【課題】気相法を用いずに、低コストで高純度の炭化珪素からなる原料を得た後、この原料を用いて高強度の耐火物を製造する方法を提供する。
【解決手段】アチソン炉を用いて、粒子内にシリカとカーボンの各々が全体的に分布しており、かつ、Ｂ及びＰの各々の含有率が１ｐｐｍ以下である、シリカとカーボンからなる粒子を加熱して、炭化珪素からなる塊状物を得る、炭化珪素製造工程と、上記炭化珪素からなる塊状物を粉砕して、炭化珪素の粒状物からなる不定形耐火物を得る、不定形耐火物調整工程と、を含む、炭化珪素を含む不定形耐火物の製造方法。 （もっと読む）

【課題】高純度炭化ケイ素を簡便かつ高い生産性で得ることができる製造方法を提供する。また、所要の形状および寸法を有する炭化ケイ素成形品を容易に得ることができる製造方法を提供する。
【解決手段】硬化性シリコーン組成物の硬化物を非酸化性雰囲気下、１５００℃を超え２６００℃以下の温度において加熱することを含む炭化ケイ素の製造方法。前記の硬化性シリコーン組成物を所要の形状および寸法に成形した後に硬化させて前記の硬化物を得ることにより、所要の形状および寸法を有する炭化ケイ素成形品を容易に得ることができる。前記の硬化性シリコーン組成物は、付加硬化型シリコーン組成物または縮合硬化型シリコーン組成物であることが好ましく、また、炭化ケイ素粉体を含有することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】
電磁波照射を用いた炭化ケイ素合成における上記の問題を解決するためになされたものであり、投入原料全体にわたり均一に反応を生じさせ、反応温度の制御や管理も容易であり、しかも、省エネルギー、高効率かつ短時間で高純度・高品質の炭化ケイ素微粉末を製造する方法と、そのための製造装置を提供する。
【解決手段】
電磁波照射を利用するシリカの炭素熱還元による炭化ケイ素粉末の製造方法において、副生ガス通気孔１４を有するとともに外周部に自己発熱材料１３が、さらに、該自己発熱材料１３の周囲に耐熱性多孔質断熱材料６が配置された耐熱性反応器５内に、シリカ源と炭素源を含む原料４を充填した後、電磁波を照射することにより、自己発熱材料１３を介して原料４を非酸化雰囲気中で加熱して炭化ケイ素微粉末を得ることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】大面積で結晶性の良い単結晶ダイヤモンドを成長させることができ、高品質の単結晶ダイヤモンド基板を安価に製造できる単結晶ダイヤモンド成長用基材及びその製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶ＳｉＣ基板１１の単結晶ダイヤモンドを成長させる側にヘテロエピタキシャル成長させたイリジウム膜又はロジウム膜１２を有する単結晶ダイヤモンド成長用基材１０であって、イリジウム膜又はロジウム膜１２は、単結晶ダイヤモンド成長時に良好なバッファ層として機能する。単結晶ＳｉＣ基板１１とイリジウム膜又はロジウム膜１２の間に、ヘテロエピタキシャル成長させたＭｇＯ膜１３をさらに有する単結晶ダイヤモンド成長用基材１０’であってもよい。基材１０’がＭｇＯ膜１３を有することで、その上のイリジウム膜又はロジウム膜１２の結晶性をより良く形成でき、また、成長させた単結晶ダイヤモンドを分離させる場合に良好な分離層として利用できる。 （もっと読む）

【課題】表面の平滑度の高い炭化ケイ素部材の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る炭化ケイ素部材の製造方法では、β型炭化ケイ素部材を表面加工する工程と、この表面加工を施したβ型炭化ケイ素部材を、Ｓｉを含有する雰囲気中において１４００〜１９００℃の加熱温度で熱処理することにより、β型炭化ケイ素部材の表面における炭化ケイ素の粒成長を促進させる工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】電気特性や機械特性に優れ、かつ電子線照射によってチューブ構造が崩壊することがない、単結晶炭化ケイ素ナノチューブの製造方法を提供すること。
【解決手段】多結晶炭化ケイ素ナノチューブを作製し、その多結晶炭化ケイ素ナノチューブに対して、それを貫通するのに必要なエネルギー以上で加速されたイオンを照射することにより、単結晶炭化ケイ素ナノチューブを製造する。このとき、例えば、イオンは、照射温度900℃以上で照射され、その照射量がはじき出し量として5dpa以上である。 （もっと読む）

