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Fターム[4G146BC43]の内容

炭素・炭素化合物 (72,636) | 製造−製造工程、製造条件 (14,091) | 添加剤の使用 (2,974) | 金属含有 (1,635)

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【課題】 少量の添加で充分な導電性が付与可能で且つ樹脂や液等の中への浸透性または分散性に優れた炭素繊維を効率的に製造する方法を提供する。
【解決手段】 粉粒状担体と金属触媒とからなる担持触媒に炭素元素含有物質を接触させることによって繊維状炭素を合成し、 平均繊維径が5〜50nmで且つ屈曲した構造を有する繊維状炭素にホウ素またはホウ素化合物を混ぜ合わせ、次いで1800℃以上の温度で熱処理することを含む、炭素繊維の製造方法。 (もっと読む)


【課題】大面積のグラフェンを高品質かつ低コストで生産可能なグラフェン製造用銅箔及びそれを用いたグラフェンの製造方法を提供する。
【解決手段】表面粗さRzが0.5μm以下であり、表面において(111)面の割合が60%以上であり、Cuめっき層及び/又はCuスパッタ層からなるグラフェン製造用銅箔10であり、又、所定の室内に加熱した前記グラフェン製造用銅箔10を配置すると共に、水素ガスと炭素含有ガスを供給し、グラフェン製造用銅箔10の銅めっき層の表面にグラフェンを形成するグラフェン形成工程と、グラフェンの表面に転写シートを積層し、グラフェンを転写シート上に転写しながら、グラフェン製造用銅箔10をエッチング除去するグラフェン転写工程とを有する、グラフェン20の製造方法である。 (もっと読む)


【課題】スティッキングが生じにくい半導体素子及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】一方の面1aに触媒層3が形成された基板1において、前記一方とは反対側から前記触媒層3の裏面3aに至る開口部1cを形成する工程と、前記開口部1cにおいて、前記触媒層3の裏面3aにグラフェン5を形成する工程と、前記触媒層3の少なくとも一部を除去する工程と、を有することを特徴とする半導体素子の製造方法。開口部1cの形成後、グラフェン5の形成前に、熱処理を行うことができる。グラフェン5を形成する前に、触媒層3の表面に保護層を形成することができる。 (もっと読む)


【課題】長尺なカーボンナノチューブを得ることのできるカーボンナノチューブの製造方法及びカーボンナノチューブの製造装置、ならびに長尺なカーボンナノチューブ及びそれを用いたカーボンナノチューブワイヤを提供する。
【解決手段】カーボンナノチューブの製造方法は、原料ガスとの接触によりカーボンナノチューブ5の分子構造を生成する触媒40が設置された支持部材4を反応管2内に配置する配置ステップと、反応管2内に原料ガスを流通させ、カーボンナノチューブ5の基端部50が支持部材4に固定されると共に先端部51に成長用触媒40が保持された状態でカーボンナノチューブ5を成長させる成長ステップとを有し、成長ステップにおけるカーボンナノチューブ5の成長に応じて、カーボンナノチューブ5の先端部が反応管2内に留まるように、支持部材4を反応管2に対して移動させる。 (もっと読む)


【課題】大面積のグラフェンを高品質かつ低コストで生産可能なグラフェン製造用銅箔及びそれを用いたグラフェンの製造方法を提供する。
【解決手段】表面粗さRzが0.5μm以下であり、表面において(111)面の割合が60%以上を占めるグラフェン製造用銅箔10である。 (もっと読む)


【課題】大面積のグラフェンを低コストで生産可能なグラフェン製造用銅箔及びそれを用いたグラフェンの製造方法を提供する。
【解決手段】純度が99.95質量%以上のCuからなるグラフェン製造用銅箔である。 (もっと読む)


