【課題】その製造に際して用いたフラーレンの貧溶媒の残留量を低減したフラーレン内包シリカゲルを容易に得ることができる方法を提供する。
【解決手段】本発明によれば、フラーレンをトルエンに溶解し、得られた溶液に乾燥シリカゲルを加えて攪拌した後、トルエンを揮散させて乾固物を得、次いで、この乾固物をフラーレンの貧溶媒である塩化メチレンに加え、攪拌した後、減圧下に塩化メチレンを除去することを特徴とするフラーレン内包シリカゲルの製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】触媒を用いて製造されたカーボンナノファイバーについて、残留する触媒を十分に除去し、高純度なカーボンナノファイバーを得ることができる精製方法とその用途を提供する。
【解決手段】触媒を用いて製造されたカーボンナノファイバーについて、無機酸とキレート剤を含む溶液を用いて残留触媒を除去する工程を含むことを特徴とするカーボンナノファイバーの精製方法であり、好ましくは、無機酸が硫酸、塩酸、および硝酸からなる群から選択される少なくとも１種であり、キレート剤がアミノカルボン酸キレート、ホスホン酸系キレート、グルコン酸系キレート、および有機酸からなる群から選択される少なくとも１種であり、無機酸の濃度０.１〜１０wt％、キレート剤の濃度０.０１〜５wt％の水溶液を用いて精製するカーボンナノファイバーの精製方法とその用途を提供する。 （もっと読む）

【課題】高導電性の導電体、またその簡便な製造方法を提供する。
【解決手段】基材の片面に、親水性カーボンナノチューブと分散剤とを含む未処理導電層を形成し、該未処理導電層に０．０２〜１．０質量％の塩化金酸水溶液を１０〜６０秒間接触させた後、乾燥させる、導電体の製造方法。また、基材の片面に親水性カーボンナノチューブと０価の金ナノ粒子と３価の金イオンと分散剤とを含む導電層を有し、親水性カーボンナノチューブが、導電層の導電面側のＸＰＳスペクトルにおいて、８２〜８９ｅＶにピークトップを含むピークの面積強度［Ｃ］と８９〜９２ｅＶにピークトップを含むピークの面積強度［Ｄ］との比（［Ｃ］／［Ｄ］）が５〜２０であり、かつ金元素に対応するピークの面積強度［Ｅ］と炭素元素に対応するピークの面積強度［Ｆ］との比が［Ｅ］／［Ｆ］＝０．００１〜０．０５であるカーボンナノチューブからなる導電体。 （もっと読む）

【課題】金属原子、特に放射性金属原子に対する吸着能力が高い吸着剤と、その吸着剤を収率よく沈降させることのできる凝集剤を使用することにより、廃液から前記金属原子を効率よく除去することのできる処理方法を提供する。
【解決手段】廃液中の金属原子を、(a)フェロシアン化金属化合物及び／又はフェリシアン化金属化合物を担持してなる複合ダイヤモンド微粒子、及び／又は(b)フェロシアン化金属化合物及び／又はフェリシアン化金属化合物を担持してなる複合カーボンナノチューブを用いて除去及び回収する廃液処理方法であって、前記廃液に、前記複合ダイヤモンド微粒子及び／又は複合カーボンナノチューブを添加混合する工程、及び前記複合ダイヤモンド微粒子及び／又は複合カーボンナノチューブを添加混合した廃液に、凝集剤を添加する工程を有することを特徴とする処理方法。 （もっと読む）

【課題】良好な電気特性を有するフラーレン重合体を製造する方法、これを用いた導電膜を製造する方法を提供する。
【解決手段】本発明の一観点に係るフラーレン重合体の製造方法は、フラーレン薄膜を形成し、前記フラーレン薄膜に光渦レーザービームを照射することを特徴とする。この場合において、フラーレン重合体は、導電性を有するものであることが好ましい。また、フラーレン薄膜のうち、重合されていないフラーレンを除去する工程を含むことも好ましい。また、本発明の他の観点に係る導電膜の製造方法は、フラーレン薄膜を形成し、前記フラーレン薄膜に光渦レーザービームを照射することを特徴とする。この場合において、フラーレン薄膜のうち、導電膜でない部分を除去する工程を含むことも好ましい。 （もっと読む）

