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Fターム[4G146CB01]の内容

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Fターム[4G146CB01]に分類される特許

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【課題】大面積のグラフェンを高品質かつ低コストで生産可能なグラフェン製造用銅箔及びそれを用いたグラフェンの製造方法を提供する。
【解決手段】表面粗さRzが0.5μm以下であり、表面において(111)面の割合が60%以上を占めるグラフェン製造用銅箔10である。 (もっと読む)


【課題】大面積のグラフェンを低コストで生産可能なグラフェン製造用銅箔及びそれを用いたグラフェンの製造方法を提供する。
【解決手段】純度が99.95質量%以上のCuからなるグラフェン製造用銅箔である。 (もっと読む)


【課題】高い電気伝導度を実現できるとともに、柔軟性等の特性の劣化の少ないカーボンナノチューブ糸を実現できるカーボンナノチューブ糸及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】CNT糸5は、並列に配置されて束ねられた基材であるCNT(基材CNT)3の間に、各基材CNT3間を電気的に繋ぐように多数のCNT(成長CNT)11が形成されている。この成長CNT11によって、基材CNT3間の空間がある程度埋まっている。つまり、成長CNT11を有するCNT糸5の場合は、成長CNT11が無い場合に比べて、基材CNT3間の空間が少なくなり、CNT糸5と成長CNT11との電気的接続によって、CNT糸5の電気伝導度が向上する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、CVD−転写法においてグラフェンフィルムを高い確実性をもって低コストで製造できる方法を提供することを目的とする。
【解決手段】
(A)基板として、100μm×100μmの正方形表面領域における表面粗さ曲面の最大山高さが100〜600nmの範囲内である金属箔を選択する工程と、
(B)前記基板の表面に炭素源を供給して、当該基板の表面に化学気相成長によってグラフェンフィルムを形成させる工程と
を備えるグラフェンフィルムの製造方法。 (もっと読む)


【課題】基板表面に対して略垂直に近い状態で高密度に配向したカーボンナノチューブに対し、極力ダメージを与えることなくエッチングして、長さが均一に揃ったカーボンナノチューブに加工する方法及び装置の提供。
【解決手段】カーボンナノチューブが形成されたウエハWをエッチング装置100の処理容器1内のステージ3上に載置する。シャワーリング57から処理容器1内にプラズマ生成ガスを導入するとともに、マイクロ波発生部35で発生したマイクロ波を、平面アンテナ33に導き、透過板39を介して処理容器1内に導入する。プラズマが着火したタイミングで酸化性ガス(例えばOガス)又は還元性ガス(例えばHガスやNHガス)を処理容器1内に導入し、プラズマ化する。このように形成される低電子温度のプラズマを、ウエハW上のカーボンナノチューブに作用させることにより、その先端側から基端部側へ向けて長尺方向にエッチングが進行する。 (もっと読む)


【課題】グラフェンリボンの幅を揃えることを可能にすると共に、幅の揃ったグラフェンリボンを基板全面に備えることが出来る、グラフェンリボンを備える単結晶絶縁性基板の製造方法、及び、グラフェンリボンを備える単結晶絶縁性基板を提供する。
【解決手段】一方向に異方性が付与された基板表面を有する単結晶絶縁性基板を用意し、基板表面にグラフェンを固定し、コア粒子を内包するタンパク質の外径をピッチとして、コア粒子を内包するタンパク質を等間隔にグラフェン上に配置し、タンパク質を除去してコア粒子をグラフェン上に配置し、異方性を示す方向に沿ってコア粒子によりグラフェンを切断して、グラフェンリボンを形成する。 (もっと読む)


【課題】大面積のグラフェンを低コストで生産可能なグラフェン製造用銅箔及びそれを用いたグラフェンの製造方法を提供する。
【解決手段】銅箔基材の表面に、厚み5μm未満の銅めっき層を設けてなり、水素を20体積%以上含有し残部アルゴンの雰囲気中で、1000℃で1時間加熱後の前記銅めっき層表面の圧延平行方向及び圧延直角方向の60度光沢度が共に300%以上である。 (もっと読む)


