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Fターム[4G146BC42]の内容

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Fターム[4G146BC42]に分類される特許

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【課題】大面積のグラフェンを高品質かつ低コストで生産可能なグラフェン製造用銅箔及びそれを用いたグラフェンの製造方法を提供する。
【解決手段】表面粗さRzが0.5μm以下であり、表面において(111)面の割合が60%以上であり、Cuめっき層及び/又はCuスパッタ層からなるグラフェン製造用銅箔10であり、又、所定の室内に加熱した前記グラフェン製造用銅箔10を配置すると共に、水素ガスと炭素含有ガスを供給し、グラフェン製造用銅箔10の銅めっき層の表面にグラフェンを形成するグラフェン形成工程と、グラフェンの表面に転写シートを積層し、グラフェンを転写シート上に転写しながら、グラフェン製造用銅箔10をエッチング除去するグラフェン転写工程とを有する、グラフェン20の製造方法である。 (もっと読む)


【課題】スティッキングが生じにくい半導体素子及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】一方の面1aに触媒層3が形成された基板1において、前記一方とは反対側から前記触媒層3の裏面3aに至る開口部1cを形成する工程と、前記開口部1cにおいて、前記触媒層3の裏面3aにグラフェン5を形成する工程と、前記触媒層3の少なくとも一部を除去する工程と、を有することを特徴とする半導体素子の製造方法。開口部1cの形成後、グラフェン5の形成前に、熱処理を行うことができる。グラフェン5を形成する前に、触媒層3の表面に保護層を形成することができる。 (もっと読む)


【課題】長尺なカーボンナノチューブを得ることのできるカーボンナノチューブの製造方法及びカーボンナノチューブの製造装置、ならびに長尺なカーボンナノチューブ及びそれを用いたカーボンナノチューブワイヤを提供する。
【解決手段】カーボンナノチューブの製造方法は、原料ガスとの接触によりカーボンナノチューブ5の分子構造を生成する触媒40が設置された支持部材4を反応管2内に配置する配置ステップと、反応管2内に原料ガスを流通させ、カーボンナノチューブ5の基端部50が支持部材4に固定されると共に先端部51に成長用触媒40が保持された状態でカーボンナノチューブ5を成長させる成長ステップとを有し、成長ステップにおけるカーボンナノチューブ5の成長に応じて、カーボンナノチューブ5の先端部が反応管2内に留まるように、支持部材4を反応管2に対して移動させる。 (もっと読む)


【課題】 少量の添加で充分な導電性が付与可能で且つ樹脂や液等の中への浸透性または分散性に優れた炭素繊維を効率的に製造する方法を提供する。
【解決手段】 粉粒状担体と金属触媒とからなる担持触媒に炭素元素含有物質を接触させることによって繊維状炭素を合成し、 平均繊維径が5〜50nmで且つ屈曲した構造を有する繊維状炭素にホウ素またはホウ素化合物を混ぜ合わせ、次いで1800℃以上の温度で熱処理することを含む、炭素繊維の製造方法。 (もっと読む)


【課題】簡便な方法で、高純度、高収率で、合成可能なカーボンナノ構造体の製造方法を提供すること、また、その製造方法で得られたカーボンナノ構造体を提供すること。
【解決手段】炭素源としての有機物の気体と、イオウ含有化合物との混合気体を、金属含有触媒を使用せずに800℃以上で加熱することを特徴とする繊維状カーボンナノ構造体の製造方法;常温常圧で液体の炭素源としての有機物、及び/又は、常温常圧で液体のイオウ含有化合物を、同時に気体状態において800℃以上で加熱することを特徴とする繊維状カーボンナノ構造体の製造方法、また、上記製造方法で得られたカーボンナノ構造体;両端が共に開いた構造を有することを特徴とする繊維状カーボンナノ構造体。 (もっと読む)


