【課題】大面積のグラフェンを低コストで生産可能なグラフェン製造用銅箔及びそれを用いたグラフェンの製造方法を提供する。
【解決手段】純度が99.95質量％以上のＣｕからなるグラフェン製造用銅箔である。 （もっと読む）

【課題】効率良く短時間で流体を加熱する方法を提供すること。
【解決手段】炭素質物を流体中に存在させてなる被加熱体にマイクロ波を照射して加温流体を製造する方法であって、該炭素質物が、耐酸化性炭素質物、又は、難燃化剤と炭素源物質との混合物を熱処理して得られた難燃化剤処理炭素質物であることを特徴とする加温流体の製造方法、該加温流体を用いた殺菌方法、抽出方法、発電方法、及び、リン、ホウ素又は金属原子を含有する難燃化剤と炭素源物質との混合物を熱処理して得られた難燃化剤処理炭素質物であって耐酸化性炭素質物であることを特徴とするマイクロ波照射材料。 （もっと読む）

【課題】高純度なカーボンナノチューブ含有組成物を収率よく製造することができる触媒体と製造条件を用いたカーボンナノチューブ含有組成物の製造方法を提供する。
【解決手段】カーボンナノチューブ含有組成物製造用触媒体と炭素含有化合物を加熱反応領域で接触させてカーボンナノチューブを製造するカーボンナノチューブ含有組成物の製造方法であって、
（１）カーボンナノチューブ含有組成物製造用触媒体の凝集体を球体と仮定して算出した体積が０．２×１０^−２〜１０×１０^−２ｃｍ^３の範囲であり、かつ
（２）下記の式の値が１×１０^−４〜４０×１０^−４ｇ・ｓｅｃ／ｃｍの範囲であることを特徴とするカーボンナノチューブ含有組成物の製造方法。
カーボンナノチューブ含有組成物製造用触媒体の凝集体の体積平均（Ｖ）（ｃｍ^３）×かさ密度（ｄ）（ｇ／ｃｍ^３）／カーボンナノチューブ含有組成物製造時のガス線速（ｃｍ／ｓeｃ） （もっと読む）

【課題】気相成長法により、単層カーボンナノチューブを所定のピッチにて配列した状態で形成させる方法、及びそのような方法で使用されるカーボンナノチューブ生成用触媒を提供すること。
【解決手段】本発明のカーボンナノチューブの製造方法は、金属元素が配位することのできる窒素原子を少なくとも１つ有する含窒素デンドリマー化合物に８、９又は１０族の遷移金属元素を配位させた化合物からなる触媒を基板の表面に付着させる触媒付着工程と、前記触媒の付着した基板の表面に炭素化合物を供給しながら、当該炭素化合物を前記基板の近傍で熱分解させる熱分解工程と、を含む。また、本発明のカーボンナノチューブ生成用触媒は、金属元素が配位することのできる窒素原子を少なくとも１つ有する含窒素デンドリマー化合物に８、９又は１０族の遷移金属元素を配位させた化合物である。 （もっと読む）

【課題】配向性が高いカーボンナノチューブを安定して生成し得るカーボンナノチューブ生成用基板を、高い生産性で製造し得る製造方法および製造装置を提供する。
【解決手段】基板Ｋ上に形成されてシリカからなる中間層Ｂと、この中間層Ｂ上に形成されてカーボンナノチューブを生成するための触媒層とを備えたカーボンナノチューブ生成用基板の製造方法であって、基板Ｋにシリカ溶液塗布器１１でシリカ溶液を塗布して、当該シリカ溶液を第一加熱乾燥炉１５で乾燥させた後に焼成し、基板Ｋ上に中間層Ｂを形成する工程と、エッチング部３１で上記中間層Ｂの表面をアルカリエッチングにより滑らかにする工程と、滑らかにされた中間層Ｂの表面に触媒溶液塗布器２１で触媒溶液を塗布して、当該触媒溶液を第二加熱乾燥炉２５により乾燥させた後に焼成し、中間層Ｂ上に触媒層を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】製造に必要なエネルギーを低く抑えつつ、ナノ炭素を量産することができ、また二酸化炭素の発生量を抑えることができるナノ炭素の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】流動触媒、又は流動媒体を併用する流動触媒１が収容され、低級炭化水素と酸素とが供給されて自己燃焼可能な流動層反応器２と、流動層反応器２に接続され、流動層反応器２内に低級炭化水素と酸素とを供給するガス供給部５と、流動層反応器２に接続され、流動層反応器２内の排ガスを外部に排出する排ガス路８と、流動層反応器２に接続され、流動層反応器２内に流動触媒、又は流動媒体を併用する流動触媒１を補給する補給部２ａとを有するナノ炭素の製造装置を用い、流動触媒、又は流動媒体を併用する流動触媒１に低級炭化水素と酸素とを供給して流動層を形成し、低級炭化水素と酸素との自己燃焼を伴う低級炭化水素の分解反応によって、ナノ炭素と水素とを生成する。 （もっと読む）