【課題】欠陥のないエピタキシャル構造体を結晶成長させることができるエピタキシャルベース及びエピタキシャル構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】基板100と、カーボンナノチューブ層102とを含み、エピタキシャル層の成長に用いられるエピタキシャルベース10であって、前記基板100は、少なくとも一つのパターン化エピタキシャル成長面101を有し、前記パターン化エピタキシャル成長面101は、複数の溝103を含み、前記カーボンナノチューブ層102は、前記基板100のパターン化エピタキシャル成長面101に配置され、前記複数の溝103に対応する位置では懸架される。前記基板100のパターン化成長表面101にエピタキシャル層を成長させる (もっと読む)


【課題】成長用基材を再利用するために成長用基材を溶かさずに炭素膜を転写用基材に再現性良く剥離する手法を提供するとともに、連続成膜方法の適用が可能な、炭素膜の剥離方法を提供する。
【解決手段】CVD法で形成した透明導電性炭素膜と成長用基材の間の剥離強度(F)を1N/cm以下に制御することにより、形成した透明導電性炭素膜を成長用基材から剥がれやすくして、転写用基材に転写しやすくする。これにより、成長用基材を溶かさずに、且つダメージを与えずに剥離できるので、形成した透明導電性炭素膜は、成長用基材からは転写用基材へ連続転写・連続加工することが可能となる。 (もっと読む)


【課題】本発明は、熱音響装置に関し、特にグラフェンを利用した熱音響装置に関するものである。
【解決手段】本発明の熱音響装置は、基板と、発熱器と、複数の音波発生器と、を含む。少なくとも一つの前記音波発生器は、グラフェン−カーボンナノチューブ複合構造体からなる。前記グラフェン−カーボンナノチューブ複合構造体は、相互に積み重なって設置された少なくとも一つのグラフェン構造体及び少なくとも一つのカーボンナノチューブ構造体からなる。前記発熱器は、前記複数の音波発生器にエネルギーを提供し、前記複数から音波発生器に熱を発生させる。また、本発明は、熱音響装置を利用した電子デバイスも提供する。 (もっと読む)


【課題】グラフェン‐カーボンナノチューブ複合構造体を提供する。
【解決手段】本発明のグラフェン‐カーボンナノチューブ複合構造体は、グラフェン構造体及びカーボンナノチューブ構造体からなる。前記カーボンナノチューブ構造体は、複数の微孔を有し、分子間力で長軸方向の端と端が接続された複数のカーボンナノチューブからなる。前記カーボンナノチューブ構造体における複数のカーボンナノチューブの面積と前記複数の微孔の面積との比は1:1000〜1:10である。前記グラフェン構造体は、前記複数の微孔を被覆する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、熱音響装置に関し、特にグラフェンを利用した熱音響装置に関するものである。
【解決手段】本発明の熱音響装置は、音波発生器と、発熱器と、を含む。前記発熱器は、前記音波発生器の一つの表面に設置される。前記音波発生器は、グラフェン−カーボンナノチューブ複合構造体からなる。前記グラフェン−カーボンナノチューブ複合構造体は、グラフェン構造体及びカーボンナノチューブ構造体からなり、前記グラフェン構造体が前記カーボンナノチューブ構造体に被覆される。前記カーボンナノチューブ複合構造体における複数のカーボンナノチューブの面積と複数の微孔の面積との比が1:1000〜1:10である。前記発熱器は、前記音波発生器にエネルギーを提供し、前記音波発生器から熱を発生させる。 (もっと読む)


【課題】強酸、強塩基を使用することなく、容易にCNTの溶媒に対する分散性を改善する。
【解決手段】a)炭素ナノチューブ溶液及び酸化剤を50乃至400atmの圧力で注入して前記炭素ナノチューブ溶液及び前記酸化剤の混合液を予熱する段階;b)前記予熱された混合液中の炭素ナノチューブを、50乃至400atmの亜臨界水または超臨界水条件において表面処理する段階;c)前記表面処理された生成物を0乃至100℃に冷却及び1乃至10atmに減圧する段階;及びd)前記減圧された生成物を回収する段階;シを含む連続的な方法で表面処理された、炭素ナノチューブ。 (もっと読む)


【課題】グラフェンの電子構造を変化させずに、触媒金属表面上に形成したグラフェンを容易に剥離させること。
【解決手段】銅基板3上に形成したグラフェン1の端部をフッ素原子2で終端することで、グラフェン1の基板3からの剥離を容易にすることが可能となる。 (もっと読む)