【課題】放射線に対する耐性に優れ、放射性セシウムの吸着除去能力の高い吸着剤を提供する。
【解決手段】フェロシアン化金属化合物及び／又はフェリシアン化金属化合物を担持したダイヤモンド微粒子、及び／又はフェロシアン化金属化合物及び／又はフェリシアン化金属化合物を担持したカーボンナノチューブからなる、セシウムを吸着するための複合吸着剤。 （もっと読む）

【課題】リチウムイオン二次電池といった電池や電気二重層キャパシタ等の電気化学デバイスに用いた場合、優れた特性が得られる多孔質炭素材料及びその製造方法を提供する。
【解決手段】二次電池用電極材料あるいは電気二重層キャパシタ用材料は、ケイ素を含む植物由来の材料を原料とし、窒素ＢＥＴ法による比表面積の値が１３０ｍ²／グラム以上、メソ細孔及びマイクロ細孔の容積が０．１ｃｍ³／グラム以上であり、且つ、２０ｎｍを超える孔径のメソ細孔よりも２０ｎｍ以下の孔径のメソ細孔を多く含む多孔質炭素材料から成り、あるいは又、ケイ素を含む植物由来の材料を原料とし、窒素ＢＥＴ法による比表面積の値が１０ｍ²／グラム以上、水銀圧入法によって得られた細孔の容積が２．２ｃｍ³／グラム以上、ケイ素の除去によって得られたＢＪＨ法及びＭＰ法による細孔の容積が０．１ｃｍ³／グラム以上である多孔質炭素材料から成る。 （もっと読む）

【課題】高純度で、且つ電子デバイスに応用できる大きさのＳＷＣＮＴの結晶作製方法を提供し、該方法により作製されたＳＷＣＮＴ結晶、並びに該ＳＷＣＮＴ結晶を用いた電子デバイスを提供する。
【解決手段】溶媒に単分散された単層カーボンナノチューブを過飽和状態にすることにより、単層カーボンナノチューブを結晶化させることを特徴とする単層カーボンナノチューブの結晶作製方法。 （もっと読む）

【課題】高純度で高耐熱性を有する二層カーボンナノチューブを含むカーボンナノチューブ含有組成物の製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】以下の特徴を有するカーボンナノチューブ含有組成物の製造方法。
カーボンナノチューブ含有組成物を酸化反応した後に、アンモニアと有機アミンから選択されるアルカリで処理することで、空気中で１０℃／分で昇温したときの熱重量分析で、高温側の燃焼ピークが７００〜８５０℃にあり、かつ低温側の重量減量分（ＴＧ（Ｌ））と高温側の重量減量分（ＴＧ（Ｈ））が、ＴＧ（Ｈ）／（ＴＧ（Ｌ）＋ＴＧ（Ｈ））＝０．７５以上となることを特徴とするカーボンナノチューブ含有組成物の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ＣＮＭ等の難溶解性粉体の表面修飾処理を高速化して、大量の表面修飾処理を低コストで行うことのできる粉体可溶化方法及びその粉体可溶化方法に基づき粉体可溶化処理を行える粉体可溶化装置を提供することである。
【解決手段】攪拌部材４の終端部５を液中電極１４の対向電極として、両電極間に高電圧高周波パルス発生装置１７の合成電圧Ｖが印加される。合成電圧Ｖの印加により、水面３２近傍のＣＮＴあるいは水面３２に浮遊するＣＮＴ１１が粉体電極となって、液中電極１４との間で液中プラズマ放電２７を発生させる。液中プラズマ放電２７により液中電極１４の周囲が沸騰状態に達し、Ｈ^＋やＯＨ⁻等のラジカルを含む活性水蒸気２８が生ずる。活性水蒸気２８及び液中プラズマに接触することにより、浮遊ＣＮＴ粉体はＣＮＴ周囲に水和層が形成され親水化される。 （もっと読む）