【解決手段】
０．０１重量％未満の総鉱物性不純物と選択的に決定された炭素：シリコンの比率を含む、シリコン、炭化ケイ素および窒化ケイ素などのシリコン含有生成物。その生成物は、少なくとも３重量％のシリカを含む、籾殻および稲藁などの植物に由来する。制御された温度、圧力および反応時間の下、固定炭素：シリカのモル比を調節しながら、シリコン含有植物を硫酸水溶液で浸出して鉱物および金属を除去し、次いで、制御された条件下、熱的に処理して所望の生成物を生産することを特徴とする、そのような高純度のシリコン含有生成物を作るための方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ原料粉体にドーパントを混合させた場合に、ＳｉＣの昇華ガスとドーパントの昇華ガスとを均一に種結晶に供給することができると共に、不純物の混入可能性が低い炭化珪素粉体の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る炭化珪素粉体の製造方法は、珪素源と、炭素源と、反応触媒と、バナジウム含有化合物と、を混合させて液状混合物７を生成する工程と、液状混合物７を減圧雰囲気下に配置した状態で、液状混合物７に不活性ガスを導入しつつ排出ガスを排気する工程と、液状混合物７を乾燥および硬化させることにより固形物１９を生成する工程と、固形物１９を加熱して炭化および焼成することにより、炭化珪素粉体２５を生成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】簡易な合成方法・装置で、安全な物質を原料とし、且つ大量生産が可能な方法により、優れた特性を有する炭化ケイ素ナノワイヤーを提供する。
【解決手段】原料粉末の構成物質に少なくともＳｉまたはＯを含み、原料粉末を不活性ガス及び少なくともＣまたはＨを含むガス気流中で熱処理を行うことを特徴とし、コア部の構成物質が炭化ケイ素であり、コア部を被覆するシェル部の構成物質が少なくともＳｉまたはＯを含むことを特徴とするコアシェル構造型炭化ケイ素ナノワイヤー及びその製造方法
【効果】本発明により、簡易な合成方法・装置で、安全な物質を原料とし、且つ大量生産が可能な方法で、耐酸化性の向上あるいは新たな機能の付与が可能なコアシェル構造型炭化ケイ素ナノワイヤーを提供することができる。 （もっと読む）

規則性メソ多孔質炭化ケイ素（ＯＭＳｉＣ）ナノ複合材料の調製方法には、フェノール樹脂、前加水分解したオルトケイ酸テトラエチル、界面活性剤、およびブタノールを含む前駆体組成物の蒸発誘起性の自己組織化を使用することが好ましい。前駆体混合物を乾燥し、架橋し、加熱して、中程度の大きさの細孔の規則的離散領域を有する規則性メソ多孔質炭化ケイ素材料を形成する。
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【課題】１，０００℃以上の高温でも耐酸化性に優れ、耐熱性を有する炭化ケイ素チューブの製造方法を提供すること。
【解決手段】下記の（ａ）及び／又は（ｂ）を満たし、平均外径が５０ｎｍ以上であって、直径と長さのアスペクト比が１０以上である、カーボンファイバーと、一酸化ケイ素とを、互いに混合することなく互いに離して反応容器内に載置する工程、上記反応容器を、加熱炉内において、０．１気圧以下の真空下で、１，４００℃以上の温度に加熱して炭化ケイ素を反応生成させる工程、並びに、６００℃以上８００℃以下の大気中で反応生成物を加熱して、残存するカーボンを酸化除去する工程、を含む炭化ケイ素チューブの製造方法。
（ａ）グラファイト（００２）面のＸ線回折強度の半値幅が、１°以下の強度を有すること；（ｂ）６００℃の大気中で加熱したときに重量減少が１０％以下であること （もっと読む）

【課題】高い熱伝導率を有し、積層欠陥が低下した炭化珪素膜を提供する。
【解決手段】高熱伝導率を有し、積層欠陥が減少した、化学蒸着β相多結晶炭化珪素。炭化珪素は水素ガスおよびメチルトリクロロシランを反応物質として用いる特定の条件下で合成される。炭化珪素の熱伝導率は、高い熱負荷が発生する電子デバイスの装置の一部および部品として用いることができるほど十分高い。このような部品としては、アクティブ熱電クーラー、ヒートシンクおよびファンが挙げられる。 （もっと読む）

本発明により、ナノ粒子含有新規多孔質材料、クロマトグラフィー分離への利用、この調製法、およびクロマトグラフィー材料を含む分離デバイスが記載される。詳細には、本開示は、以下の酸化物または窒化物から選択されるナノ粒子を包埋した多孔質無機／有機ハイブリッド粒子を記載する：炭化ケイ素、アルミニウム、ダイヤモンド、セリウム、カーボンブラック、カーボンナノチューブ、ジルコニウム、バリウム、セリウム、コバルト、銅、ユーロピウム、ガドリニウム、鉄、ニッケル、サマリウム、ケイ素、銀、チタン、亜鉛、ホウ素、およびこれらの混合物。
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【課題】高純度炭化ケイ素を簡便かつ高い生産性で得ることができる製造方法を提供する。また、所要の形状および寸法を有する炭化ケイ素成形品を容易に得ることができる製造方法を提供する。
【解決手段】硬化性シリコーン組成物の硬化物を非酸化性雰囲気下、１５００℃を超え２６００℃以下の温度において加熱することを含む炭化ケイ素の製造方法。前記の硬化性シリコーン組成物を所要の形状および寸法に成形した後に硬化させて前記の硬化物を得ることにより、所要の形状および寸法を有する炭化ケイ素成形品を容易に得ることができる。前記の硬化性シリコーン組成物は、付加硬化型シリコーン組成物または縮合硬化型シリコーン組成物であることが好ましく、また、炭化ケイ素粉体を含有することが好ましい。 （もっと読む）