【課題】高品質でドメインバウンダリーが無い均一なグラフェン薄膜を製膜する。
【解決手段】単結晶基板にエピタキシャルに成長した遷移金属単結晶薄膜を加熱し、遷移金属の表面に炭素を供給することでグラフェンを成長させるグラフェンの製造方法において、単結晶基板として、Ｍｉｃａ（１００）、もしくはＹＳＺ（１１１）を用いることとする。遷移金属はＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｗ、Ｒｅ、Ｉｒ、Ｐｔまたはこれらの合金である。遷移金属単結晶薄膜は3回対称または6回対称の表面を有する （もっと読む）

【課題】耐熱サイクル特性、耐熱応力特性に優れたアモルファス状炭素皮膜の形成を可能とするアモルファス状炭素皮膜の形成方法及びアモルファス状炭素皮膜を提供する。
【解決手段】基材表面に、アモルファス状炭素皮膜を形成させる方法であって、前記基材のアモルファス状炭素皮膜形成面に、前記基材よりも炭化物生成自由エネルギーの小さい物質からなる粒子を分散させ、化学蒸着法又は物理蒸着法により前記粒子上にアモルファス状炭素を成長させて、柱状のセグメントの集合体からなるアモルファス状炭素皮膜を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】結晶質の炭素であっても比表面積が極めて高い多孔質炭素を提供することを目的としている。
【解決手段】メソ孔とこのメソ孔の外郭を構成する炭素質壁とを備えた多孔質炭素であって、ＣｕＫα線（波長１．５４１Å）に対するＸ線回折スペクトルにおいて、ブラッグ角度２θの２６．４５°にピークを有することを特徴とする。また、上記炭素質壁は３次元網目構造を成すことが望ましく、比表面積は２００ｍ^２／ｇ以上１５００ｍ^２／ｇ以下であることが望ましい。 （もっと読む）

【課題】絶縁層が積層された導電層に該絶縁層を貫通するカーボンナノチューブが接続される配線構造にて電気的特性を向上することのできる配線形成方法、及び該方法を用いる配線形成装置を提供する。
【解決手段】
下部配線層３２に積層された絶縁層３４を貫通するホール３５に、その内表面の全体が含まれるように触媒層３６，３７を形成した後、ホール３５の内部にシースＳｈが形成され、且つホール３５の内壁面３５ａに対するシースの厚さがホール３５の底壁面３５ｂに対するシースＳｈの厚さよりも小さくなるようにプラズマを生成する。そして、ホール３５の内壁面３５ａに形成された触媒層３６，３７をプラズマ中のスパッタ粒子Ｓｐによって除去した後、ホール３５の底壁面３５ｂに残された触媒層３６，３７を用いて該底壁面３５ｂからカーボンナノチューブ３８を形成する。 （もっと読む）

【課題】単層カーボンナノチューブを合成するための方法を提供する。
【解決手段】担体上の少なくとも一つの触媒を用意し、この触媒の粒径を決定し、決定した前記粒径に基づく温度で不活性ガスを含む炭素前駆体ガスをこの触媒と接触させて、ＳＷＮＴの直径の平均値の２５％内の直径を有するＳＷＮＴを形成させる。前記温度は、相図に基づく前記触媒の金属−炭素相が炭素誘発液化によって液化する最低温度よりも５℃から１５０℃高くする。前記炭素前駆体ガスは、メタンであり、前記触媒は、鉄、モリブデン又はこれらの組み合わせであり、担体は、粉末状酸化物であり、粉末状酸化物は、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＭｇＯ及びゼオライトからなるグループから選択され、触媒は、１ｎｍから１０ｎｍの間の粒径を有する。 （もっと読む）

【課題】単位質量当たりに導入可能な官能基の量に優れたナノカーボンを提供すること。
【解決手段】触媒支援化学的気相成長法において、マグネシウム、カルシウム及びアルミニウムからなる第１の金属群から選ばれる少なくとも１種以上の金属の酸化物と、ニッケル、鉄及びコバルトからなる第２の金属群から選ばれる少なくとも１種以上の金属の酸化物とを、特定の割合で含有する多孔質複合金属酸化物を触媒として用いる。 （もっと読む）

【課題】所望のグラフェンシート層数を有するカーボンナノチューブからなり、炭素材料として利用可能なカーボンナノチューブ集合体を提供すること。
【解決手段】基板上に直接成長したカーボンナノチューブの集合体であって、下記(i)〜(iv)の条件を満たすカーボンナノチューブ集合体。
(i)集合体に含まれるカーボンナノチューブのうち２層カーボンナノチューブの占める割合が７０％以上。
(ii集合体に含まれるカーボンナノチューブのうち３層カーボンナノチューブの占める割合が５０％以上。
(iii)集合体に含まれるカーボンナノチューブのうち４層カーボンナノチューブの占める割合が５０％以上。
(iv)集合体に含まれるカーボンナノチューブのうち５層カーボンナノチューブの占める割合が５０％以上。 （もっと読む）