【課題】結晶性の高い良質なグラフェンを、極力低い温度で効率よく成長させる方法を提供する。
【解決手段】グラフェンの成長に先立ち、前処理を行う。前処理は、排気装置99を作動させて処理容器1内を減圧排気しながら、シャワーリング57から処理容器1内に希ガスを導入するとともに、シャワープレート59から処理容器1内に還元性ガス及び窒素含有ガスをそれぞれ導入する。この状態で、マイクロ波発生部35で発生したマイクロ波を、導波管47及び同軸導波管49を介して所定のモードで平面アンテナ33に導き、平面アンテナ33のマイクロ波放射孔33a、透過板39を介して処理容器1内に導入する。このマイクロ波により、還元性ガス及び窒素含有ガスをプラズマ化し、ウエハW表面の触媒金属層に活性化処理を施す。 (もっと読む)


【課題】フッ素樹脂以外のマトリックスで、高導電性、及び優れた力学特性を発現するカーボンナノチューブ複合材料を実現すること。また、フッ素樹脂以外のマトリックスで、高導電性、及び優れた力学特性を発現するカーボンナノチューブ複合材料を備える導電材料を実現すること。
【解決手段】本発明のカーボンナノチューブ複合材料は、カーボンナノチューブ、フッ素を含有する化合物と、フッ素を含有する化合物以外の樹脂又はエラストマーからなるマトリックス中に分散してなるカーボンナノチューブ複合材料であって、前記フッ素を含有する化合物がマトリックス中に島状に分散してなる。また、本発明のカーボンナノチューブ複合材料において、フッ素樹脂以外のマトリックスの溶解度パラメーターが18以下19以上である。 (もっと読む)


【課題】効率良く短時間で流体を加熱する方法を提供すること。
【解決手段】炭素質物を流体中に存在させてなる被加熱体にマイクロ波を照射して加温流体を製造する方法であって、該炭素質物が、耐酸化性炭素質物、又は、難燃化剤と炭素源物質との混合物を熱処理して得られた難燃化剤処理炭素質物であることを特徴とする加温流体の製造方法、該加温流体を用いた殺菌方法、抽出方法、発電方法、及び、リン、ホウ素又は金属原子を含有する難燃化剤と炭素源物質との混合物を熱処理して得られた難燃化剤処理炭素質物であって耐酸化性炭素質物であることを特徴とするマイクロ波照射材料。 (もっと読む)


【課題】 フレキシブルで、軽く、安定で高導電性の導電材料およびこれを用いた電気素
子を提供する。
【解決手段】
本発明の導電材料は、少なくとも一つの次元方向が200nm以下であり、かつ炭素原
子の一部が少なくとも窒素原子に置換された単層グラフェン及び多層グラフェンの少なく
とも1種よりなるカーボン材料と、金属の粒子及び線材の少なくとも1種よりなる金属材
料とが、混合及び/又は積層されてなることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】転写を必ずしも必要としない、グラファイト薄膜の形成方法を提供すること。
【解決手段】物理気相堆積法により、(a)炭素と(b)金属又はゲルマニウムとを含む薄膜Aを基板上に形成し、熱処理により前記炭素を前記基板上に析出させ、前記(b)成分を除去し、前記基板上にグラファイト薄膜を形成することを特徴とするグラファイト薄膜の形成方法。前記薄膜Aを形成する方法としては、例えば、炭素を含むガス中で、前記(b)成分をスパッタする方法が挙げられる。 (もっと読む)


【課題】触媒の残留による影響が少ないカーボンナノファイバーとその製造方法を提供する。
【解決手段】ファイバー内部に金属コバルトが包み込まれた状態で含有(内包)されていることを特徴とするカーボンナノファイバーであり、例えば、Co酸化物とMg酸化物の混合粉末を触媒とし、炭素酸化物を含む原料ガスの気相反応によってカーボンナノファイバーを製造する方法において、Co34とMgOの混合粉末を金属コバルトが生じない水素濃度の還元ガスによって水素還元してなるCoOとMgOの混合粉末を触媒として用いることによって、ファイバー内部に金属コバルトが内包されているカーボンナノファイバーを製造する。 (もっと読む)


【課題】 高い導電性を有し、分散剤を使用しなくても、分散媒への分散性および分散安定性が良いカーボンナノファイバー、ならびにこのカーボンナノファイバーを用いる分散液を提供することを目的とする。
【解決手段】 波長が514.5nmであるアルゴンイオンレーザーを使用するラマン分光測定におけるDバンドの半値幅が、70〜90cm−1であることを特徴とする、カーボンナノファイバーである。また、このカーボンナノファイバーと、分散媒とを含む、カーボンナノファイバー分散液である。 (もっと読む)


