段に装着することを特徴とする浄水材の使用方法とする。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノ構造物の連続合成過程で原料ガスの拡散を防止して原料ガスの初期濃度を高濃度に維持でき、高品質のカーボンナノ構造物の量産を行うことのできる原料ガス拡散抑制型カーボンナノ構造物製造装置を提供することである。
【解決手段】触媒層３１を表面に形成した搬送ベルト１９により反応炉１内に搬入して昇温領域３及び反応領域２を順に搬送し、昇温領域３を通過した触媒層を反応領域２に移送して原料ガスにより触媒層上にＣＮＴを成長させる。拡散抑制体６、７により、搬送ベルト１９が通過可能な間隙８を残して炉内断面を縮減して昇温領域３及び反応領域２の境界領域を仕切り、反応領域２に供給された原料ガスの、昇温領域３側への拡散を抑制する。 （もっと読む）

【課題】分子が分極を有しない原料ガスであっても、十分に加熱してから基板に供給することで、安定して基板上に蒸着膜を形成することができる熱ＣＶＤ装置および蒸着膜の形成方法を提供する。
【解決手段】ガス加熱装置９で加熱された原料ガスＧを加熱室１３内に導入し、熱化学気相成長法により加熱室１３内の基板Ｋに蒸着させる熱ＣＶＤ装置であって、上記ガス加熱装置９が、上記加熱室１３内に導入する原料ガスＧに交番磁界を与え得る交番磁界発生用コイル３３と、上記交番磁界が与えられた原料ガスＧに電磁波を照射する電磁波発生用コイル３１とを備えるとともに、電磁波発生用コイル３１の軸心に、原料ガスＧを加熱室１３内に導入するガス導入管５を設け、このガス導入管５を通過する原料ガスＧに上記電磁波の電磁エネルギーを吸収させることで当該原料ガスＧを加熱する。 （もっと読む）

【課題】非晶質炭素被膜が形成された摺動部材において、これまでに比べてより低い摩擦係数を確保することができる摺動部材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基材の摺動面に、珪素及び窒素を含有した非晶質炭素被膜が形成された摺動部材である。摺動部材の非晶質炭素被膜は、珪素原子の含有量／炭素原子の含有量の原子比が、０．１以上であり、窒素原子の含有量／炭素原子の含有量の原子比（Ｎ／Ｃ比)が、０．１〜０．２５の範囲にある。 （もっと読む）

【課題】触媒を担持した基材の面積が大きくてもＣＮＴ配向集合体を均一に製造することを可能にする、触媒賦活物質を含むガスの噴出装置を提供する。
【解決手段】カーボンナノチューブの成長の触媒を賦活する触媒賦活物質を含むガスの噴出装置１００であって、複数のシャワー２０１、２０２を備え、複数のシャワー２０１、２０２では、噴出する触媒賦活物質の量が互いに異なり、外側のシャワー２０２により噴出される触媒賦活物質の量が、内側のシャワー２０１により噴出される触媒賦活物質の量より多くなるように、複数のシャワー２０１、２０２が配置されている。 （もっと読む）

【課題】 樹脂や溶媒など各種媒体への分散性が良好であり、かつ導電性、熱伝導性、電磁波吸収性などカーボンナノチューブが有する諸機能に優れる分散体を与える多層カーボンナノチューブ集合体を提供する。
【解決手段】 以下の条件（１）〜（５）を満足することを特徴とする多層カーボンナノチューブ集合体。
（１）多層カーボンナノチューブの平均アスペクト比が１００〜１００００であり、平均外径が１０〜１５０ｎｍであること。
（２）多層カーボンナノチューブの屈曲度が１０°以上であること
（３）走査型電子顕微鏡により倍率１００００倍以上で５視野観察した場合、触媒活性金属微粒子が凝集した、カーボンナノチューブの外径より大きな径の二次粒子が観察されないこと。
（４）走査型電子顕微鏡により倍率１０００倍で５視野観察した場合、触媒担体に由来する無機酸化物微粒子が凝集した、径が１０μｍ以上の二次粒子が観察されないこと。
（５）嵩密度が０．００５〜０．２５ｇ／ｃｍ^３であること （もっと読む）