【課題】ガラス、種々の金属基材および樹脂に塗布した際もムラを生じること無く均一に塗布でき、基材上に導電性の塗膜を形成可能なカーボンナノチューブ水分散液を提供する。
【解決手段】多糖類をカーボンナノチューブの分散剤として用いたカーボンナノチューブ水分散液へ、パーフルオロアルキル基を有する水溶性化合物とを組み合わせることによって調製できる、多種多様な基材へムラなく塗布可能であり、基材上に導電性塗膜を形成可能なカーボンナノチューブ水分散液。 （もっと読む）

【課題】単層カーボンナノチューブ薄膜の色彩を変化せしめる方法、この方法に用いられる表示セル、及びこの表示セルを用いた表示装置を提供すること。
【解決手段】透明セル１内に、基板２上の作用極３に接するように設けられた直径の大きさの揃った金属型又は半導体型単層カーボンナノチューブの薄膜４、電解液７、対極５、参照極６を収納した表示セルの作用極３と対極５間に電圧を印加して電気化学ドーピングを行い、単層カーボンナノチューブに電子又はキャリアの注入することにより単層カーボンナノチューブ薄膜の色彩を変化せしめる。例えば、単層カーボンナノチューブが金属型単層カーボンナノチューブであり、その直径が１．３〜１．４ｎｍであればシアン系（青）の色を呈しているが、電圧印加によりイエロー系（黄）に変化し、電圧印加を停止すれば元のシアン系の色に回復する。このとき、単層カーボンナノチューブとして、チューブ内にＣ６０分子又はβカロテン分子などのπ共役系分子を内包したものを用いれば、色の回復が改善される。 （もっと読む）

【課題】一般的な触媒金属基板を用いて、触媒となる金属結晶粒を調製し、容易に低コストにて、均質なグラフェン及び炭素分子薄膜を合成する方法を提供する。
【解決手段】触媒金属基板１０を電気炉２０の中に装填して、不活性ガスおよび水素ガス雰囲気下で所定温度θ１１に至るまで加熱する（Ｓ１００）。次いで、所定温度θ１１に保持して、所定時間Ｔ１１にわたって炭素原料ガスを更に供給して触媒金属基板１０の上にグラフェン及び炭素分子薄膜を形成する（Ｓ１１０）。続いて、自然に冷却するよりも特に高温領域で冷却速度が遅くなるよう、所定の降温速度Δθ１で触媒金属基板１０を冷却する（Ｓ１２０）。または、触媒金属基板１０を電気炉２０の中に装填し、不活性ガスおよび水素ガス雰囲気下で所定温度まで昇温し、所定時間保持し、所定の降温速度で冷却する工程を１回以上実施した後、上記のＳ１００からＳ１２０の工程を実施する。 （もっと読む）

【課題】複数のダイヤモンド層をより高速に分離するダイヤモンドの剥離方法及び、高速分離を実現するダイヤモンドの剥離装置の提供。
【解決手段】ダイヤモンドにイオン注入をすることにより得られた導電性の非ダイヤモンド層がダイヤモンド層に挟まれた構造を有する構造体をエッチング液に浸漬して直流電圧を印加し、非ダイヤモンド層を電気化学的にエッチングすることで、ダイヤモンド層を分離するダイヤモンドの剥離方法であって、エッチング液としてｐＨが６．０未満且つ導電率が３００μＳ／ｃｍ以下のエッチング液を使用することを特徴とするダイヤモンドの剥離方法。 （もっと読む）

