【課題】グラフェン間の対向状態のばらつきが少ない炭素質材料を提供する。
【解決手段】グラフェン積層体のグラフェン間に層間物質が挿入された炭素質材料であって、ＸＲＤパターンにおける２θが７度〜１２度の範囲、１８度〜２４度の範囲にそれぞれ回折ピークを有し、かつ２５度〜２７度の範囲の回折ピーク高さが１８度〜２４度の回折ピーク高さよりも低く、前記２θが７度〜１２度の範囲に現れるピークの半値幅が４度以下である膨張化黒鉛である炭素質材料。 （もっと読む）

【課題】酸化グラフェンから生成されるグラフェンにおいて、導電性が向上したグラフェン及びその作製方法を提供する。また、充放電容量を向上させることができ、信頼性及び耐久性を含め、電気特性の良好な蓄電装置及びその作製方法を提供する。
【解決手段】第１の導電層上に酸化グラフェンを含む層を形成し、作用極である第１の導電層、及び、対極である第２の導電層を浸漬した電解液中で、酸化グラフェンの還元反応が生じる電位を第１の導電層の電位に供給して、グラフェンを生成する方法である。また、少なくとも正極、負極、電解液及びセパレータを有する蓄電装置において、正極及び負極の一方又は双方は、上記作製方法を用いてグラフェンを生成する蓄電装置の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】チタン酸リチウムとカーボンナノファイバーとを複合化すると共に、チタン酸リチウムの表面に炭素化膜を形成したチタン酸リチウムとカーボンファイバーの複合体、及びその製造方法に関する。
【解決手段】旋回する反応容器内で、チタン酸リチウムを含むチタン酸源と、スクロースを含むリチウムを含むリチウム源と、カーボンナノファイバーとを含む溶液にずり応力と遠心力を加えて反応させてチタン酸リチウムとカーボンナノファイバーとの複合体を生成する複合化処理を行う。この複合化処理を経た複合体を真空中において加熱する加熱処理を行う。この複合体のチタン酸リチウムの表面にスクロースからなる炭素皮膜が形成する。 （もっと読む）

【課題】コーティング層及び還元された酸化グラフェン層が順次に積層されたグラフェンペーパーを提供する。
【解決手段】本発明による方法で製造されたグラフェンペーパーは、電気伝導度及び機械的性質が優れているのみならず、大面積のグラフェンペーパーを経済的に形成することができる。よって、薄膜電極、可撓性電極、スーパーキャパシタ、半導体導電膜の補強剤、ＴＦＴ半導体層電極などの電子材料製造に有用である。 （もっと読む）

【課題】優れた物理特性及び難燃性を有する難燃性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】合成樹脂１００重量部と、比表面積が５０〜２６００ｍ²／ｇである薄片化黒鉛１〜２０重量部とを含有する難燃性樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】高品質なグラフェンが、低コストで大面積に、より容易に作製できるようにする。
【解決手段】加熱することで金属層１０２に炭素を溶解させた後、加熱の温度を低下させ、金属層１０２の表面に溶解していた炭素を析出させることで、グラフェン１０４を形成する。例えば、９００℃で３０分間保持してニッケルからなる金属層１０２に炭素を溶解させた後、毎分２０℃で室温まで降温することで、金属層１０２の上にグラフェン１０４が析出する。 （もっと読む）

【課題】 基材の変形を防止し、カーボンナノチューブ配向集合体の収量低下や品質低下、各製造工程の不具合を防止することができる製造方法を提供する。
【解決手段】 金属基板の表面に触媒を担持した基材上に、化学気相成長法を用いてカーボンナノチューブ配向集合体を製造するカーボンナノチューブ配向集合体の製造方法において、前記金属基板として、その表面の残留歪みをεａ、裏面の残留歪みをεｂとし、それぞれの値の信頼区間をそれぞれＭａ、Ｍｂとしたとき、基板面に沿って水平で且つ直交する２方向それぞれの残留歪みが式｜εａ−εｂ｜≦Ｍａ＋Ｍｂを満たしている基板を用いる。 （もっと読む）

