【課題】スティッキングが生じにくい半導体素子及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】一方の面１ａに触媒層３が形成された基板１において、前記一方とは反対側から前記触媒層３の裏面３ａに至る開口部１ｃを形成する工程と、前記開口部１ｃにおいて、前記触媒層３の裏面３ａにグラフェン５を形成する工程と、前記触媒層３の少なくとも一部を除去する工程と、を有することを特徴とする半導体素子の製造方法。開口部１ｃの形成後、グラフェン５の形成前に、熱処理を行うことができる。グラフェン５を形成する前に、触媒層３の表面に保護層を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】従来の電極材料、特に炭素材料や触媒と比較して、クーロン効率等の電極性能に優れた電極材料を提供する。
【解決手段】単位比表面積あたりの局在電子スピン密度が３×１０^１５個／ｍ^２以下である電極材料、並びに、窒素含有有機高分子化合物の金属錯体と、導電性材料との混合物を準備する工程と、前記混合物を不活性雰囲気下、加熱し、前記金属錯体の前記窒素含有有機高分子化合物を炭素化処理する工程と、前記炭素化処理により得られた炭素化物を粉砕処理する工程と、前記粉砕処理により得られた粉砕物から金属を除去する工程と、を有する電極材料の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 フレキシブルで、軽く、安定で高導電性の導電材料およびこれを用いた電気素
子を提供する。
【解決手段】
本発明の導電材料は、少なくとも一つの次元方向が２００ｎｍ以下であり、かつ炭素原
子の一部が少なくとも窒素原子に置換された単層グラフェン及び多層グラフェンの少なく
とも１種よりなるカーボン材料と、金属の粒子及び線材の少なくとも１種よりなる金属材
料とが、混合及び／又は積層されてなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】転写を必ずしも必要としない、グラファイト薄膜の形成方法を提供すること。
【解決手段】物理気相堆積法により、（ａ）炭素と（ｂ）金属又はゲルマニウムとを含む薄膜Ａを基板上に形成し、熱処理により前記炭素を前記基板上に析出させ、前記（ｂ）成分を除去し、前記基板上にグラファイト薄膜を形成することを特徴とするグラファイト薄膜の形成方法。前記薄膜Ａを形成する方法としては、例えば、炭素を含むガス中で、前記（ｂ）成分をスパッタする方法が挙げられる。 （もっと読む）

【課題】触媒を用いて製造されたカーボンナノファイバーについて、残留する触媒を十分に除去し、高純度なカーボンナノファイバーを得ることができる精製方法とその用途を提供する。
【解決手段】触媒を用いて製造されたカーボンナノファイバーについて、無機酸とキレート剤を含む溶液を用いて残留触媒を除去する工程を含むことを特徴とするカーボンナノファイバーの精製方法であり、好ましくは、無機酸が硫酸、塩酸、および硝酸からなる群から選択される少なくとも１種であり、キレート剤がアミノカルボン酸キレート、ホスホン酸系キレート、グルコン酸系キレート、および有機酸からなる群から選択される少なくとも１種であり、無機酸の濃度０.１〜１０wt％、キレート剤の濃度０.０１〜５wt％の水溶液を用いて精製するカーボンナノファイバーの精製方法とその用途を提供する。 （もっと読む）

【課題】蒸発した触媒金属がカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）に再付着することを防止し、配向を崩すことなくＣＮＴから確実に触媒金属を除去することで、高純度で高品質のＣＮＴを得ることができる触媒金属の除去方法を提供する。
【解決手段】基板Ｋに触媒金属を介して形成させたＣＮＴから、ナノ粒子である触媒金属を除去する触媒金属の除去方法であって、基板Ｋの近傍に配置された触媒金属と同種の金属からなるバルク材７を、バルク材加熱用ヒータによりバルク材７の溶解温度未満である蒸着用温度で加熱し、真空ポンプ１２により維持された所定の真空度において、基板Ｋを、基板加熱用ヒータ６により触媒金属の蒸発温度以上である蒸発用温度で加熱することにより、触媒金属を蒸発させてバルク材７の鏡面加工された蒸着面７Ｄに蒸着させる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ＣＶＤ−転写法においてグラフェンフィルムを高い確実性をもって低コストで製造できる方法を提供することを目的とする。
【解決手段】
（Ａ）基板として、１００μｍ×１００μｍの正方形表面領域における表面粗さ曲面の最大山高さが１００〜６００ｎｍの範囲内である金属箔を選択する工程と、
（Ｂ）前記基板の表面に炭素源を供給して、当該基板の表面に化学気相成長によってグラフェンフィルムを形成させる工程と
を備えるグラフェンフィルムの製造方法。 （もっと読む）

