【課題】グラフェンリボンの幅を揃えることを可能にすると共に、幅の揃ったグラフェンリボンを基板全面に備えることが出来る、グラフェンリボンを備える単結晶絶縁性基板の製造方法、及び、グラフェンリボンを備える単結晶絶縁性基板を提供する。
【解決手段】単結晶絶縁性基板を用意し、基板表面にグラフェンを固定し、コア粒子を内包するタンパク質の外径をピッチとして、コア粒子を内包するタンパク質を等間隔にグラフェン上に配置し、タンパク質を除去してコア粒子をグラフェン上に配置し、コア粒子によりグラフェンを切断して、グラフェンリボンを形成する。 （もっと読む）

【課題】従来より長い寸法等の各種の形状の接続体を実現できるとともに、ＣＮＴ糸同士の接続を確実に行うことができるカーボンナノチューブ糸接続体及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】ＣＮＴ糸接続体９は、接続される両方のＣＮＴ糸３からそれぞれ伸びる成長ＣＮＴ７が、接続相手側のＣＮＴ糸３や成長ＣＮＴ７に絡みつくことにより、ＣＮＴ糸３同士が接続されている。従って、２本のＣＮＴ糸３を１箇所で接続することにより、或いは、多数のＣＮＴ糸３を順次接続することにより、例えば数十ｋｍに及ぶような非常に長いＣＮＴ糸接続体９を実現すること可能である。また、各ＣＮＴ糸３から伸びる成長ＣＮＴ７によって、ＣＮＴ糸３同士を確実に接続できるので、各ＣＮＴ糸３の接続の機械的強度が大きく、電気的特性（導電性）も優れている。 （もっと読む）

【課題】高導電性の導電体、またその簡便な製造方法を提供する。
【解決手段】基材の片面に、親水性カーボンナノチューブと分散剤とを含む未処理導電層を形成し、該未処理導電層に０．０２〜１．０質量％の塩化金酸水溶液を１０〜６０秒間接触させた後、乾燥させる、導電体の製造方法。また、基材の片面に親水性カーボンナノチューブと０価の金ナノ粒子と３価の金イオンと分散剤とを含む導電層を有し、親水性カーボンナノチューブが、導電層の導電面側のＸＰＳスペクトルにおいて、８２〜８９ｅＶにピークトップを含むピークの面積強度［Ｃ］と８９〜９２ｅＶにピークトップを含むピークの面積強度［Ｄ］との比（［Ｃ］／［Ｄ］）が５〜２０であり、かつ金元素に対応するピークの面積強度［Ｅ］と炭素元素に対応するピークの面積強度［Ｆ］との比が［Ｅ］／［Ｆ］＝０．００１〜０．０５であるカーボンナノチューブからなる導電体。 （もっと読む）

【課題】電気絶縁部と伝導部の作り分けが必要なトランジスタの作成において、制御された領域で酸化グラフェンをグラフェンに還元できる方法を提供する。
【解決手段】波形と電界強度が調整されたフェムト秒レーザー光の照射により酸素原子をグラフェンから遠ざかる方向に高い運動エネルギーを集中して与えて酸素原子をグラフェン表面より脱離させ、酸化グラフェン４を還元する。また、時間依存第一原理計算の結果から最適化されたフェムト秒レーザーの波形と電界の最大瞬間強度を予測しておき、実験を行う際にその条件を利用することで効率よく酸素原子をグラフェンから抜き出すことを実現する。 （もっと読む）

【課題】カーボン薄膜を選択的なエッジ形状にて微細加工する方法を提供する。
【解決手段】本発明のカーボン薄膜の加工方法は、カーボン薄膜とカーボン薄膜上に配したルテニウムナノ粒子とに対して、少なくとも水素を含む雰囲気中での熱処理工程を経ることにより、カーボン薄膜を選択的なエッジ形状を有するように加工することを特徴とする。本発明のカーボン薄膜の加工方法により、選択的なエッジ加工を実現でき、スピンエレクトロニクスデバイスの製造に好適である。 （もっと読む）