【課題】作成効率が向上されて、品質も安定して高いグラフェンナノリボンの作成方法の提供。
【解決手段】カーボンナノチューブを分散媒中に分散させカーボンナノチューブ分散液を得る工程と、酸化剤を前記カーボンナノチューブ分散液に添加して反応液を得る工程と、マイクロ波で前記反応液を加熱し、前記カーボンナノチューブを縦方向に切開する工程とを含むことを特徴としたグラフェンナノリボンの作成方法。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブの分散体および分散方法の提供。
【解決手段】カーボンナノチューブ(CNT)とポリ(3-ヘキシルチオフェン)（P3HT）の複合体をポリジメチルシロキサン（PDMS）中に均一に分散してなるカーボンナノチューブ分散体。 （もっと読む）

【課題】電子移動を伴うレドックス反応における酸素還元活性に優れることから、燃料電池の電極触媒の形成材料として好適に用いることが可能な変性物を提供する。
【解決手段】導電性カーボンの官能基または多重結合と窒素含有化合物とを反応させてなる窒素含有導電性カーボンと、金属錯体と、の混合物に、加熱処理、放射線照射処理および放電処理の何れかの変性処理を行うことにより得られる変性物。 （もっと読む）

【課題】周期的微細構造を有する物質を高純度で生成することができる技術を提供
【解決手段】レーザー光ＬＬ１，ＬＬ２はそれぞれ、固体ターゲット５１，５２の湾曲面５１ａ，５２ａ上に照射される。これにより、アブレーションが発生し、固体ターゲット５１，５２の湾曲面５１ａ，５２ａからプルームプラズマＰＰ１，ＰＰ２が放出される。なお、レーザー光ＬＬ１，ＬＬ２の照射により、プルームプラズマＰＰ１，ＰＰ２内のイオンがプルームプラズマの交差衝突部空間を通過する距離に対して、上記イオンの衝突平均自由工程が数分の１以下となるような密度と温度を持つプルームプラズマが生成される。そして、プルームプラズマＰＰ１とプルームプラズマＰＰ２の衝突により、周期的微細構造を有する物質（例えば、カーボンナノチューブ）が生成される。 （もっと読む）

【課題】アルミナ粒子、金属酸化物粒子に比べて、入手しやすく、安価であり、しかも多用途である炭素担持体、炭素担持体製造方法及び炭素担持体製造装置を提供する。
【解決手段】有機物を加熱することにより、該有機物をタール含有ガスに熱分解し、熱分解によって生成したタール含有ガスを、火山砕屑物粒子、珪藻土、粘土鉱物又は炭酸塩に接触させることによって、該火山砕屑物粒子、珪藻土、粘土鉱物又は炭酸塩に炭素質固体を析出させ、炭素質固体が付着してなる炭素担持体を回収する。 （もっと読む）

【課題】ホウ素及び窒素で置換されたグラフェン及びその製造方法、並びにそれを具備したトランジスタを提供する。
【解決手段】ホウ素及び窒素が炭素原子の１−２０％置換されるグラフェンである。該ボロン及び窒素で置換されたグラフェンは、ほぼ０．０５−０．４５ｅＶのバンドギャップを有するので、電界効果トランジスタのチャネルとして使われうる。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）を用いた電子源を製造する場合、ＣＮＴを成長させたままの状態では、電子源として作動するＣＮＴの先端の密度が高すぎて良好な電子源特性が得られない。先端の密度を下げるためにＣＮＴを成長させた基板を溶液に浸して乾燥させる技術は既知であるが、さらにこの密度を低下させる方法を提供する。
【解決手段】ＤＣ放電を用いるプラズマＣＶＤ法によって、先端に金属触媒を保持したＣＮＴを基盤上に成長させ、その後、溶剤に浸して乾燥させ、ＣＮＴ構造体を作製する。さらに、その後、このＣＮＴ構造体の先端に、同様なプラズマＣＶＤ法を施して再度ＣＮＴを成長させ、再度、溶剤に浸して乾燥させてＣＮＴ構造体を製造する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、従来にない作用効果を発揮する画期的な親水性部材の製造方法，親水性部材，籾殻炭化方法，籾殻炭化装置及び親水性部材の保存方法を提供することを目的とする。
【解決手段】液体吸着材，スリップ防止材，排泄物処理材，土壌改良材，調湿材，消臭材若しくはろ過材として使用される親水性部材の製造方法であって、炭化処理部１で多孔質植物材料を攪拌しながら無酸素状態若しくは低酸素状態で加熱し、この加熱処理する際、前記炭化処理部１の内で発生するガスを該炭化処理部１の外へ強制排気して前記多孔質植物材料へのグラファイト含有量を低減せしめる親水性部材の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】プラズマダメージや被処理体（基板）の変形を防ぎ、カーボンナノチューブを成長させることが可能なカーボンナノチューブの製造装置を提供する。
【解決手段】マイクロ波導入手段１１を備え、内部空間に炭素含有のプロセスガスを導入しながら所定の圧力状態を維持する真空処理室１０と、前記内部空間にあって、前記マイクロ波導入手段１１に付設された平板状のマイクロ波導入窓１６に対向配置されるように、平板状の被処理体２を載置する支持体１２と、前記支持体に内蔵された温度制御手段１３と、を少なくとも備えたカーボンナノチューブの製造装置であって、前記マイクロ波導入窓１６から導入したマイクロ波を前記プロセスガスに照射して生起させたプラズマ２０から見て、前記被処理体を覆うように、可視光より長い波長をもつ光の透過率が５％未満で、気孔率が７０％より大きく９５％未満である板材１８が配置されている。 （もっと読む）