【課題】高導電性の導電体、またその簡便な製造方法を提供する。
【解決手段】基材の片面に、親水性カーボンナノチューブと分散剤とを含む未処理導電層を形成し、該未処理導電層に０．０２〜１．０質量％の塩化金酸水溶液を１０〜６０秒間接触させた後、乾燥させる、導電体の製造方法。また、基材の片面に親水性カーボンナノチューブと０価の金ナノ粒子と３価の金イオンと分散剤とを含む導電層を有し、親水性カーボンナノチューブが、導電層の導電面側のＸＰＳスペクトルにおいて、８２〜８９ｅＶにピークトップを含むピークの面積強度［Ｃ］と８９〜９２ｅＶにピークトップを含むピークの面積強度［Ｄ］との比（［Ｃ］／［Ｄ］）が５〜２０であり、かつ金元素に対応するピークの面積強度［Ｅ］と炭素元素に対応するピークの面積強度［Ｆ］との比が［Ｅ］／［Ｆ］＝０．００１〜０．０５であるカーボンナノチューブからなる導電体。 （もっと読む）

【課題】鉛フリーはんだの熱伝導率を向上させ、コストと信頼性とを両立した、２００℃以上で使用可能な、高温鉛フリーはんだを提供する。
【解決手段】鉛フリーはんだに、グラフェンまたはグラファイトを添加することとする。鉛フリーはんだが、Ｂｉを主成分とし、Ａｇを含み、残りが他の不可避的不純物元素から構成される。鉛フリーはんだが、Ｂｉを主成分とし、０＜Ａｇ≦１１ｗｔ％のＡｇを含む。グラフェンまたはグラファイトの添加量が、５ｗｔ％以上で３０ｗｔ％未満である。 （もっと読む）

【課題】金属原子、特に放射性金属原子に対する吸着能力が高い吸着剤と、その吸着剤を収率よく沈降させることのできる凝集剤を使用することにより、廃液から前記金属原子を効率よく除去することのできる処理方法を提供する。
【解決手段】廃液中の金属原子を、(a)フェロシアン化金属化合物及び／又はフェリシアン化金属化合物を担持してなる複合ダイヤモンド微粒子、及び／又は(b)フェロシアン化金属化合物及び／又はフェリシアン化金属化合物を担持してなる複合カーボンナノチューブを用いて除去及び回収する廃液処理方法であって、前記廃液に、前記複合ダイヤモンド微粒子及び／又は複合カーボンナノチューブを添加混合する工程、及び前記複合ダイヤモンド微粒子及び／又は複合カーボンナノチューブを添加混合した廃液に、凝集剤を添加する工程を有することを特徴とする処理方法。 （もっと読む）

【課題】炭素薄膜の製造方法、炭素薄膜を含んだ電子素子及び炭素薄膜を含んだ電気化学素子を提供する。
【解決手段】基板上にコールタール及びコールタールピッチのうち一つ以上を含んだ前駆体膜を形成する段階と、基板と前駆体膜との間の触媒膜、及び前駆体膜上の保護膜のうち一つ以上を形成する段階と、基板を熱処理し、基板上に炭素薄膜を形成する段階と、を含む炭素薄膜の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】簡便な方法で導電性を向上させることの出来るカーボンナノチューブ膜および製造方法を提供する
【解決手段】（１）カーボンナノチューブ含有組成物と（２）スルホン酸塩を含む高分子と（３）スルホン酸塩の陽イオンと交換可能な金属塩を配合してなるカーボンナノチューブ分散体層を基材上に形成させてなる薄膜、（１）カーボンナノチューブ含有組成物と（２）スルホン酸塩を含む高分子と（３）スルホン酸塩の陽イオンと交換可能な金属塩を配合し、（１）カーボンナノチューブ含有組成物を溶媒中に分散させてなるカーボンナノチューブ分散液を用いて基材上にカーボンナノチューブ分散体層を形成させることを特徴とする薄膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】放射線に対する耐性に優れ、放射性セシウムの吸着除去能力の高い吸着剤を提供する。
【解決手段】フェロシアン化金属化合物及び／又はフェリシアン化金属化合物を担持したダイヤモンド微粒子、及び／又はフェロシアン化金属化合物及び／又はフェリシアン化金属化合物を担持したカーボンナノチューブからなる、セシウムを吸着するための複合吸着剤。 （もっと読む）

【課題】 従来文献において、バイオマスが、カリウム等のアルカリ金属含有量が低いバイオマス炭（高品質の炭化物）の製造と、高品質の炭化物の竪型炉の燃料使用がある。バイオマスを、乾燥処理、軟化処理、又は細胞膜の破壞処理の何れかを選択し、その後に、水洗処理とバイオマス原料の乾留で、バイオマス炭を製造する方法と、このバイオマス炭を、竪型炉に吹き込み燃料とする。しかし、水洗処理で、カリウム等のミネラル混入水が生成されるとは考えられない。
【解決手段】 パーム椰子廃棄物を、蒸気蒸工程、切断（剪断）破砕工程、造粒工程、並びに乾燥工程、高熱処理し、炭化物と、タールと木酢水溶液（有機酸液）を含むガスに分留する高熱処理工程、高温炭化物を、有機酸液で冷却し、炭化物表面のカリウム、ナトリウム、マグネシウム等を除去した高品位の炭化物・有機酸カリウム、有機酸ナトリウム、有機酸マグネシウム等を含む木酢水溶液を得る炭化物生成工程、分離工程で構成した熱帯植物廃棄物の処理方法。 （もっと読む）