【課題】結晶性の高い良質なグラフェンを、極力低い温度で効率よく成長させる方法を提供する。
【解決手段】グラフェンの成長に先立ち、前処理を行う。前処理は、排気装置99を作動させて処理容器1内を減圧排気しながら、シャワーリング57から処理容器1内に希ガスを導入するとともに、シャワープレート59から処理容器1内に還元性ガス及び窒素含有ガスをそれぞれ導入する。この状態で、マイクロ波発生部35で発生したマイクロ波を、導波管47及び同軸導波管49を介して所定のモードで平面アンテナ33に導き、平面アンテナ33のマイクロ波放射孔33a、透過板39を介して処理容器1内に導入する。このマイクロ波により、還元性ガス及び窒素含有ガスをプラズマ化し、ウエハW表面の触媒金属層に活性化処理を施す。 (もっと読む)


【課題】長尺のカーボンナノチューブの分散性に優れたカーボンナノチューブの分散液を提供する。
【解決手段】カーボンナノチューブの分散液は、分散媒と、平均長さが8μm以上10mm以下であるカーボンナノチューブと、分子内に親水構造部と疎水構造部とを有する二種以上の界面活性剤と、を備える。 (もっと読む)


【課題】ナノカーボンを含む超微粉炭素を、さらに効率的に連続して大量生産できることが期待できる新規な構成の触媒反応装置を提供すること。
【解決手段】反応管内で原料としての含炭化水素化合物を粉体触媒と攪拌混合し、含炭化水素化合物を触媒反応により熱分解させて、超微粉炭素を生成させる触媒反応装置。反応管(3)は、外部加熱手段(2)を備えるとともに搬送攪拌手段(7)を内蔵する。さらに、反応管(3)内に1箇所又は複数個所で原料を気密的に供給する原料供給手段(11)と、反応管(3)の搬送方向元部側に接続されて触媒を気密的に供給する触媒供給手段(17)、(19)と、反応管(3)の搬送方向先端側に接続されて粉体製品を触媒とともに気密的に排出する粉体排出手段(25)と、同上部側に接続されて気体成分を減圧吸引機(35)で吸引排出する気体排出手段(30)、(34)と、を付設する。 (もっと読む)


【課題】金属触媒結晶薄膜から絶縁性基板表面上に、グラフェンが横方向に成長する方法を提供する。
【解決手段】本発明のグラフェンの成長方法は、絶縁性結晶基板101の上部の表面の一部が露出するように、金属触媒結晶薄膜102を形成し、絶縁性結晶基板101の上部に、絶縁性基板101の表面の一部が露出するように、金属触媒結晶薄膜102を形成した状態で、炭化水素を含む気体3を用いて、グラフェンを気相化学成長させる。 (もっと読む)


【課題】フッ素樹脂以外のマトリックスで、高導電性、及び優れた力学特性を発現するカーボンナノチューブ複合材料を実現すること。また、フッ素樹脂以外のマトリックスで、高導電性、及び優れた力学特性を発現するカーボンナノチューブ複合材料を備える導電材料を実現すること。
【解決手段】本発明のカーボンナノチューブ複合材料は、カーボンナノチューブ、フッ素を含有する化合物と、フッ素を含有する化合物以外の樹脂又はエラストマーからなるマトリックス中に分散してなるカーボンナノチューブ複合材料であって、前記フッ素を含有する化合物がマトリックス中に島状に分散してなる。また、本発明のカーボンナノチューブ複合材料において、フッ素樹脂以外のマトリックスの溶解度パラメーターが18以下19以上である。 (もっと読む)


【課題】転写を必ずしも必要としない、グラファイト薄膜の形成方法を提供すること。
【解決手段】物理気相堆積法により、(a)炭素と(b)金属又はゲルマニウムとを含む薄膜Aを基板上に形成し、熱処理により前記炭素を前記基板上に析出させ、前記(b)成分を除去し、前記基板上にグラファイト薄膜を形成することを特徴とするグラファイト薄膜の形成方法。前記薄膜Aを形成する方法としては、例えば、炭素を含むガス中で、前記(b)成分をスパッタする方法が挙げられる。 (もっと読む)


【課題】 高い導電性を有し、分散剤を使用しなくても、分散媒への分散性および分散安定性が良いカーボンナノファイバー、ならびにこのカーボンナノファイバーを用いる分散液を提供することを目的とする。
【解決手段】 波長が514.5nmであるアルゴンイオンレーザーを使用するラマン分光測定におけるDバンドの半値幅が、70〜90cm−1であることを特徴とする、カーボンナノファイバーである。また、このカーボンナノファイバーと、分散媒とを含む、カーボンナノファイバー分散液である。 (もっと読む)