【課題】下層の触媒金属を微粒にかつ高密度に形成して低欠陥で高密度のカーボンナノチューブ膜を形成することができるカーボンナノチューブ膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】表面に金属触媒層が形成された被処理基板を準備し（工程１）、金属触媒層に酸素プラズマ処理を施し（工程２）、酸素プラズマ処理後の金属触媒層に水素含有プラズマ処理を施して、金属触媒層の表面を活性化し（工程３）、その後、金属触媒層の上にプラズマＣＶＤによりカーボンナノチューブ膜を成膜する（工程５）。 （もっと読む）

【課題】常温の不活性ガス雰囲気中で、かつ大気圧下でカーボンナノ構造体を製造することができる、新しい原理に基づくカーボンナノ構造体の製造技術を提供する。
【解決手段】ターゲット原料をチャンバー内にセットし、常温の不活性ガス雰囲気中で、かつ、大気圧下で、電子加速器から放出される連続電子ビームをターゲット原料に照射することにより、ターゲット原料を溶融、ガス化させる。ついで、ガス化されたターゲット原料を冷却させることによりグラファイトと触媒金属との共存高温ガスとし、この共存高温ガス状態を一定時間維持した後、冷却することによりカーボンナノ構造体を生成させる。 （もっと読む）

【課題】費用及び危険性を伴なう、ヒドラジン、高温、不活性ガスを必要としないグラフェン酸化物の還元法を提供する。
【解決手段】グラフェン酸化物（ＧＯ）標的物を、ＧＯ標的物の脱酸素反応を開始させるのに足る出力を有する光に暴露し、光熱分解する。ＧＯ標的物の脱酸素反応中に酸素を捕捉する触媒が、ニッケル、銅、ケイ素およびマグネシウムの１種または複数である触媒を用いて、ＧＯ標的物を、２００ナノメートル〜４００ナノメートルの波長を有するグラフェン酸化物の薄膜をパターニングするように配置されたリソグラフィー光源からの光に暴露して、ＧＯ標的物の脱酸素反応中に酸素を捕捉する。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ法を用いてカーボンナノチューブを効率的に生成できる技術を提供する。
【解決手段】成長用基板１００は、中空円筒状を有しており、カーボンナノチューブ生成層２０と、発電層３０とを備える。カーボンナノチューブ生成層２０は、外表面にカーボンナノチューブの生成を促進させるための触媒が担持されている。発電層３０は、カーボンナノチューブ生成層２０の下層に配置され、固体電解質３５と、固体電解質３５の外面に設けられたアノード３３と、固体電解質３５の内面に設けられたカソード３７とを有している。発電層３０は、カーボンナノチューブの生成に際して、アノード３３にカーボンナノチューブ生成層２０から透過した副産物である水素と、カソード３７に外部から供給された酸化ガスとを利用して発電する。 （もっと読む）