【課題】炭素材料の製造方法において、得られる炭素材料の構造の製造過程における歪みや崩壊を最小限に抑制し、安定した品質の炭素材料の供給を可能としうる手段を提供する。
【解決手段】本発明の炭素材料の製造方法は、Ｍ（ＯＨ）Ｒ（式中、Ｍは中心金属であり、Ｒは有機配位子である）で表される金属錯体の三次元的多孔性骨格構造を含む多孔性金属錯体を鋳型として準備する工程（第１工程）と、前記多孔性金属錯体を有機化合物と接触させて、前記多孔性金属錯体の表面に前記有機化合物の塗膜を形成する工程（第２工程）と、表面に前記有機化合物の塗膜が形成された前記金属錯体を加熱して、前記有機化合物を重合および炭化させる工程（第３工程）とを含む。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンド半導体の不純物の新しい混入状態を実現する。
【解決手段】ダイヤモンド半導体は、ダイヤモンド１０とダイヤモンド１０内にドーピングされる不純物で構成される。不純物のドーピングにより、ダイヤモンド１０内に複数の高濃度ドープ領域２０が形成される。各高濃度ドープ領域２０は、ダイヤモンド１０内において空間的に局在化されており、そして、ダイヤモンド１０内において複数の高濃度ドープ領域２０が分散的に配置されている。不純物のドーピングによりキャリア生成のための活性化エネルギーを低下させつつ、各高濃度ドープ領域２０の局在化によりキャリア移動度の低下を抑えることが可能になる。 （もっと読む）

【課題】従来よりも小型軽量化または省エネルギー化を図れる排気ガス制御装置を提供する。
【解決手段】
本発明の排気ガス制御装置（３）は、燃焼機関の排気ガスの経路に配設され排気ガスの流れを制御する制御弁（２４）と、この制御弁と一体的に可動する可動軸（２７）と、可動軸を摺動させつつ支承し可動軸の摺動面に摺接する摺受面を有する軸受（３４、３９）とを備える。前記摺動面または前記摺受面の少なくとも一方は、Ｓｉ、Ｈおよび残部であるＣからなる非晶質炭素膜（ＤＬＣ−Ｓｉ膜）を有し、このＤＬＣ−Ｓｉ膜は付着する界面に臨む臨界部とこの臨界部に連なり表面側へ延びる表面部とからなる。その表面部はＳｉ濃度が８〜３０原子％である部分を有し、臨界部は表面部よりもＳｉ濃度が低い。このようなＤＬＣ−Ｓｉ膜が摺動部に存在することで、常温域および高温域における摩擦係数を長期にわたり低減できる。 （もっと読む）

【課題】基板選択の自由度が高く、大面積のグラフェン膜を基板上に形成することが可能なグラフェン膜の製造方法を提供する。
【解決手段】種グラフェン結晶を設置した基板に炭素含有ガスを供給し、ＣＶＤ法により前記基板上にグラフェン膜を形成する。炭素含有ガスは、炭化水素系化合物及び／又は炭化フッ素系化合物であることが好ましい。基板は、Ｓｉ基板、ＳｉＯ_２／Ｓｉ基板及び石英ガラス基板から選ばれる一種以上であることが好ましい。種グラフェン結晶は、グラフェン単層体及び／又はグラフェン積層体であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】本発明は、同位体をドープしたナノ材料、その製造方法及び該同位体をドープしたナノ材料を利用する標識方法に関し、特に同位体をドープしたナノ構造体、その製造方法及び該同位体をドープしたナノ構造体を利用する標識方法に関する。
【解決手段】同位体をドープしたナノ構造体は、少なくとも一つの同位体をドープしたナノ構造体セグメントを含み、且つ該少なくとも一つの同位体をドープしたナノ構造体セグメントは少なくとも一種の元素の少なくとも両種の同位体からなり、該少なくとも両種の同位体は所定の質量比で均一に分散する。また、本発明は、前記同位体をドープしたナノ材料の製造方法及び該同位体をドープしたナノ材料を利用する標識方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】基材上に複数のカーボンナノチューブ柱状構造体を備えたカーボンナノチューブ複合構造体であって、１８０°に折り曲げが可能である優れた柔軟性を有するとともに、優れた熱伝導率および優れた導電率を発現できる、カーボンナノチューブ複合構造体を提供する。また、そのようなカーボンナノチューブ複合構造体を含む粘着部材を提供する。
【解決手段】本発明のカーボンナノチューブ複合構造体は、基材上に複数のカーボンナノチューブ柱状構造体を備えたカーボンナノチューブ複合構造体であって、該基材のヤング率が９０〜１３０ＧＰａである。 （もっと読む）