【課題】凝集が少なく分散性が向上したナノカーボン材料製造装置及びナノカーボン材料精製方法を提供する。
【解決手段】流動層反応器により触媒付きナノカーボン材料を製造するナノカーボン材料製造部１５と、得られた触媒付きナノカーボン材料を酸溶液１６に分散してなり、触媒を酸溶液１６により溶解分離する酸処理装置１７と、前記酸処理したナノカーボン材料１８を水洗する水洗装置１９と、水洗したナノカーボン材料１８を濾過装置２３で濾過した後に、乾燥する乾燥装置２４と、乾燥したナノカーボン材料を微粉砕して精製ナノカーボン材料２６とする微粉砕装置２５とを有する。 （もっと読む）

【解決手段】ＢＥＴ比表面積が２２００ｍ²／ｇ以上２７００ｍ²／ｇ以下であり、平均細孔径が２．２ｎｍ以上２．８ｎｍ以下であり、かつクランストンインクレー法で算出した細孔直径が５．０ｎｍから３０．０ｎｍ間の細孔容積が０．２０ｃｍ³／ｇ以上０．６０ｃｍ³／ｇ以下であることを特徴とする電気二重層キャパシタ用活性炭。
【効果】内部抵抗が小さく、高い出力密度を有し、耐久性にも優れた特性の電気二重層キャパシタ用活性炭を提供できる。 （もっと読む）

【課題】炭素電極の原料として低品質な仮焼石油コークスを使用することができ、かつ、熱膨張係数が低く、高品質な炭素陽極を得ることができる炭素陽極の製造方法を提供する。
【解決手段】アルミニウム精錬用の炭素陽極の製造方法であって、溶剤を用いて石炭を改質して、改質炭である無灰炭を製造する無灰炭製造工程と、前記無灰炭を炭素化処理して無灰炭コークスとする炭素化工程と、前記無灰炭コークスと、生石油コークスを仮焼して得られた仮焼石油コークスと、を混合して炭素材料とする炭素材料製造工程と、前記炭素材料を加熱処理して炭素陽極とする炭素陽極製造工程と、を含み、前記炭素材料製造工程において、前記炭素材料の粒度配合として、粒径が０．２５ｍｍ以上の粒部を、前記無灰炭コークスと前記仮焼石油コークスとで構成し、粉径が０．２５ｍｍ未満の粉部を、２．０質量％以上の硫黄を含有する前記仮焼石油コークスで構成するように混合する。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ基板や石英基板等をベースとした材料・プロセスを用いることによって、高品質なグラフェン膜を有する基板を提供すること。
【解決手段】絶縁層上の金属炭化物膜、例えばＳｉＣ膜を酸化処理することによって得られる、絶縁層上にグラフェン膜と金属酸化物膜、例えばＳｉＯ_２膜が順次積層されてなる基板。更に、かかる基板の表面の金属酸化物膜を除去することによって得られる、絶縁層とその表面に積層されたグラフェン膜とからなる基板。絶縁層としては、Ｓｉ基板上にＳｉＯ_２層が形成されたもの、あるいは、石英基板が好ましい。 （もっと読む）

【課題】メラミンを直接の原料として製造することができ、電気二重層キャパシタ用電極材料として優れた特性を示す窒素含有多孔質炭素材料の提供。
【解決手段】メラミンとクエン酸マグネシウムを混合し、不活性雰囲気下で７００℃以上に加熱したのち、冷却し酸洗浄して得られる窒素含有炭素多孔質材料であり、窒素含有量が０．５〜３０質量％、比表面積が２００〜３０００ｍ^２／ｇである。 （もっと読む）

【課題】半導体性のカーボンナノチューブを短時間で高純度に濃縮することができ、同時に半導体性のカーボンナノチューブの直径分布を狭小化することができ、エレクトロニクスに重要な高い化学的、電子的品質を有する半導体性のカーボンナノチューブを得ることが可能な半導体性のカーボンナノチューブの濃縮方法を提供する。
【解決手段】金属性のカーボンナノチューブと半導体性のカーボンナノチューブとが混在する原料のカーボンナノチューブを強酸水溶液に分散する工程と、強酸水溶液中に分散されたカーボンナノチューブにマイクロ波を照射することにより金属性のカーボンナノチューブを選択的に消滅させて半導体性のカーボンナノチューブを濃縮する工程とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）