【課題】ホウ素を含む場合であっても、ＢＥＴ比表面積を飛躍的に増大させることにより、顕著な性能向上を図ることができる多孔質炭素及びその製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】少なくとも表面にはＣ−Ｂ−Ｏ結合構造が存在し、７７Ｋにおける窒素吸着等温線から求められるＢＥＴ比表面積が３００ｍ^２／ｇ以上であることを特徴とする多孔質炭素であり、ホウ酸とクエン酸マグネシウムとを混合して混合物を作製するステップと、上記混合物を、真空雰囲気、非酸化性雰囲気、又は還元性雰囲気で加熱焼成して焼成物を作製するステップと、上記焼成物中の上記鋳型を除去するステップとを有する製造方法によって作製することができる。 （もっと読む）

【課題】高導電性の導電体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも片面にカーボンナノチューブからなる導電層を有し、導電面側のＸＰＳスペクトルの４０５ｅＶの強度Ｉ_４０５と４００ｅＶの強度Ｉ_４００の強度比Ｉ_４０５／Ｉ_４００が０．４〜１．０であることを特徴とする導電体、および、基材の少なくとも片面にカーボンナノチューブからなる導電層を形成した後、硝酸で処理することにより、導電面側のＸＰＳスペクトルの４０５ｅＶの強度Ｉ_４０５と４００ｅＶの強度Ｉ_４００の強度比Ｉ_４０５／Ｉ_４００が０．４〜１．０の範囲にある導電体を製造することを特徴とする導電体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】分散性が良く、導電性が高く、かつ、カーボンナノチューブ生成用の触媒をほぼ含まない、新たなカーボンナノチューブナノホーン結合体を提供する。
【解決手段】 カーボンナノチューブ３と、カーボンナノホーン２とを含み、
カーボンナノチューブ３は、チューブ状のグラファイト層から形成され、
カーボンナノホーン２は、少なくとも一方の端が閉じたチューブ状のグラファイト層から形成され、
カーボンナノホーン２における前記グラファイト層を形成する炭素−炭素結合の一部が切断され、その炭素原子が、カーボンナノチューブ３の炭素原子と化学的に結合されており、
カーボンナノホーン２が、カーボンナノチューブ生成用の触媒を実質的に含まないことを特徴とするカーボンナノチューブナノホーン結合体４。 （もっと読む）

【課題】機械的強度に優れ、半導電性を有する液晶ポリエステル組成物の製造方法の提供。
【解決手段】液晶ポリエステルと、下記（Ａ）の要件を満たすナノ構造中空炭素材料とを含有する液晶ポリエステル組成物の製造方法であって、前記液晶ポリエステル８５〜９９質量部と、前記ナノ構造中空炭素材料１〜１５質量部とを、１０００〜９０００／秒のせん断下で溶融混練する工程を有することを特徴とする液晶ポリエステル組成物の製造方法。
（Ａ）ナノ構造中空炭素材料が、炭素部及び中空部を有し、前記中空部の一部又は全体が前記炭素部により囲まれた構造を有する。 （もっと読む）

【課題】比表面積が極めて高く、しかも、比抵抗が小さな多孔質炭素を提供することを目的としている。
【解決手段】メソ孔とこのメソ孔の外郭を構成する炭素質壁とを備えた多孔質炭素であって、比抵抗が１．０×１０^２Ω・ｃｍ以下であることを特徴とする。また、上記炭素質壁は３次元網目構造を成すことが望ましく、比表面積は２００ｍ^２／ｇ以上１５００ｍ^２／ｇ以下であることが望ましく、上記メソ孔は開気孔であって、気孔部分が連続するような構成となっていることが望ましい。 （もっと読む）

【課題】結晶質の炭素であっても比表面積が極めて高い多孔質炭素及びその製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】メソ孔４とこのメソ孔４の外郭を構成する炭素質壁３とを備えた多孔質炭素であって、上記炭素質壁３には層状構造を成す部分が存在することを特徴とするものである。その製造方法は、炭素前駆体としてのポリアミック酸樹脂１と、鋳型粒子としての酸化マグネシウム２とを混合するステップと、この混合物を窒素雰囲気中１０００℃で１時間熱処理してポリアミック酸樹脂を熱分解させるステップと、得られた試料を１ｍｏｌ／ｌの割合で添加された硫酸溶液で洗浄して、ＭｇＯを溶出させるステップと、この非晶質の多孔質炭素を、窒素雰囲気中２５００℃で熱処理するステップと、を有することを特徴とする。 （もっと読む）