【課題】高純度で、且つ電子デバイスに応用できる大きさのSWCNTの結晶作製方法を提供し、該方法により作製されたSWCNT結晶、並びに該SWCNT結晶を用いた電子デバイスを提供する。
【解決手段】溶媒に単分散された単層カーボンナノチューブを過飽和状態にすることにより、単層カーボンナノチューブを結晶化させることを特徴とする単層カーボンナノチューブの結晶作製方法。 (もっと読む)


【課題】比較的大きな電流を流すことができる柔軟なグラフェン配線構造を提供する。
【解決手段】グラフェン配線構造10は、絶縁樹脂層12,22,32,42とグラフェン層16,26,36とが繰り返し積層されている。グラフェン層16の上下には絶縁樹脂層12,22が存在し、グラフェン層26の上下には絶縁樹脂層22,32が存在し、グラフェン層36の上下には絶縁樹脂層32,42が存在する。また、絶縁樹脂層12とグラフェン層16との間には触媒金属層14が介在し、絶縁樹脂層22とグラフェン層26との間には触媒金属層24が介在し、絶縁樹脂層32とグラフェン層36との間には触媒金属層34が介在する。触媒金属層14,24,34は、グラフェン化を促進する機能を有する。各グラフェン層16,26,36は、いずれも奇数枚(ここでは3枚)のグラフェンシートを積層したものである。 (もっと読む)


【課題】ナノファイバーの糸、リボン、およびシートに関するものであって;前記糸、リボン、およびシートを製造する方法;そして前記糸、リボン、およびシートの応用を提供すること。
【解決手段】幾つかの実施形態において、ナノチューブの糸、リボンおよびシートはカーボンナノチューブを含む。詳細には、本発明のその様なカーボンナノチューブは以下の様な独特な特性および特性の組み合わせを提供する。例えば、極度の靭性、ノットにおける破損に対する耐性、高レベルの電気および熱伝導性、可逆的に出現する高いエネルギー吸収性、破損歪みが同様な靭性を有するその他のファイバーにおける数%と比較して13%まであること、クリープに対する耐性が非常に高いこと、空気中で450℃にて1時間加熱した場合でさえも強度を保持すること、および空気中で照射された時でさえも非常に高い放射線耐性およびUV耐性などである。 (もっと読む)


【課題】トレードオフの関係を改善し、ペースト性状、初回効率、サイクル特性及び低温出力等の性能を良好に発現させることが可能な非水電解液二次電池を提供する。
【解決手段】以下の(a)及び(b)を満たすことを特徴とする複層構造炭素材を非水電解液二次電池負極として用いることにより課題を解決する。
(a)(DBP吸油量から算出される空隙率)/(タッピング密度から算出される空隙率)<1.01である
(b)X線光電子分光法から求められる表面含酸素率(O/C)が1.5atomic%以上である (もっと読む)


【課題】CNM等の難溶解性粉体の表面修飾処理を高速化して、大量の表面修飾処理を低コストで行うことのできる粉体可溶化方法及びその粉体可溶化方法に基づき粉体可溶化処理を行える粉体可溶化装置を提供することである。
【解決手段】攪拌部材4の終端部5を液中電極14の対向電極として、両電極間に高電圧高周波パルス発生装置17の合成電圧Vが印加される。合成電圧Vの印加により、水面32近傍のCNTあるいは水面32に浮遊するCNT11が粉体電極となって、液中電極14との間で液中プラズマ放電27を発生させる。液中プラズマ放電27により液中電極14の周囲が沸騰状態に達し、HやOH等のラジカルを含む活性水蒸気28が生ずる。活性水蒸気28及び液中プラズマに接触することにより、浮遊CNT粉体はCNT周囲に水和層が形成され親水化される。 (もっと読む)


【課題】 端構造を原子スケールで形成・制御可能なグラフェンの加工方法を提供する。
【解決手段】本発明のグラフェンの製造方法では、グラフェン層に酸素原子を吸着させ、グラフェンの吸着・拡散異方性を利用して、酸素原子を炭素結合間に列状に配列させ、拡散させることによりエーテル結合を形成させ、エーテル結合を開裂させて、端部を形成する。 (もっと読む)


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