【課題】触媒を用いて製造されたカーボンナノファイバーについて、残留する触媒を十分に除去し、高純度なカーボンナノファイバーを得ることができる精製方法とその用途を提供する。
【解決手段】触媒を用いて製造されたカーボンナノファイバーについて、無機酸とキレート剤を含む溶液を用いて残留触媒を除去する工程を含むことを特徴とするカーボンナノファイバーの精製方法であり、好ましくは、無機酸が硫酸、塩酸、および硝酸からなる群から選択される少なくとも1種であり、キレート剤がアミノカルボン酸キレート、ホスホン酸系キレート、グルコン酸系キレート、および有機酸からなる群から選択される少なくとも1種であり、無機酸の濃度0.1〜10wt%、キレート剤の濃度0.01〜5wt%の水溶液を用いて精製するカーボンナノファイバーの精製方法とその用途を提供する。 (もっと読む)


【課題】表面に炭素質被膜が形成された電極活物質を電極材料として用いる場合に、炭素質被膜の担持量のムラが小さく、しかも電子導電性を改善することが可能な電極材料及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の電極材料は、表面に炭素質被膜が形成された電極活物質粒子を凝集してなる凝集体であり、この凝集体の平均粒子径は0.5μm以上かつ100μm以下であり、この凝集体の細孔径分布の累積体積百分率が50%のときの細孔径(D50)は0.1μm以上かつ0.2μm以下であり、この凝集体の空孔率は、この凝集体を中実とした場合の体積に対して15体積%以上かつ50体積%以下である。 (もっと読む)


【解決手段】金属又は金属化合物からなる基体の表面を、表面粗さ5nmRmax以下に研磨した後、この被研磨面をテンプレートとして、基体表面に単原子層又は2原子層からなる薄膜を形成する。
【効果】本発明によれば、従来に比較して飛躍的に広い面積範囲に亘って単一ドメインで、欠陥・粒界の少ない、グラフェン膜、h−BN膜等の、厚さが1〜2原子層分の薄膜を、再現性よく安定的に形成することができる。 (もっと読む)


【課題】 導電性付与能力に優れ、容易に樹脂又はゴム等に分散可能であるカーボンブラック複合体及び、その製造方法を提供する。
【解決手段】 マイクロトラックによる粒度分布測定の中央値が5μm以下、濃度が1.0質量%以上10質量%以下の繊維状炭素スラリーを、炭化水素と1500℃以上の非酸化雰囲気下で熱処理する繊維状炭素と非繊維状炭素のカーボンブラック複合体の製造方法。
繊維状炭素を機械的微細処理及び/又は化学的微細処理することが好ましい。機械的微細処理にビーズミル、振動ミル、ボールミル、ロットミル、ディスクミル又はミキサーを用いることが好ましい。化学的微細処理が分散剤処理及び/又は酸処理であることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】カーボンナノファイバを十分に成長させることができるカーボンナノファイバ形成用構造体、カーボンナノファイバ構造体及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】基材10と、基材10上に設けられ、金属酸化物からなる金属酸化物層20と、金属酸化物層20に担持される金属触媒30とを備え、金属酸化物層20の少なくとも一部の厚さが、0.5〜10nmであるカーボンナノファイバ形成用構造体40。 (もっと読む)


【課題】炭素化物の表面にナノ金属微粒子を均一に分散させて担持させることができるナノ金属微粒子分散炭素化物の製造方法を提供する。
【解決手段】木質バイオマスを400〜500℃で加熱処理して加熱処理物を得る第1工程と、前記加熱処理物を金属水溶液に含浸させて含浸処理物を得る第2工程と、前記含浸処理物を600〜800℃で加熱して炭素化する第3工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】カーボンナノファイバを十分に成長させることができるカーボンナノファイバ形成用構造体、カーボンナノファイバ構造体及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】酸素イオン伝導性酸化物を含む基材10と、基材10上に担持される金属触媒30とを備えるカーボンナノファイバ形成用構造体40。 (もっと読む)


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