改善された炭化ケイ素粒子、改善された炭化ケイ素研磨粒子および化学的機械的平面化（ＣＭＰ）法において用いるための研磨スラリー組成物において、粒子は、ナノサイズ炭化粒子、詳しくはシリカに似た化学的表面特性を有する炭化ケイ素粒子を含むことが可能である。
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【課題】従来法よりも簡単に、しかも従来法では実現できなかった主として炭素からなる構造体の形態を保持した炭化ケイ素構造体の製造を、低温で、かつ短時間で行うことことができる炭化ケイ素構造体の製造方法を提供することにある。
【解決手段】不活性ガス雰囲気の反応容器中で、シリコンを含むナトリウムの融液を付加した状態で、主として炭素からなる構造体を加熱し、加熱した後に得られる炭化ケイ素構造体中の主たる炭化ケイ素の結晶構造がβ型であり、更に、主として炭素からなる構造体を加熱する温度は、６００℃以上、１２００℃以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、β−ＳｉＣ多孔質基板上に、ナノファイバまたはナノチューブを含む複合材の製造方法において、（ａ）前記β−ＳｉＣ多孔質基板の中またはＳｉＣ前駆体の中に、ナノチューブまたはナノファイバの成長触媒を取込む過程と、（ｂ）少なくとも一つの炭化水素および水素を含む混合物からカーボンナノチューブまたはカーボンナノファイバを成長させる過程と、（ｃ）任意には、前記カーボン製ナノチューブまたはカーボン製ナノファイバをＳｉＣナノファイバへと変換する過程とを含む方法に関する。この複合製品は、触媒または触媒担体として利用可能である。 （もっと読む）

【課題】平均粒子径が５０ｎｍ以下でありかつ粒度分布の幅が狭い炭化ケイ素粉末を工業的規模で安価に製造することが可能な炭化ケイ素粉末の製造方法及び炭化ケイ素粉末を提供する。
【解決手段】本発明の炭化ケイ素粉末の製造方法は、炭素源及びケイ素源を混合した混合物からなる炭化ケイ素前駆体を、不活性雰囲気中にて熱処理し、さらに酸化性雰囲気中にて熱処理し、得られた炭化ケイ素含有物をフッ化水素酸または強塩基性溶液を用いて洗浄し、この炭化ケイ素含有物に含まれる不純物を除去し、平均粒子径が５０ｎｍ以下でありかつ粒度分布の幅が狭い炭化ケイ素粉末を得る。 （もっと読む）

【課題】耐熱性を改善し、かつ比表面積やメソ細孔を保持したメソポーラス炭化珪素膜を提供する。
【解決手段】耐熱性及び耐腐食性が改善されたメソポーラス炭化珪素系セラミックスであって、Ｓｉ−Ｃ結合、あるいは一部にＳｉ−Ｏ結合を基本とする非晶質ネットワークを有していること、１０−５００ｎｍの粒径を有する無機充填剤が分散していること、細孔径５０ｎｍ以下の微細な細孔分布を有すること、を特徴とするメソポーラス炭化珪素系セラミックス、及び耐熱性、耐腐食性を改善したメソポーラス炭化珪素系セラミックスの製造方法。
【効果】有機珪素ポリマーにセラミックス粒子充填剤を含有させ熱処理することにより、大型で高価な装置を用いることなく、６００℃以上の高温での寸法変化、細孔の消失を粒子充填剤によって抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】 低い温度で十分に原材料からの転換率が得られ、粒子サイズが小さく、不純物が少ない粉末状の炭化ケイ素の製造方法を提供する。
【解決手段】 （Ａ）Ｓｉ元素および一種以上の遷移金属元素を含む合金、金属ケイ素粉末および遷移金属粉末を含む混合物、金属ケイ素粉末および遷移金属化合物を含む混合物のいずれかと、（Ｂ）鎖状飽和炭化水素、鎖状不飽和炭化水素、環状飽和炭化水素、アルコールおよび芳香族炭化水素からなる群から選択される一種類以上の置換または未置換の炭化水素とを、３７０〜８００℃の温度範囲にて反応させる工程を含む炭化ケイ素の製造方法。 （もっと読む）