【課題】触媒の残留による影響が少ないカーボンナノファイバーとその製造方法を提供する。
【解決手段】ファイバー内部に金属コバルトが包み込まれた状態で含有(内包)されていることを特徴とするカーボンナノファイバーであり、例えば、Co酸化物とMg酸化物の混合粉末を触媒とし、炭素酸化物を含む原料ガスの気相反応によってカーボンナノファイバーを製造する方法において、Co34とMgOの混合粉末を金属コバルトが生じない水素濃度の還元ガスによって水素還元してなるCoOとMgOの混合粉末を触媒として用いることによって、ファイバー内部に金属コバルトが内包されているカーボンナノファイバーを製造する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、表面に反応防止膜が形成された反応防止膜付基板に対し、好適な濡れ性を有し、触媒金属塩の溶媒として使用でき、均一な触媒層を形成し、最終的に製造される配向CNTのサイズを制御することを目的としている。
【解決手段】本発明は、溶媒に触媒金属塩を分散及び/又は溶解した触媒金属塩液を基板の表面に塗布加熱し、熱CVD処理により配向CNTを合成する製造方法において、前記溶媒は、PGEと前記PGEとの相溶性があって非親水性を有する非親水液とが混合した特性溶媒であり、前記非親水液が前記PGEより加水分解反応が少なく、前記基板が基板表面に反応防止膜が形成された反応防止膜付基板であり、前記触媒金属塩液の金属塩濃度と前記配向CNTのサイズとの相関から相関関係を導出し、前記相関関係により前記金属塩濃度を調整して前記サイズを制御する配向CNT製造方法である。 (もっと読む)


【課題】蒸発した触媒金属がカーボンナノチューブ(CNT)に再付着することを防止し、配向を崩すことなくCNTから確実に触媒金属を除去することで、高純度で高品質のCNTを得ることができる触媒金属の除去方法を提供する。
【解決手段】基板Kに触媒金属を介して形成させたCNTから、ナノ粒子である触媒金属を除去する触媒金属の除去方法であって、基板Kの近傍に配置された触媒金属と同種の金属からなるバルク材7を、バルク材加熱用ヒータによりバルク材7の溶解温度未満である蒸着用温度で加熱し、真空ポンプ12により維持された所定の真空度において、基板Kを、基板加熱用ヒータ6により触媒金属の蒸発温度以上である蒸発用温度で加熱することにより、触媒金属を蒸発させてバルク材7の鏡面加工された蒸着面7Dに蒸着させる。 (もっと読む)


【課題】表面に炭素質被膜が形成された電極活物質を電極材料として用いる場合に、炭素質被膜の担持量のムラが小さく、しかも電子導電性を改善することが可能な電極材料及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の電極材料は、表面に炭素質被膜が形成された電極活物質粒子を凝集してなる凝集体であり、この凝集体の平均粒子径は0.5μm以上かつ100μm以下であり、この凝集体の細孔径分布の累積体積百分率が50%のときの細孔径(D50)は0.1μm以上かつ0.2μm以下であり、この凝集体の空孔率は、この凝集体を中実とした場合の体積に対して15体積%以上かつ50体積%以下である。 (もっと読む)


【課題】カーボンナノファイバを十分に成長させることができるカーボンナノファイバ形成用構造体、カーボンナノファイバ構造体及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】酸素イオン伝導性酸化物を含む基材10と、基材10上に担持される金属触媒30とを備えるカーボンナノファイバ形成用構造体40。 (もっと読む)


【課題】カーボンナノファイバを十分に成長させることができるカーボンナノファイバ形成用構造体、カーボンナノファイバ構造体及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】基材10と、基材10上に設けられ、金属酸化物からなる金属酸化物層20と、金属酸化物層20に担持される金属触媒30とを備え、金属酸化物層20の少なくとも一部の厚さが、0.5〜10nmであるカーボンナノファイバ形成用構造体40。 (もっと読む)


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