【課題】適量のインターカラントが容易な方法で均一にインターカレートされたカーボンナノチューブの集合体、及び、そのインターカレート方法の提供。
【解決手段】１．６μｇのＣＮＴ集合体に対し黒鉛を９．０３ｇ加えると共に塩化鉄(III) を１２２ｍｇ加え、ガラス管に真空封入し、２８０℃で６日間保持する処理を施した。この場合、塩化鉄(III) のモル数を黒鉛中の炭素原子のモル数で割ったいわゆる希釈率は、１／１０００である。処理後、電子顕微鏡でＣＮＴ集合体の表面状態を観察したところ、図１に示すように、塩化鉄(III) の析出物も皮膜も見られなかった。また、インターカレーションの効果としてＣＮＴ集合体の電気抵抗を３１％低下させることができた。 （もっと読む）

【課題】 水分子等を反応物質として含む光触媒反応において高い活性を示す光触媒を提供する。また、この光触媒を用いた水素製造方法を提供する。
【解決手段】 炭素の６員環構造を外殻に有しており、少なくとも一端が開放されている管状のナノカーボン類と、光を照射されることによって電子および正孔を生成する光触媒成分とを含む光触媒。また、アルコール類等の水素含有有機化合物またはその水溶液に、この光触媒を作用させる、水素製造方法。 （もっと読む）

【課題】大面積のグラフェンを低コストで生産可能なグラフェン製造用銅箔及びそれを用いたグラフェンの製造方法を提供する。
【解決手段】圧延平行方向及び圧延直角方向の６０度光沢度が共に５００％以上であり、１０００℃で１時間加熱後の平均結晶粒径が２００μｍ以上であるグラフェン製造用銅箔である。 （もっと読む）

【課題】絶縁層が積層された導電層に該絶縁層を貫通するカーボンナノチューブが接続される配線構造にて電気的特性を向上することのできる配線形成方法、及び該方法を用いる配線形成装置を提供する。
【解決手段】
下部配線層３２に積層された絶縁層３４を貫通するホール３５に、その内表面の全体が含まれるように触媒層３６，３７を形成した後、ホール３５の内部にシースＳｈが形成され、且つホール３５の内壁面３５ａに対するシースの厚さがホール３５の底壁面３５ｂに対するシースＳｈの厚さよりも小さくなるようにプラズマを生成する。そして、ホール３５の内壁面３５ａに形成された触媒層３６，３７をプラズマ中のスパッタ粒子Ｓｐによって除去した後、ホール３５の底壁面３５ｂに残された触媒層３６，３７を用いて該底壁面３５ｂからカーボンナノチューブ３８を形成する。 （もっと読む）

【課題】グラフェンの電子構造を変化させずに、触媒金属表面上に形成したグラフェンを容易に剥離させること。
【解決手段】銅基板３上に形成したグラフェン１の端部をフッ素原子２で終端することで、グラフェン１の基板３からの剥離を容易にすることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥及び触媒金属の含有量が少なく、所望の優れた特性を有するＣＮＴ集合体及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】化学気相合成法によって、基板表面にＣＮＴ垂直配向膜を形成し、そのＣＮＴ垂直配向膜からＣＮＴ集合体を製造する方法において、基板上にＣＮＴ垂直配向膜を形成した後に、酸素プラズマエッチングによって、ＣＮＴ垂直配向膜の上部を除去する。これにより、結晶欠陥を多く含むＣＮＴ部分や、ＣＮＴ垂直配向膜の上部に付着した触媒金属を、効果的に除去できる。 （もっと読む）

【課題】従来の熱伝導フィルムでは、ヒートスポットを十分に抑制できない場合がある。
【解決手段】ヒートスポット抑制フィルム１００は、第１領域１０２と、第１領域１０２よりも比重の大きい第２領域１０４とを有するグラファイトフィルムを備える。電子部品２２に対向する筐体１０の内壁１０ａにヒートスポット抑制フィルム１００の第１領域１０２が配置されることにより、電子部品２２に対向する筐体１０の外壁１０ｂに発生するヒートスポットを抑制する。 （もっと読む）

【課題】所望形状のグラフェン素材を容易に作製する。
【解決手段】まず、基板本体１２を用意し、その基板本体１２の全面にＮｉの結晶層１４を成膜する。続いて、リソグラフィ法により結晶層１４をジグザグ状にパターニングし、触媒金属層１６とする。次に、触媒金属層１６に対してアセチレンとアルゴンとの混合ガスによりＣ原子を供給する。すると、Ｎｉ表面は（１１１）面に再配列されると共に、供給されたＣ原子は六角格子を形成してグラフェンが成長していく。グラフェンは触媒金属層１６上に形成されるため、触媒金属層１６と同じ形状つまりジグザグ状となる。次に、ジグザグ状のグラフェンの両末端に四角形の電極１８，２０を取り付ける。その後、触媒金属層１６を酸性溶液で溶かし、グラフェンをグラフェン素材１０として取り出す。 （もっと読む）