【課題】狭小な分布の直径を有するカーボン単層ナノチューブの制御可能な合成のための方法及びプロセスを提供する。
【解決手段】超伝導量子干渉デバイス（ＳＱＵＩＤ）磁力計が、担体物質に分散された金属触媒の粒径を求めるために用いられ、この方法により求められた、担体物質に分散された状態での平均直径が２ｎｍ未満である金属触媒と炭素前駆体ガスとを接触させることにより、狭い直径分布を有する単壁カーボンナノチューブが得られる。 （もっと読む）

【課題】高価な装置を用いることなく、高い生産性でカーボンナノチューブを製造することのできるカーボンナノチューブの製造方法、および当該製造方法により得られたカーボンナノチューブを提供すること。
【解決手段】不活性ガス雰囲気とした反応容器３０内に、ポリスチレン粒子等の固形状の炭素含有原料と、ナノサイズのニッケル粒子等の触媒粒子とを収容する。マイクロ加熱装置等からなる加熱装置１によって反応容器３０内を加熱すると、反応容器３０内で炭素含有原料が分解し、ナノサイズの触媒粒子表面でカーボンナノチューブが成長する。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンド半導体の不純物の新しい混入状態を実現する。
【解決手段】ダイヤモンド半導体は、ダイヤモンド１０とダイヤモンド１０内にドーピングされる不純物で構成される。不純物のドーピングにより、ダイヤモンド１０内に複数の高濃度ドープ領域２０が形成される。各高濃度ドープ領域２０は、ダイヤモンド１０内において空間的に局在化されており、そして、ダイヤモンド１０内において複数の高濃度ドープ領域２０が分散的に配置されている。不純物のドーピングによりキャリア生成のための活性化エネルギーを低下させつつ、各高濃度ドープ領域２０の局在化によりキャリア移動度の低下を抑えることが可能になる。 （もっと読む）

【課題】電子素子へ容易に適用が可能な状態で、キャリアがドープされたカーボンナノチューブが形成できるようにする。
【解決手段】基板１０の上に、ＣｏおよびＮｉより選択された金属の微粒子１０３を直接形成する。次に、ステップＳ１０３で、ベンジルアミンおよびホウ酸トリイソプロピルの少なくとも１つからなる原料ガスを用いた熱化学気相成長法により、微粒子１０３よりキャリアがドープされたカーボンナノチューブ１０４を成長する。 （もっと読む）

【課題】気相成長によって炭素結晶からなるカーボンナノ構造体を製造する際の析出効率を向上させることが可能な触媒構造体、および該触媒構造体を用いたカーボンナノ構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】気相成長によって炭素結晶からなるカーボンナノ構造体を製造するために用いられる触媒構造体であって、第１金属と前記第２金属とによって板状体が厚み方向に貫通されてなり、第１金属は複数のフィラメントとして形成され、フィラメントは、長さ方向が前記板状体の厚み方向となるように互いに間隔をあけて前記基材によって保持され、フィラメントは一方の先端が第１表面に露出され、他方の先端に第２金属が接合されて第２金属が第２表面に露出され、第１金属は、コバルトまたはニッケルを主成分とする材質からなり、第２金属は、パラジウムを含有する材質からなる、触媒構造体、および該触媒構造体を用いたカーボンナノ構造体の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】一般的な触媒金属基板を用いて、触媒となる金属結晶粒を調製し、容易に低コストにて、均質なグラフェン及び炭素分子薄膜を合成する方法を提供する。
【解決手段】触媒金属基板１０を電気炉２０の中に装填して、不活性ガスおよび水素ガス雰囲気下で所定温度θ１１に至るまで加熱する（Ｓ１００）。次いで、所定温度θ１１に保持して、所定時間Ｔ１１にわたって炭素原料ガスを更に供給して触媒金属基板１０の上にグラフェン及び炭素分子薄膜を形成する（Ｓ１１０）。続いて、自然に冷却するよりも特に高温領域で冷却速度が遅くなるよう、所定の降温速度Δθ１で触媒金属基板１０を冷却する（Ｓ１２０）。または、触媒金属基板１０を電気炉２０の中に装填し、不活性ガスおよび水素ガス雰囲気下で所定温度まで昇温し、所定時間保持し、所定の降温速度で冷却する工程を１回以上実施した後、上記のＳ１００からＳ１２０の工程を実施する。 （もっと読む）

【課題】より少ない熱エネルギーでカーボンが得られる製造技術を提供することを課題とする。
【解決手段】反応容器に、結晶性セルロースと酸性電解水を入れる（ＳＴ０１）。この混合物を撹拌しながら所定温度（２３０℃〜２５０℃）に達するまで加熱する（ＳＴ０２）。所定温度に達したら、この温度を保持し、撹拌しながら所定時間（３０分間）が経過するまで保熱する（ＳＴ０３）。これで、反応容器内にカーボンが生成される。
【効果】酸性電解水によりカーボンを製造するため、脱臭処理は容易であり、多量の熱エネルギーを加える必要もない。 （もっと読む）