【課題】所望の基板上にグラフェン膜を良好な密着性で転写することができ、しかもグラフェン膜に欠陥が発生するのを有効に防止することができ、量産性にも優れたグラフェン膜の転写方法および透明導電膜の製造方法を提供する。
【解決手段】第１の基板１１上に形成された一層または複数層のグラフェン膜１２と第２の基板１４とを、揮発成分の含有量が１重量％未満で粘着性を有する樹脂層１３により張り合わせ、第１の基板１１と第２の基板１４とを加圧して樹脂層１３の厚さを減少させ、樹脂層１３を硬化させた後、第１の基板１１を除去する。 （もっと読む）

【課題】グラフェンまたは薄片化黒鉛を機械的剥離処理などにより容易にかつ安定に剥離することが可能な膨張化黒鉛及びその製造方法を提供する。
【解決手段】グラフェン積層体のグラフェン間に層間物質がインターカレートされており、ＸＲＤパターンにおいて２θ（ＣｕＫα）＝２６度付近の回折ピーク高さが０カウント以上２００カウント以下であって、前記２θ（ＣｕＫα）＝８度〜１２度の範囲の回折ピーク高さが０カウント以上５００カウント以下の範囲にある膨張化黒鉛、並びに黒鉛を酸性電解質水溶液中に作用極として浸漬し、対照極としてＰｔを用い、自然電位以外に０．６Ｖ〜０．８Ｖの範囲の電圧を４８時間以上１０００時間以下通電することにより電気化学的処理し、膨張化黒鉛を得る方法。 （もっと読む）

【課題】優れた熱伝導性を有するだけでなく、厚み方向において電気的絶縁性に優れているグラフェン複合シートを得ることを可能とするグラフェン複合材料及びグラフェン複合シートの製造方法を提供する。
【解決手段】層状黒鉛を膨潤することによりグラフェン間の層間距離が広げられているグラファイトシートと、前記グラファイトシートのグラフェン層間にインターカレートされており、グラフェンに反応性を有する絶縁材料層とを備えるグラフェン複合材料並びに前記絶縁材料をインターカレートすると同時に、あるいはインターカレート後に、加熱、電子線照射、光照射、及び／または加圧により絶縁材料を反応させ、絶縁材料反応物からなる絶縁層を形成する、グラフェン複合シートの製造方法。 （もっと読む）

【課題】放熱効率を向上させた放熱基板及びその製造方法、そして前記放熱基板を備える発光素子パッケージを提供する。
【解決手段】本発明による放熱基板は、高分子樹脂及び高分子樹脂内に分布され、発熱体から発生される熱を外部に放出させるグラフェン（ｇｒａｐｈｅｎｅ）を含む。 （もっと読む）

【課題】グラフェン発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】グラフェン発光素子及びその製造方法に係り、該グラフェン発光素子は、ｐ型ドーパントがドーピングされたｐ型グラフェンと、ｎ型ドーパントがドーピングされたｎ型グラフェンと、発光する活性グラフェンと、が水平配列されている。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンド半導体の不純物の新しい混入状態を実現する。
【解決手段】ダイヤモンド半導体は、ダイヤモンド１０とダイヤモンド１０内にドーピングされる不純物で構成される。不純物のドーピングにより、ダイヤモンド１０内に複数の高濃度ドープ領域２０が形成される。各高濃度ドープ領域２０は、ダイヤモンド１０内において空間的に局在化されており、そして、ダイヤモンド１０内において複数の高濃度ドープ領域２０が分散的に配置されている。不純物のドーピングによりキャリア生成のための活性化エネルギーを低下させつつ、各高濃度ドープ領域２０の局在化によりキャリア移動度の低下を抑えることが可能になる。 （もっと読む）

【課題】
周囲環境によって破壊されることなく、かつ蛍光分子が蛍光発光し得る状態で、安定に保持できるキャリアを見いだし、該キャリアに蛍光分子を保持させた汎用性のある分子プローブを提供する。
【解決手段】
蛍光分子を保持するキャリアとしてカーボンナノチューブを用い、該カーボンナノチューブ内に蛍光分子を内包させ、蛍光プローブを得る。該蛍光プローブは、周囲環境の溶液のイオン強度、pH、温度等によってキャリアが破壊されることなく、極めて安定である。 （もっと読む）